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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁性存储器件-CN202211550191.X在审
发明人：李俊明;朴正桓;朴正宪;洪京一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：一种磁性存储器件包括：顺序堆叠在基板上的第一磁性图案和第二磁性图案；在第一磁性图案和第二磁性图案之间的隧道势垒图案；在基板和第一磁性图案之间的下电极；在下电极和第一磁性图案之间的阻挡图案；在阻挡图案和第一磁性图案之间的金属氧化物图案；以及在金属氧化物图案和第一磁性图案之间的缓冲图案。下电极、阻挡图案、金属氧化物图案和缓冲图案分别包括第一非磁性金属、第二非磁性金属、第三非磁性金属和第四非磁性金属。金属氧化物图案具有非晶相。
磁性存储器件

[发明专利]制造MRAM器件的方法及制造半导体芯片的方法-CN201810515747.9有效
发明人：金大植;朴正宪;高宽协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：在制造MRAM器件的方法中，第一下电极和第二下电极可以分别在衬底的第一区域和第二区域上形成。具有彼此不同的开关电流密度的第一MTJ结构和第二MTJ结构可以分别在第一下电极和第二下电极上形成。第一上电极和第二上电极可以分别在第一MTJ结构和第二MTJ结构上形成。
制造 mram 器件方法半导体芯片

[发明专利]磁性隧道结器件以及包括其的随机计算系统-CN202211141697.5在审
发明人：李成喆;金洸奭;朴正宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本公开提供了磁性隧道结器件以及包括其的随机计算系统。一种磁性隧道结器件包括被钉扎磁性层、自由磁性层以及在被钉扎磁性层和自由磁性层之间的隧道势垒层。自由磁性层包括第一自由层、与隧道势垒层间隔开而使第一自由层在其间的第二自由层、以及在第一自由层和第二自由层之间的间隔物层。第一自由层和第二自由层通过间隔物层而彼此反铁磁耦合，第一自由层和第二自由层中的每个具有基本上垂直于在自由磁性层和隧道势垒层之间的界面的磁化方向。自由磁性层的热稳定性在0至15的范围内。
磁性隧道器件以及包括随机计算系统

[发明专利]用于制造半导体器件的工艺控制方法和工艺控制系统-CN201811188675.8有效
发明人： 朴正宪;朴容星;李俊明;赵显;吴世忠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。
用于制造半导体器件工艺控制方法控制系统

[发明专利]磁性装置-CN202211048369.0在审
发明人：朴相奂;金英铉;金哉勋;朴正宪;吴世忠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：一种磁性装置包括种子图案、种子图案上的参考磁性结构、参考磁性结构上的自由磁性图案以及参考磁性结构与自由磁性图案之间的隧道势垒。参考磁性结构包括：合成反铁磁(SAF)结构，其包括与所述种子图案的上表面接触的第一固定图案、与所述第一固定图案的上表面接触的反铁磁耦合图案以及与所述反铁磁耦合图案的上表面接触的第二固定图案；非磁性图案，其与所述第二固定图案的上表面接触；以及极化增强磁性图案，其与所述非磁性图案的上表面接触。
磁性装置

[发明专利]磁性存储器件-CN202210693231.X在审
发明人：朴炳国;朴正宪;李炅珍;柳淀春 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：一种磁性存储器件包括：导电线，所述导电线在第一方向上延伸；磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构位于所述导电线的第一表面上，所述磁性隧道结结构包括至少两个磁性图案和位于所述至少两个磁性图案之间的阻挡图案；以及磁性层，所述磁性层位于所述导电线的与所述第一表面相对的第二表面上。所述磁性层包括在与所述第二表面平行并与所述第一方向相交的方向上的磁化分量。
磁性存储器件

[发明专利]磁性存储器件-CN202210577683.1在审
发明人：金晥均;朴正宪;申喜珠;赵泳俊;李俊明;郑峻昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：公开了一种磁性存储器件，其包括依次堆叠在衬底上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的顶电极、以及在自由磁性图案和顶电极之间的盖图案。盖图案包括下盖图案、在下盖图案和顶电极之间的上盖图案、在下盖图案和上盖图案之间的第一非磁性图案、以及在第一非磁性图案和上盖图案之间的第二非磁性图案。下盖图案和上盖图案中的每个包括非磁性金属。第一非磁性图案和第二非磁性图案包括彼此不同的金属。
磁性存储器件

[发明专利]磁存储器装置-CN202210324734.X在审
发明人：金晥均;李俊明;郑峻昊;卢恩仙;朴正宪;赵泳俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁存储器装置包括：衬底；顺序地堆叠在衬底上的第一磁图案和第二磁图案；第一磁图案与第二磁图案之间的隧道势垒图案；衬底与第一磁图案之间的底部电极；底部电极与第一磁图案之间的种子图案；以及底部电极与种子图案之间的至少一个扩散势垒图案，其中：至少一个扩散势垒图案的底表面接触底部电极的顶表面，并且至少一个扩散势垒图案的顶表面接触种子图案的底表面，至少一个扩散势垒图案包括非磁金属、或者非磁金属和非金属元素的合金，并且非磁金属包括Ta、W、Nb、Ti、Cr、Zr、Hf、Mo、Al、Mg或V。
磁存储器装置

[发明专利]离子束沉积装置以及具有其的沉积系统-CN202011020907.6在审
发明人： 朴正宪;金晥均;金硕埙;郑峻昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本公开提供了离子束沉积装置以及具有其的沉积系统。一种离子束沉积装置包括：用于固定基板的基板组件；相对于基板组件倾斜的靶组件，该靶组件包括具有沉积材料的靶；离子枪，用于将离子束喷射到靶上，使得沉积材料的离子朝向基板组件释放以在基板上形成薄层；以及基板加热器，用于将基板加热到高于室温的沉积温度。
离子束沉积装置以及具有系统

[发明专利]溅射装置以及制造磁存储器件的方法-CN202010861459.6在审
发明人：李俊明;金晥均;卢恩仙;朴正宪;郑峻昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：可以提供一种溅射装置以及制造磁存储器件的方法，该溅射装置包括：腔室；气体供应源，配置为向腔室供应第一惰性气体和第二惰性气体，第一惰性气体和第二惰性气体分别具有第一蒸发点和第二蒸发点，其中第一蒸发点高于第二蒸发点；多个溅射枪，在腔室的上部中；卡盘，在腔室的下部中并面对所述多个溅射枪，卡盘配置为在其上容纳衬底；以及冷却单元，连接到卡盘的下部，该冷却单元配置为将卡盘冷却至低于第一蒸发点且高于第二蒸发点的温度。
溅射装置以及制造磁存储器方法

[发明专利]磁存储器件-CN201910960905.6在审
发明人：李俊明;金晥均;朴正宪;林佑昶;郑峻昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：公开了一种磁存储器件，其包括：线图案，所述线图案位于衬底上；磁隧道结图案，所述磁隧道结图案位于所述线图案上；以及上导电线，所述上导电线跨越所述磁隧道结图案与所述线图案间隔开，并且连接到所述磁隧道结图案。所述线图案为所述磁隧道结图案提供自旋轨道矩。所述线图案包括拓扑绝缘体。
磁存储器

[发明专利]包括自旋轨道转矩线的半导体器件-CN201910733076.8在审
发明人： 朴正宪;金晥均;李俊明;郑峻昊;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。
包括自旋轨道转矩半导体器件

[发明专利]磁性存储器装置、其制造方法以及衬底处理设备-CN201910871580.4在审
发明人：李俊明;朴镕盛;朴正宪;赵显;皮雄焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁性存储器装置、用于制造磁性存储器装置的方法以及衬底处理设备，所述装置包括：包括第一存储器区域和第二存储器区域的衬底；位于第一存储器区域上的第一磁性隧穿结图案，所述第一磁性隧穿结图案包括第一自由图案和位于第一自由图案上的第一氧化物图案；以及位于第二存储器区域上的第二磁性隧穿结图案，所述第二磁性隧穿结图案包括第二自由图案和位于第二自由图案上的第二氧化物图案，其中，第一氧化物图案的厚度与第一自由图案的厚度之比不同于第二氧化物图案的厚度与第二自由图案的厚度之比。
磁性存储器装置制造方法以及衬底处理设备

[发明专利]磁阻随机存取存储器件及其制造方法-CN201811213731.9在审
发明人：朴容星;金佑塡;朴正宪;吴世忠;李俊明;赵显 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。
磁性层隧道势垒层隧道势垒第一电极上表面基板磁阻随机存取存储器电阻率分布第二电极堆叠制造平行

[发明专利]磁存储器件及其形成方法-CN201310389452.9在审
发明人：林佑昶;金相溶;金晥均;朴相奂;朴正宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。
磁存储器及其形成方法

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