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[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN201811040526.7有效
发明人：金成吉;李相受;金智美;金泓奭;卢镇台;崔至薰;安宰永;李商勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，具有：多个栅极，竖直地堆叠在衬底的顶表面上；竖直沟道，填充竖直延伸穿过多个栅极的竖直孔；以及存储层，在竖直孔中并围绕竖直沟道。竖直沟道包括填充衬底顶部中的凹陷部的部分的支架形下部和沿竖直孔竖直延伸并连接到下沟道的上部。竖直沟道的下部和上部之间的界面的至少一端被设置在不高于衬底的顶表面的高度处。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置和包括其的数据存储系统-CN202310037750.5在审
发明人： 李相受;金亨俊;金恩晛;辛炯坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括第一半导体结构和第一半导体结构上的第二半导体结构。第二半导体结构包括具有第一区和第二区的衬底；栅电极，其在第一区上彼此间隔开、延伸不同长度、分别包括具有向上暴露的上表面的焊盘区；与栅电极交替地堆叠的层间绝缘层；穿透栅电极的沟道结构；穿透每个栅电极的焊盘区并延伸到第一半导体结构中的栅极接触插塞；以及在每个焊盘区下方与层间绝缘层交替并围绕栅极接触插塞的绝缘结构。绝缘结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，第二绝缘层围绕第一绝缘层的至少一部分并且包括与第一绝缘层的任何材料不同的材料。
半导体装置包括数据存储系统

[发明专利]包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备-CN202210942713.4在审
发明人：申建旭;卞卿溵;李相受;金昌炫;李昌锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供了一种包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备，该薄膜结构包括衬底、在衬底上并与衬底间隔开的金属层、以及在衬底和金属层之间的二维材料层。二维材料层可以被配置为限制和/或阻挡衬底和金属层之间的电子转移。二维材料层上的金属层的电阻率可以通过二维材料层降低。
包括二维材料薄膜结构电子器件电子设备

[发明专利]半导体器件、制造半导体器件的方法及包括半导体器件的电子系统-CN202211037446.2在审
发明人：姜相敏;金亨俊;李相受;张祐赈;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该方法可以包括：形成模制堆叠体，该模制堆叠体包括与多个牺牲层交替地布置的多个绝缘层；通过顺序地图案化模制堆叠体来形成初步焊盘部分；形成单元接触孔，该单元接触孔延伸穿过初步焊盘部分和牺牲层部分；通过横向扩展初步焊盘部分和牺牲层部分来形成第一延伸部分和多个第二延伸部分；在第一延伸部分中形成第一绝缘衬层和牺牲环图案；在第二延伸部分中形成氧化物衬层和绝缘环图案；在单元接触孔内形成牺牲插塞；以及用栅电极替换牺牲层，并且用焊盘部分替换初步焊盘部分、第一绝缘衬层和牺牲环图案。
半导体器件制造方法包括电子系统

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN202110372991.6在审
发明人： 李相受;金载镐;李宇城;南泌旭;池正根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：公开了一种三维半导体存储器装置，包括：含碳层，其位于基板上；多个电极层间电介质层和多个电极层，所述多个电极层间电介质层和所述多个电极层交替地堆叠在所述含碳层上；单元垂直图案，其贯穿电极层间电介质层和电极层中的至少一些；以及半导体图案，其位于单元垂直图案和含碳层之间。基板包括多个第一晶粒。半导体图案包括多个第二晶粒。第二晶粒的平均尺寸小于第一晶粒的平均尺寸。
三维半导体存储器装置

[发明专利]液晶显示装置-CN201611209002.7有效
发明人： 李相受 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：披露了一种液晶显示装置，可包括：液晶显示面板；背光单元，所述背光单元包括具有光入射部的导光板、设置在所述导光板的光入射部中的光源、以及设置在所述导光板上的光学片部分；面板支撑部件，所述面板支撑部件用于支撑所述液晶显示面板的后边缘部分并且在所述导光板与设置在所述光入射部上的光学片部分的一个边缘部分之间制备有气隙；和后盖，所述后盖用于容置所述背光单元并且支撑所述面板支撑部件。本发明可防止具有较小边框宽度的光入射部中的前方亮度的缺陷，并且可提高机械可靠性。
液晶显示装置

[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN201811493187.8在审
发明人：崔至薰;金东谦;金成吉;金智美;李相受;洪慧垠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件，包括：电极结构，其包括垂直堆叠在半导体层上的电极；垂直半导体图案，其穿透电极结构并连接到半导体层；以及垂直绝缘图案，其在电极结构与垂直半导体图案之间。垂直绝缘图案包括在电极结构的侧壁上的侧壁部分以及沿着半导体层的顶表面的一部分从侧壁部分延伸的突起。垂直半导体图案包括：垂直沟道部分，其具有第一厚度并沿着垂直绝缘图案的侧壁部分延伸；以及接触部分，其从垂直沟道部分延伸并沿着垂直绝缘图案的突起和半导体层的顶表面共形地延伸。接触部分具有大于第一厚度的第二厚度。
半导体层绝缘图案侧壁垂直半导体图案电极结构垂直三维半导体存储器延伸垂直沟道顶表面突起穿透电极垂直堆叠电极共形制造

[发明专利]三维半导体器件及其制造方法-CN201810736733.X在审
发明人：南泌旭;安宰永;李相受 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：在基板上的下层结构，下层结构在基板的第一区域和第二区域上具有不同的厚度，该下层结构包括在顶部的电极层和在其下面的绝缘层；蚀刻停止层，在下层结构上；上层结构，在蚀刻停止层上，该蚀刻停止层对于上层结构和下层结构具有蚀刻选择性；第一接触插塞和第二接触插塞，分别填充限定在第一区域和第二区域上的上层结构和蚀刻停止层中的第一开口和第二开口并分别接触下层结构的对应的电极层，使得第一接触插塞和第二接触插塞中的一个与第一接触插塞和第二接触插塞的另一个相比相对于蚀刻停止层的底部向下延伸得更远。
接触插塞下层结构蚀刻停止层上层结构三维半导体器件第二区域第一区域电极层基板绝缘层开口半导体器件蚀刻选择性向下延伸填充制造

[发明专利]用于液晶显示装置的背光单元-CN201310757093.8有效
发明人：柳载熙;李相受;河成海 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于液晶显示装置的背光单元。该背光单元包括：底盖，其包括水平面和与所述水平面相垂直的多个侧面；设置在所述底盖的所述多个侧面的内表面处的多个引导件，每一个引导件都包括第一部分、第二部分和第三部分，其中，所述第二部分从所述第一部分伸出，并且所述第三部分从所述第二部分伸出并且具有弹性；设置在所述第一部分上的反射片；设置在所述反射片上方且在所述第二部分上的导光板；设置在所述导光板的第一侧面处的LED组件；以及设置在所述导光板上方的光学片。
用于液晶显示装置背光单元

[发明专利]制造平面显示面板的设备和方法-CN200710006197.X无效
发明人：金封香;李相受;辛承容;郑文泰;金智铉;洪淳国 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：公开了制造一种平面显示面板的设备和方法。在前面板和后面板上形成维持电极和提供电流以放电的寻址电极时，残留在形成于电极辊表面并具有与电极相同形状的电极形成槽中的电极材料被转移至基板。电极辊将电极材料转移至基板，同时与基板形成紧密接触并在基板上转动。在电极辊将电极材料转移至基板前，用清洁器将粘附于电极辊表面的电极材料去除。
制造平面显示面板设备方法

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