“李同规”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储器装置-CN202310008233.5在审
发明人： 李同规;金侑瞋;延国贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：第一衬底，其限定单元阵列区；模制结构，其包括按次序间隔开并且按照台阶形式堆叠在第一衬底上的多个栅电极；以及沟道孔，其限定为在垂直于第一衬底的上表面的竖直方向上穿过单元阵列区上的多个栅电极。所述装置包括沿着沟道孔的侧壁和底表面的信息储存层，信息储存层包括沿着沟道孔的侧壁和底表面的阻挡绝缘层、阻挡绝缘层上的电荷储存层和隧穿绝缘层。所述装置包括沟道孔内的信息储存层上的沟道层以及布置为填充沟道层上的沟道孔的绝缘图案。
半导体存储器装置

[发明专利]磁存储器件-CN202011037720.7在审
发明人：皮雄焕;李同规 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种磁存储器件包括：在第一方向上延伸的导电线；在导电线上在与第一方向交叉的第二方向上延伸的磁性线，磁性线与导电线交叉；以及设置在导电线和磁性线之间的磁性图案。磁性图案具有在第一方向上彼此相反的第一侧壁和在第二方向上彼此相反的第二侧壁。磁性图案的第二侧壁分别与导电线的彼此相反的侧壁对准。
磁存储器

[发明专利]磁存储器件-CN202010633174.7在审
发明人：皮雄焕;李同规 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：公开了一种磁存储器件，该磁存储器件包括：在第一方向上延伸并且具有被固定在一个方向上的磁化方向的第一磁性图案；以及跨过第一磁性图案延伸的多个第二磁性图案。第二磁性图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开。每个第二磁性图案包括在第二方向上彼此间隔开的多个磁畴。
磁存储器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510658801.1有效
发明人：郑恩爱;崔正达;中西俊郎;金有彬;南甲镇;李同规;焦广泛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基板，该基板具有逻辑器件区域和邻近逻辑器件区域的输入/输出(I/O)器件区域，该逻辑器件区域上包括逻辑器件，该I/O器件区域上包括I/O器件。在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]磁存储器件-CN201910932168.9在审
发明人： 李同规 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：磁存储器件可以包括：在基板上的磁隧道结图案；导线，在所述基板与所述磁隧道结图案之间延伸，并与所述磁隧道结图案的底表面接触；以及底部图案，位于所述导线与所述基板之间并与所述导线的底表面接触。导线的材料可以具有第一晶格常数，并且底部图案的材料可以具有小于导线的第一晶格常数的第二晶格常数。备选地或另外地，底部图案包括金属氮化物，并且底部图案的氮含量高于底部图案的金属元素含量。
磁存储器

[发明专利]包括应力诱导层的半导体器件及其形成方法-CN201910159324.2在审
发明人： 李同规;金英铉;朴正桓;李正敏;洪京一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一电极；在第一电极上的磁隧道结(MTJ)；在MTJ上的覆盖层；在覆盖层上的应力诱导层；以及在应力诱导层上的第二电极。应力诱导层可以具有张应力。
应力诱导层第一电极覆盖层半导体器件磁隧道结第二电极张应力衬底

[发明专利]磁存储器件及其制造方法-CN201811405048.5在审
发明人：金相局;权五益;李同规;洪京一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本公开提供了磁存储器件及其制造方法。一种制造磁存储器件的方法可以包括：在基板上形成磁隧道结层；在磁隧道结层上顺序地形成掩模图案和顶电极图案；采用掩模图案和顶电极图案作为第一蚀刻掩模图案化磁隧道结层以形成磁隧道结图案；在掩模图案的侧表面、顶电极图案的侧表面和磁隧道结图案的侧表面上形成保护层，该保护层延伸以覆盖掩模图案的第一顶表面；去除保护层的在掩模图案的第一顶表面上的部分以暴露掩模图案的第一顶表面；以及去除掩模图案以暴露顶电极图案的第二顶表面。
掩模图案图案顶表面顶电极磁存储器件保护层侧表面磁隧道结层磁隧道结去除制造蚀刻掩模图案覆盖掩模隧道结层暴露化磁基板延伸

[发明专利]制造可变电阻存储器件的方法-CN201811323498.X在审
发明人：李正敏;金柱显;朴正桓;吴世忠;李同规;洪京一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：在一种制造可变电阻存储器件的方法中，在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该MTJ结构层以形成MTJ结构。通过传送室将其上具有该MTJ结构的衬底传送到沉积室。在所述沉积室中形成覆盖该MTJ结构的侧壁的保护层。所述蚀刻室、传送室和沉积室保持在等于或大于约10^‑8托的高真空状态。
沉积室可变电阻存储器件传送室蚀刻室衬底蚀刻高真空状态磁隧道结保护层结构层侧壁制造覆盖

[发明专利]可变电阻存储器件-CN201811066768.3在审
发明人：朴正桓;金柱显;吴世忠;李同规;李正敏;洪京一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器件包括：在衬底上的金属互连层；层间绝缘层，其在金属互连层上并限定用于暴露金属互连层的一部分的接触孔；阻挡金属层，其包括在接触孔内的多个子阻挡金属层；插塞金属层，其在阻挡金属层上并掩埋接触孔；以及可变电阻结构，其在阻挡金属层和插塞金属层上。
阻挡金属层金属互连层接触孔可变电阻存储器件插塞金属可变电阻结构层间绝缘层衬底掩埋暴露

1
共 9 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top