“杨育佳”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果229个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210810748.2在审
发明人：李溢芸;黄才育;王立廷;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其形成方法。一种方法包括在衬底上形成鳍结构。鳍结构包括交替堆叠的多个第一纳米结构和多个第二纳米结构。沿着鳍结构的侧壁和顶表面形成虚设栅极。使鳍结构的被虚设栅极暴露的部分凹陷，以形成第一凹部。在第一凹部中形成外延源极/漏极区域。将外延源极/漏极区域内的掺杂剂原子驱动到多个第二纳米结构中。去除虚设栅极和多个第一纳米结构。形成包绕多个第二纳米结构的替换栅极。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]退火设备及其操作方法-CN202210236709.6在审
发明人：陈毅帆;薛森鸿;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例涉及退火设备及其操作方法。本发明实施例涉及一种方法，其包含：将晶片输送到设备，所述设备包含：第一腔室，其经配置以接收所述晶片及第一气体；第二腔室，其围绕所述第一腔室且经配置以接收第二气体；多个进气口，其在所述第二腔室的腔室壁上；及多个通气口，其在所述第二腔室的所述腔室壁上；加热所述第一腔室同时将所述第一腔室与所述第二腔室之间的气压差保持在容限限制内；及通过交换所述第二腔室中的所述第二气体来冷却所述第一腔室，同时将所述气压差保持在所述容限限制内。
退火设备及其操作方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202210344566.0在审
发明人：陈资宪;王立廷;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括：判定晶圆上第一退火区域的第一反射率；判定晶圆上第二退火区域的第二反射率，在第一退火区域上执行第一激光发射，量测第一退火区域的第一温度，且在第二退火区域上执行第二激光发射。根据第一反射率设定第一激光发射的功率。根据第二反射率设定第二激光发射的功率。
制造半导体装置方法

[发明专利]晶圆接合系统及其方法-CN202210219660.3在审
发明人：陈翰德;邓运桢;蔡承峯;许志成;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆接合系统及其方法，在一实施方式中，晶圆接合系统包含腔室、气体输入孔与气体输出孔配置以控制腔室的压力在1×10‑2毫巴至1520托的范围内、第一晶圆座具有第一表面，以支撑第一晶圆、与第二晶圆座具有第二表面以支撑第二晶圆，第二表面相对第一表面，第二晶圆座与第一晶圆座可相对彼此移动，其中支撑第二晶圆的第二表面划分为多个区域，其中每一个区域的真空压力独立于其他区域进行控制。
接合系统及其方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202210249501.8在审
发明人：邓运桢;蔡承峯;陈翰德;许志成;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括将第一晶圆及第二晶圆装载至晶圆接合系统中。第一次量测晶圆接合系统内的相对湿度。在量测相对湿度之后，可将晶圆接合系统内的相对湿度调整至所需范围内。当相对湿度在所需范围内时，将第一晶圆接合至第二晶圆。
制造半导体装置方法

[发明专利]量测基板温度的设备、系统及方法-CN202210173755.6在审
发明人：陈资宪;王怡超;陈文彦;王立廷;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：一种量测基板温度的设备、系统及方法。将发射例如激光脉冲的光信号的发光源施加至基板上。发光源另一侧上的侦测器接收反射激光脉冲。侦测器亦接收与从基板的表面辐射的温度或能量密度相关联的发射信号。温度量测系统使用所接收的激光脉冲及发射信号来确定热制程期间基板的温度。为了提高反射激光脉冲的讯杂比，可以使用偏振器来偏振激光脉冲以具有S偏振。也可以控制偏振激光脉冲朝向基板施加的角度，以提高侦测器端的讯杂比。
量测基板温度设备系统方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202210494817.3在审
发明人：刘威民;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置和制造半导体装置的方法，一个实施方式包括一种装置，此装置包括从基板延伸的第一鳍片。此装置也包括第一栅极堆叠其在第一鳍片上方并且沿着第一鳍片的侧壁。此装置也包括第一栅极间隔物其沿着第一栅极堆叠的侧壁而设置。此装置也包括第一源极/漏极区域其在第一鳍片中并且邻近第一栅极间隔物，第一源极/漏极区域包括在第一鳍片上的第一含碳的缓冲层。此装置也包括第一外延结构其在第一含碳的缓冲层上。
半导体装置制造方法

[发明专利]基材接合设备、基材处理设备及其系统-CN202210585485.X在审
发明人：陈翰德;邓运桢;蔡承峯;许志成;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本揭露提供一种基材接合设备、基材处理设备及其系统。基材接合设备包含流体冷却模块与用于基材内的多个区域(例如二或更多个区域)侦测温度的感测器模块。根据本揭露，基材接合设备实现了基材中的温度稳定。基材接合设备更通过减少变形残留物、减少在基材的边缘上的气泡、与缩减在基材内的非接合面积，来改善接合制程效能。
基材接合设备处理及其系统

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN202210690763.8在审
发明人：陈弘耀;梁品筑;宋学昌;郑培仁;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置及制造半导体装置的方法，在一实施例中，一种方法包括：在基板上方的绝缘材料内形成第一鳍片及第二鳍片，第一鳍片及第二鳍片包括不同材料，绝缘材料插入第一鳍片与第二鳍片之间，第一鳍片具有第一宽度且第二鳍片具有第二宽度；在第一鳍片上方形成第一覆盖层；以及在第二鳍片上方形成第二覆盖层，第一覆盖层具有第一厚度，第二覆盖层具有与第一厚度不同的第二厚度。
半导体装置制造方法

[发明专利]形成半导体装置的方法-CN202210683784.7在审
发明人：陈佳政;吴濬宏;陈亮吟;张惠政;杨育佳;张钧彦;杨智凯;沈育佃;张雅惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：提供一种形成半导体装置的方法。在一些实施例中，方法包括形成靶层在半导体基板上方、形成富碳硬遮蔽层在靶层上方，通过蚀刻工艺图案化数个特征在富碳硬遮蔽层中、对被图案化在富碳硬遮蔽层中的这些特征执行定向离子束修整工艺、以及使用富碳硬遮蔽层作为遮罩来图案化靶层。
形成半导体装置方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210304748.5在审
发明人：郭建億;吕惟皓;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，形成半导体的方法包括在突出于基板的第一半导体鳍片中形成第一凹槽，且在突出于基板第一半导体鳍片的第二半导体鳍片中形成第二凹槽，并在第一凹槽及第二凹槽中形成源极/漏极区。形成源极/漏极区包括在第一凹槽中形成第一层的第一部分及在第二凹槽中形成第一层的第二部分，通过流动第一前驱物在第一层上形成第二层，及通过流动第二前驱物在第二层上形成第三层，第三层为单一连续材料。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210338580.X在审
发明人：周孟翰;萧宜瑄;刘书豪;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种方法包括形成源极/漏极区域，在源极/漏极区域上方形成电介质层，以及蚀刻电介质层以形成接触开口。源极/漏极区域暴露于接触开口。该方法还包括沉积延伸到接触开口中的电介质间隔件层，蚀刻电介质间隔件层以在接触开口中形成接触间隔件，在沉积电介质间隔件层之后通过接触开口向源极/漏极区域中注入掺杂剂，以及形成接触插塞以填充接触开口。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202210500767.5在审
发明人：陈文彦;黄才育;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法被提供。此方法包含:提供具有第一区域以及第二区域的基材；形成多个沟槽在基材的第一区域中；形成多层堆叠在基材上方并且在沟槽中；以及图案化多层堆叠以及基材以在第一区域中的多个第一鳍片上方形成多个第一纳米结构并且在第二区域中的多个第二鳍片上方形成多个第二纳米结构，其中多层堆叠包含第一半导体层的至少一者以及第二半导体层中的至少一者交替地堆叠，并且多个沟槽位于相应的第一鳍片的对应者中。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202210926119.6在审
发明人：林育樟;吴濬宏;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括在半导体基板上方沉积多层堆叠，多层堆叠包括与多个通道层交替的多个牺牲层；在多层堆叠中形成第一凹陷处；在第一凹陷处中的这些牺牲层的侧壁上形成多个第一间隔物；在第一凹陷处中沉积第一半导体材料，其中第一半导体材料是未掺杂的，其中第一半导体材料与第一间隔物中的至少一者的侧壁和底表面物理性接触。在第一半导体材料内布植掺质，其中在布植掺质之后，第一半导体材料具有梯度掺杂的分布；以及在第一半导体材料上方在第一凹陷处中形成外延的源极/漏极区域，其中外延的源极/漏极区域的材料不同于第一半导体材料。
半导体装置制造方法

[发明专利]调整源极/漏极区域的轮廓以减少泄漏-CN202210636369.6在审
发明人：郭紫微;杨咏竣;温政彦;舒丽丽;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开总体涉及调整源极/漏极区域的轮廓以减少泄漏。一种方法包括：形成包括多个牺牲层和多个纳米结构的突出半导体堆叠，其中多个牺牲层与多个纳米结构交替布置。该方法还包括在突出半导体堆叠上形成虚设栅极结构，蚀刻突出半导体堆叠以形成源极/漏极凹部，以及在源极/漏极凹部中形成源极/漏极区域。源极/漏极区域的形成包括生长第一外延层。第一外延层生长在多个纳米结构的侧壁上，并且第一外延层中的每一个的横截面具有四边形形状。第一外延层具有第一掺杂浓度。源极/漏极区域的形成还包括在第一外延层上生长第二外延层。第二外延层具有高于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
调整区域轮廓减少泄漏

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top