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[发明专利]光栅离焦造成的光栅剪切干涉系统误差补偿方法-CN202310038995.X在审
发明人：刘洋;李思坤 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：一种光栅离焦造成的光栅剪切干涉系统误差补偿方法，通过将像面光栅离焦后测得的拟合波前的Z4、Z9项Zernike多项式的系数替换为像面光栅位于焦平面时的相应系数，再次重新拟合波前实现系统误差的算法补偿，同时该方法计算出像面光栅的实际离焦距离，可以实现像面光栅调整至成像焦平面的机械补偿。该方法能够消除像面光栅离焦引入的成像系统失焦误差，提高光栅剪切干涉技术检测光学系统的精确度。
光栅造成剪切干涉系统误差补偿方法

[发明专利]极紫外光刻掩模多层膜缺陷形貌重建方法-CN202211525221.1在审
发明人：郑杭;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种极紫外光刻空白掩模多层膜缺陷形貌重建方法。本发明采用多个照明方向的空白掩模多层膜缺陷空间像来表征图像缺失的相位信息，通过训练的卷积神经网络模型构建出多层膜缺陷空间像与多层膜缺陷的形貌参数的关系。所述方法首先仿真不同照明方向多层膜缺陷的空间像集合构建训练集数据，再将训练集数据输入卷积神经网络模型进行训练。实测的掩模多层膜缺陷空间像集合输入训练完成的模型获得缺陷形貌参数。本发明基于多个照明方向的多层膜缺陷空间像直接构建与缺陷形貌参数之间的关系，具有过程快速、泛化性强、重构准确度高的特点。
紫外光刻多层缺陷形貌重建方法

[发明专利]基于空间像主成分分析的极紫外光刻投影物镜波像差检测方法-CN202210818753.8在审
发明人：雷威;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：基于空间像主成分分析的极紫外(EUV)光刻投影物镜波像差检测方法。本发明采用0°和90°两个方向的孤立空作为检测标记，通过主成分拟合得到实测空间像的主成分系数和波像差。所述方法首先是对仿真空间像集合进行主成分分析和线性回归得到主成分和回归矩阵，再将实测空间像与主成分拟合得到其对应的主成分系数。根据回归矩阵和主成分系数，采用最小二乘法拟合求解波像差。本发明首次将基于空间像主成分分析的光刻投影物镜波像差检测方法(AMAI‑PCA)拓展至EUV光刻，对掩模标记进行优化，减小三维掩模效应对像差检测的影响，具有过程快速、像差检测精度高的特点。
基于空间成分分析紫外光刻投影物镜波像差检测方法

[发明专利]一种基于分代求解的导向自组装芯片通孔设计分组与拆分方法-CN202210386825.6在审
发明人：张涛;李思坤;周恒宇;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：一种基于分代求解的导向自组装芯片通孔设计分组与拆分方法，通过应用分代求解和图论算法，针对未进行处理的芯片通孔设计进行处理，将设计中的通孔进行分组拆分；形成一种可平衡染色数与分组数的快速处理方法。本发明可以形成一种可平衡染色数与分组数的快速处理方法，能够在短时间内对大规模版图进行分组与拆分。
一种基于求解导向组装芯片设计分组拆分方法

[发明专利]基于快速协方差矩阵自适应进化策略的曲线型逆向光刻方法-CN202110761169.9有效
发明人：陈国栋;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：基于快速协方差矩阵自适应进化策略(Fast Covariance Matrix Adaptation EvolutionStrategy,Fast CMA‑ES)的曲线型逆向光刻(Inverse Lithography,IL)方法。所述方法采用像素表征掩模图形，每个像素代表该位置的掩模透过率。以不同曝光剂量偏差和离焦量条件下光刻胶图形与目标图形之间的图形误差的加权叠加作为评价函数，采用快速协方差矩阵自适应进化策略优化掩模图形。本方法将表征解空间分布的协方差矩阵近似为仅由两个演化路径构成的简单模型的集合，借助协方差矩阵的低秩近似来学习主要的解搜索方向和变量相关性，自适应地调整搜索步长，提高了收敛效率及寻优能力，有效提高了光刻成像质量及工艺鲁棒性。
基于快速协方差矩阵自适应进化策略曲线逆向光刻方法

[发明专利]一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法-CN202010412950.0有效
发明人：廖陆峰;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G06T7/11 文献下载
摘要：一种用于全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选的掩模图形频谱包络分割方法。所述方法通过寻找频谱强度值矩阵的8邻域极大值点作为包络顶点，针对每个极大值点采用设计的包络生长法寻找属于当前包络的点以及包络的边界点。本发明设计的包络生长法通过搜寻当前包络点的4邻域来找到属于当前包络的新的点以及包络的边界点，从而实现包络的生长。本发明可以准确地对频谱包络进行分割，更准确地提取图形频谱的包络信息，使得最终的关键图形筛选结果准确。
一种用于芯片光源联合优化关键图形筛选频谱包络分割方法

[发明专利]基于协方差矩阵自适应演化策略的光刻机匹配方法-CN202011457382.2有效
发明人： 李思坤;陈俞光;唐明;王向朝;陈国栋;胡少博 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于协方差矩阵自适应演化策略的光刻机匹配方法。本方法以空间像关键尺寸作为描述光刻机成像性能的参数，通过协方差矩阵自适应演化策略优化像素化描述的光刻机的照明光源，实现光刻间高精度匹配。本发明充分利用了协方差矩阵自适应演化策略在中等规模程度的复杂优化问题上的优势，改进了自由照明系统光刻机的匹配方法，提高了现有方法的匹配精度与效率。适用于具有自由照明系统的浸没式光刻机之间的匹配。
基于协方差矩阵自适应演化策略光刻匹配方法

[发明专利]基于BFGS拟牛顿-内点算法的光刻机匹配方法-CN202110443832.0有效
发明人：陈俞光;李思坤;唐明;胡少博;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于BFGS拟牛顿‑内点算法的光刻机匹配方法。本方法以空间像关键尺寸作为描述光刻机成像性能的参数，通过BFGS拟牛顿‑内点算法优化参数化描述的光刻机照明光源以及投影物镜数值孔径，实现光刻机高效率匹配。本发明利用障碍函数为优化问题添加约束，有效地利用了迭代信息，改进了非自由照明系统光刻机的匹配方法，提高了现有方法的匹配精度和效率。适用于具有非自由照明系统的浸没式光刻机之间的匹配。
基于 bfgs 牛顿算法光刻匹配方法

[发明专利]基于预训练深度卷积神经网络的迁移学习光刻坏点检测方法-CN202210054709.4在审
发明人：廖陆峰;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：一种基于预训练深度卷积神经网络的迁移学习光刻坏点检测方法。本发明采用预训练的VGG卷积神经网络作为模型，将下采样的版图图形数据作为模型输入，采用交叉熵损失作为模型训练的损失函数，从而训练得到适用于光刻坏点检测的模型。本发明可以有效提升检测坏点检测结果的查准率和F1分数，在查全率、查准率和F1分数获得良好的综合表现。
基于训练深度卷积神经网络迁移学习光刻检测方法

[发明专利]极紫外光刻掩模衍射谱的快速仿真方法-CN202111392142.3在审
发明人：胡少博;李思坤;唐明;王向朝;张子南 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种极紫外光刻掩模衍射谱快速仿真方法，将掩模整体看作一个多层膜结构，划分为有吸收层覆盖区域和无吸收层覆盖区域。在斜入射情况下，基于等效膜层法计算两种区域膜层复反射系数，采用基尔霍夫近似计算掩模衍射谱。本发明方法可以快速仿真极紫外光刻掩模衍射谱，提高了斜入射情况下衍射谱的仿真精度。
紫外光刻衍射快速仿真方法

[发明专利]基于深度优先搜索的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法-CN202110995719.3在审
发明人：杨欣华;李思坤;廖陆峰;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种基于深度优先搜索的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法。所述方法利用主要频率的边界和增长因子表征掩模图形的主要频率特征，并基于频率覆盖规则实现主要频率的聚类，以获得所有关键图形组合为原则设计了关键图形筛选方法，实现了全芯片光源掩模优化关键图形筛选。本发明通过深度优先搜索算法获得所有能够覆盖全部主频率分组的关键图形组合，利用本发明的筛选结果进行全芯片光源掩模优化获得的工艺窗口更大。
基于深度优先搜索芯片光源优化关键图形筛选方法

[发明专利]基于双采样率像素化掩模图形快速光学邻近效应修正方法-CN202010770073.4有效
发明人：陈国栋;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种基于双采样率像素化掩模图形的快速光学邻近效应修正方法，以低采样率掩模图形的透过率矩阵作为目标图形，以高采样率掩模图形的透过率矩阵作为待修正图形。从待修正图形的频谱中提取出低频部分作为低采样率掩模图形的频谱，利用光刻成像模型计算出光刻胶图形。根据光刻胶图形与目标图形计算成像异常。根据成像异常类型，自适应地选择待修正区域，通过对高采样率掩模图形的透过率矩阵进行局部调整，实现掩模图形的修正，使光刻胶图形轮廓逐渐逼近目标图形轮廓。本发明采用两种采样率对掩模图形进行采样，兼顾了掩模修正精度和修正效率；同时，自适应地选择修正区域，进一步提高了掩模修正效率。
基于采样率像素化掩模图形快速光学邻近效应修正方法

[发明专利]基于亚分辨率辅助图形种子插入的曲线型逆向光刻方法-CN202110799532.6在审
发明人：陈国栋;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：基于亚分辨率辅助图形种子插入的曲线型逆向光刻方法。所述方法采用像素表征掩模图形，掩模图形中每个像素代表该位置的透过率。在目标图形的背景区域中，围绕主图形等间距地插入亚分辨率辅助图形种子，根据目标图形的特征尺寸设定亚分辨率辅助图形种子的宽度和相对于主图形的最小偏移量。将背景区域中插入亚分辨率辅助图形种子的目标图形作为初始掩模图形，以不同曝光剂量偏差和离焦量条件下光刻胶图形与目标图形之间的图形误差的加权和作为评价函数，借助优化算法实现掩模优化。直接根据目标图形插入亚分辨率辅助图形种子操作简单，不受光刻工艺条件和光刻成像模型的约束，提高了逆向光刻的收敛效率和掩模优化性能。
基于分辨率辅助图形种子插入曲线逆向光刻方法

[发明专利]基于调制区块叠加合成掩模图形的曲线型逆向光刻方法-CN202110778400.5在审
发明人：陈国栋;李思坤;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：基于调制区块叠加合成掩模图形的曲线型逆向光刻方法，采用两级划分实现掩模图形的像素化，一级划分将掩模图形离散化成粗网格，二级划分将粗网格离散化成更小的细网格。在每个粗网格中心点处施加平滑程度相同的高斯调制，调制区域为各个粗网格中心点的八邻域粗网格中心点围成的方形区块。利用一个调制矩阵控制所有高斯核的强度分布，进而控制各个调制区块内的细网格透过率，将所有调制区块叠加即可合成完整的掩模图形。以不同曝光剂量偏差和离焦量条件下光刻胶图形与目标图形之间的图形误差的加权和作为评价函数，通过优化调制矩阵间接实现掩模优化。本发明采用区块级的掩模修正，减少了优化变量维数，有效提高了掩模优化效率。
基于调制区块叠加合成图形曲线逆向光刻方法

[发明专利]用于全芯片光源掩模优化的关键图形筛选方法-CN202010511974.1有效
发明人： 李思坤;廖陆峰;王向朝 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：一种用于全芯片光源掩模优化的关键图形筛选方法，以主要频率的轮廓和距离阈值为准则设计了主要频率之间的覆盖规则，以关键图形数量最小为原则设计了关键图形筛选方法，实现了全芯片光源掩模优化关键图形筛选。本发明筛选出的关键图形数量更少，且利用本发明的筛选结果进行全芯片光源掩模优化获得的工艺窗口更大。
用于芯片光源优化关键图形筛选方法

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