“杨依龙”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体腔室-CN202111402282.4有效
发明人： 杨依龙 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体腔室，半导体腔室包括腔体和设置在腔体中的第一遮挡件和可升降的基座组件，其中，第一遮挡件与腔体的内周壁固定连接，且沿腔体的内周壁的周向设置；基座组件包括基座本体、第二遮挡件和定位结构，基座本体与腔体同轴设置，用于承载晶圆；第二遮挡件沿基座本体的周向设置在基座本体上，基座本体位于上升至工艺位时，第二遮挡件与第一遮挡件部分重叠设置，且第二遮挡件的与第一遮挡件相互重叠的部分位于第一遮挡件背离基座本体的一侧；定位结构设置在基座本体与第二遮挡件之间，用于对基座本体与第二遮挡件的相对位置进行定位。本发明提供的半导体腔室能够避免遮挡晶圆，提高晶圆沉积薄膜的均匀性，从而改善芯片性能。
半导体

[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202310745558.1在审
发明人：王磊;李冰;李强;胡烁鹏;赵康宁;杨依龙 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽部件调整至托架上的预设位置处；在遮蔽部件处在托架上的预设位置处，且托架带动遮蔽部件运动至第二位置的情况下，遮蔽部件位于承载座的上方，且遮蔽部件的中心轴线与承载座的中心轴线之间的间隔距离小于或等于第一预设距离。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在对遮蔽部件进行位置校准时较易产生颗粒而污染承载座的问题。本申请还公开一种半导体工艺设备。
半导体工艺设备及其工艺

[发明专利]一种磁控溅射装置和托盘检测方法-CN201910062031.2有效
发明人：李新颖;武学伟;刘玉杰;董博宇;文莉辉;武树波;杨依龙;郭冰亮;宋玲彦;赵晨光;马迎功;杨建;张家昊;陈玉静;张璐 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种磁控溅射装置和托盘检测方法，该装置包括：腔室，所述腔室内设有用于承载托盘的基座；传感器，所述传感器能发射和/或接收沿直线路径传播的探测信号，且所述探测信号的路径平行于所述基座的承载表面，以检测所述基座上的托盘；以及控制部件，所述控制部件接收所述传感器的状态信号，根据所述状态信号判断所述基座上托盘的状态。通过上述方案，传感器的检测范围与托盘的厚度相匹配，能够对是否存在托盘和托盘是否破损进行识别；有效解决磁控溅射的腔室中托盘状态无法及时检测的问题。
一种磁控溅射装置托盘检测方法

[实用新型]半导体工艺设备-CN202320413860.2有效
发明人：吕鑫;罗建恒;杨依龙 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括腔室(100)、磁控管组件(200)和磁体组件(300)，所述磁控管组件(200)设于所述腔室(100)的顶部，所述磁体组件(300)环绕设置在所述腔室(100)之外，以使所述磁控管组件(200)与所述磁体组件(300)配合形成偏置磁场，所述磁体组件(300)与所述腔室(100)转动配合，以通过转动所述磁体组件(300)改变所述磁控管组件(200)与所述磁体组件(300)之间的偏置磁场。上述方案能解决相关技术的半导体工艺设备在调整靶材的过程中存在操作工作量较大的问题。
半导体工艺设备

[发明专利]冷却装置及其控制方法、半导体加工设备-CN201911251679.0有效
发明人：赵晨光;董博宇;郭冰亮;武学伟;马迎功;武树波;杨依龙;李新颖;李丽;宋玲彦;张璐;陈玉静;刘玉杰;张家昊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种冷却装置及其控制方法、半导体加工设备。冷却装置用于对托盘进行冷却，其包括腔室以及设置于腔室内的驱动单元、冷却单元及加热单元；所述驱动单元用于驱动所述托盘移动，以带动所述托盘选择性位于第一位置或第二位置；所述冷却单元用于对所述托盘进行冷却，当所述托盘位于第一位置时以第一速率对所述托盘降温，当所述托盘位于第二位置时以第二速率对所述托盘降温，且所述第二速率大于所述第一速率；所述加热单元用于选择性对所述托盘进行加热，以调整所述冷却单元对所述托盘冷却的速率。本申请实施例实现了稳定托盘的冷却速度，从而可以有效提高冷却效率，进而使得托盘的冷却不再成为影响产能的瓶颈。
冷却装置及其控制方法半导体加工设备

[实用新型]机械手-CN202223547151.8有效
发明人：许利利;杨依龙 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B25J15/00 文献下载
摘要：本申请提供一种机械手，用于托起晶圆，包括托手和多个支撑部；多个支撑部在托手的第一表面上沿预设圆周分布，用于支撑晶圆的边缘，支撑部远离托手的一端具有用于支撑晶圆支撑面，各个支撑部的支撑面与第一表面之间形成让位空间。在机械手托起翘曲的晶圆时，支撑部的支撑面贴合并支撑晶圆，翘曲的晶圆的最低点处于让位空间中，避免晶圆与托手接触，进而避免转运晶圆的过程中，机械手将晶圆划伤。
机械手

[发明专利]薄膜沉积方法和薄膜沉积设备-CN202211673888.6在审
发明人：张图;杨依龙 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积方法和薄膜沉积设备，该包括：向预清洁腔室中通入还原气体，以通过与晶圆的待沉积表面上的氧化层发生还原反应，来去除氧化层；在第一沉积腔室中采用第一磁控溅射方法在晶圆的待沉积表面上沉积能够与晶圆互溶的第一金属层；其中，通过控制第一磁控溅射方法采用的基座温度，来获得第一金属层与晶圆的互溶组织。本发明提供的薄膜沉积方法和薄膜沉积设备，可以减少晶圆表面损伤，改善金属与晶圆的互溶效果，获得较理想的互溶组织，从而可以降低芯片接触电阻，提高产品性能，同时还可以简化工艺步骤，提高产能。
薄膜沉积方法设备

[发明专利]承载装置及半导体加工设备-CN201911347255.4有效
发明人：张家昊;刘玉杰;李新颖;武学伟;董博宇;文莉辉;武树波;杨依龙;郭冰亮;宋玲彦;赵晨光;马迎功;杨建;陈玉静;张璐 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种承载装置及半导体加工设备。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座及多个支撑组件；多个支撑组件均设置于基座上，且多个支撑组件相互配合以支撑托盘；支撑组件包括检测部，用于检测支撑组件上受到的压力值。本申请实施例实现了通过支撑组件可以直接对托盘进行检测，可以使得承载装置实现了能够及时发现托盘异常情况，对于无盘、倾斜及碎盘现象均可以通过支撑组件进行检测，从而可以避免承载装置上的托盘发生异常情况。
承载装置半导体加工设备

[实用新型]伸缩台板机构、泵车走台板总成及泵车-CN202221670857.0有效
发明人： 杨依龙 -专利权人：中联重科股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： E04G21/04 文献下载
摘要：本实用新型属于工程机械技术领域，具体涉及一种伸缩台板机构、泵车走台板总成及泵车。该伸缩台板机构包括安装板组、伸缩台板以及伸缩杆件。安装板组包括平行间隔布置的第一安装板以及第二安装板，第一安装板以及第二安装板之间形成为支腿缺口。伸缩台板两侧分别线性移动地垂直连接于第一安装板以及第二安装板上。伸缩杆件位于伸缩台板的下方且一端与伸缩台板相连，另一端固定，伸缩杆件能够驱动伸缩台板往复线性移动以开合支腿缺口。在本实用新型中，伸缩台板机构能够根据泵车支腿的状态开合支腿缺口，保证支腿放置空间，降低安全风险。
伸缩板机走台总成

[发明专利]PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法及系统-CN201911174232.8有效
发明人：陈玉静;杨洋;董博宇;郭冰亮;武学伟;马迎功;赵晨光;武树波;杨依龙;李新颖;李丽;宋玲彦;张璐;刘玉杰;张家昊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法和系统，其中控制方法包括以下步骤：选择源腔室和目的腔室，并选择源腔室的托盘位置和目的腔室的托盘位置；选择工艺配方，工艺配方包括目标晶圆从源腔室传输至目的腔室将要执行的工艺参数；确认开始传盘后，生成并执行第一个子任务，同时监控第一个子任务的状态；当第一个子任务结束时，生成并执行第二个子任务，直至第N个子任务结束，N为自然数，完成目标晶圆从源腔室到目的腔室的回盘操作。本发明的有益效果在于，将在工艺腔室中加工的晶圆从工艺腔室传送到冷却腔室再到装卸载腔室的传输过程，只需一键操作，减轻了操作人员的工作任务，提高了任务的执行效率。
pvd 溅射设备晶圆按指定路径控制方法系统

[发明专利]应用于薄膜沉积装置的托盘-CN201911292324.6有效
发明人：马迎功;董博宇;郭冰亮;武学伟;武树波;赵晨光;翟洪涛;杨依龙;杨健;甄梓杨;宋玲彦;孙鲁阳;李新颖;刘玉杰;许文学;张璐;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
应用于薄膜沉积装置托盘

[发明专利]半导体设备及其承载装置-CN202110481501.6在审
发明人： 杨依龙;刘学滨 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体设备及其承载装置，其中，承载装置包括承载部、保护环和多个绝缘支撑件，承载部包括承载本体和围绕承载本体设置的外延部，外延部与承载本体相连，承载本体用于承载半导体待加工件，每个绝缘支撑件具有支撑面，保护环通过与多个支撑面的接触支撑于外延部上，且多个绝缘支撑件设于保护环与承载部之间，以使保护环与承载部之间形成第一间隙。本申请通过设置绝缘支撑件能够使保护环和承载部的连接可靠性更好，防止承载部和保护环受热膨胀挤压绝缘支撑件而导致绝缘支撑件损坏，进而使得应用承载装置的半导体设备的可靠性更好。
半导体设备及其承载装置

[实用新型]减振结构、丝杠升降机构及半导体加工设备-CN201922052849.4有效
发明人： 杨依龙;武学伟;董博宇;李新颖;武树波;郭冰亮;宋玲彦;杨建;赵晨光;马迎功;刘玉杰;张家昊;陈玉静;张璐;翟洪涛;甄梓杨;孙鲁阳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： F16H25/24 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种减振结构、丝杠升降机构及半导体加工设备。该减振结构设置于丝杠升降机构的丝杠螺母及升降套筒组件之间，用于对升降套筒组件减振。减振结构包括：第一连接件、第二连接件及减振组件；第一连接件及第二连接件平行且间隔设置，第一连接件与丝杠螺母连接，第二连接件与升降套筒连接；第一连接件及第二连接件左右两侧均设置有减振组件，并且减振组件的两端分别第一连接件及第二连接件的侧面连接，第二连接件能相对于第一连接件沿前后方向移动。本申请实施例可以有效提高丝杠升降组件的安全性及稳定性，进而有效提高了工艺的安全性，可以有效提高经济效益。
结构升降机构半导体加工设备

[发明专利]冷却腔室、ALN缓冲层生长工艺设备和冷却处理的方法-CN201910289447.8有效
发明人：郭冰亮;董博宇;武学伟;马迎功;赵晨光;武树波;杨依龙;李新颖;李丽;宋玲彦;张璐;陈玉静;刘玉杰;张家昊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种冷却腔室、ALN缓冲层生长工艺设备和采用冷却腔室进行冷却处理的方法，其中的冷却腔室包括：腔室本体、设置在腔室本体内的水冷盘、托盘和调节机构；托盘用于承载晶片，水冷盘用于对托盘进行降温；调节机构用于调节托盘与水冷盘之间的距离。本发明的冷却腔室、设备以及冷却处理方法，能够提高托盘和晶片冷却的温度均匀性，保证工艺结果的稳定性和一致性，可以将托盘在不破碎的情况下冷却至较低温度；可以再更少的时间内达到目标温度，提高设备的产能。
冷却 aln 缓冲生长工艺设备处理方法

[发明专利]薄膜制备方法-CN202010047837.7在审
发明人：杨健;郭冰亮;董博宇;宋玲彦;孙鲁阳;颜晓威;马迎功;赵晨光;武学伟;武树波;杨依龙;李新颖;张璐;刘玉杰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜制备方法，其包括：第一沉积步，向工艺腔室中通入工艺气体，并向靶材加载射频功率，以在衬底上沉积薄膜阻挡层，其中，第一沉积步包括至少两个阻挡层沉积时段，每一阻挡层沉积时段采用的射频功率均大于上一阻挡层沉积时段采用的射频功率；第二沉积步，继续向工艺腔室中通入所述工艺气体，并向靶材加载直流功率，以在薄膜阻挡层上沉积薄膜主体层，其中，第二沉积步包括至少两个主体层沉积时段，每一主体层沉积时段采用的直流功率均大于上一主体层沉积时段采用的直流功率。本发明提供的薄膜制备方法，其可以在减少对底部衬底材料或者阻挡层造成的损伤的基础上，提高产能。
薄膜制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 17 条