“朴台镇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果21个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制造包括二维材料的装置的方法-CN201811008516.5有效
发明人： 朴台镇;金奉秀;金真范;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种制造包括二维(2D)材料的装置的方法，所述方法包括：在基底上形成过渡金属氧化物图案；以及在过渡金属氧化物图案的剩余部分的顶表面和侧表面上形成过渡金属二硫化物层。形成过渡金属二硫化物层的步骤可以包括使用过渡金属二硫化物层替换过渡金属氧化物图案的表面部分。过渡金属二硫化物层包括至少一个原子层，所述至少一个原子层基本平行于过渡金属氧化物图案的剩余部分的表面。
制造包括二维材料装置方法

[发明专利]图案形成方法、集成电路器件和集成电路器件制造方法-CN202010258067.0有效
发明人：李东俊;金根楠;金大铉;朴台镇;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成图案的方法、制造集成电路器件的方法以及该集成电路器件。该形成图案的方法包括：在第一区域和第二区域中在目标层上形成包括多个硬掩模层的硬掩模结构；在第一区域中形成第一光致抗蚀剂图案并在第二区域中形成第二光致抗蚀剂图案；通过将第一和第二光致抗蚀剂图案的形状转印到作为所述多个硬掩模层之一的可逆硬掩模层，形成包括多个开口的可逆硬掩模图案；通过用间隙填充硬掩模图案材料填充形成所述多个开口中的形成在第一区域中的开口，形成间隙填充硬掩模图案；以及通过在第一区域中将间隙填充硬掩模图案的形状转印到目标层并在第二区域中将可逆硬掩模图案的形状转印到目标层，由目标层形成特征图案。
图案形成方法集成电路器件制造

[发明专利]半导体器件以及制造该半导体器件的方法-CN202210920829.8在审
发明人： 朴台镇;高洁;金俊秀;尹炅炫;车宜俊;金熙中;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：基板，包括依次堆叠的下半导体膜、掩埋绝缘膜和上半导体膜；元件隔离膜，在基板内部限定有源区并包括相对于硅氧化物具有蚀刻选择性的材料；在上半导体膜内部的第一栅极沟槽；第一栅电极，填充第一栅极沟槽的一部分；在元件隔离膜内部的第二栅极沟槽；以及第二栅电极，填充第二栅极沟槽的一部分，其中元件隔离膜的底侧在下半导体膜内部。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体存储器件和形成半导体存储器件的方法-CN201710310121.X有效
发明人：金大益;金奉秀;朴济民;朴台镇;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了半导体器件。一种半导体器件包括衬底。该半导体器件包括在衬底上的堆叠结构。堆叠结构包括第一绝缘材料和在第一绝缘材料上的第二绝缘材料。该半导体器件包括从堆叠结构的第一绝缘材料的侧壁延伸到堆叠结构的第二绝缘材料的侧壁的一部分上的间隔物。此外，该半导体器件包括在间隔物上的导电线。还提供了形成半导体器件的方法。
半导体存储器件形成方法

[发明专利]半导体存储器件-CN202210505849.9在审
发明人： 朴台镇;李基硕;金熙中;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，包括：衬底，该衬底包括有源图案，该有源图案包括第一源/漏区和第二源/漏区；绝缘层，在衬底上；线路结构，在绝缘层上并沿第一方向延伸以与有源图案交叉，线路结构穿透绝缘层且在第一源/漏区上，并且包括与第一源/漏区电连接的位线；以及触点，与线路结构间隔开，并且电连接到第二源/漏区，其中，位线包括：与第一源/漏区竖直重叠的第一部分；以及与绝缘层竖直重叠的第二部分，以及其中，位线的第一部分的顶表面的最低水平在低于位线的第二部分的顶表面的最低水平的水平处。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器装置-CN202210378473.X在审
发明人： 朴台镇;金熙中;李相昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：有源区，包括第一杂质区和第二杂质区；字线，位于有源区上并且沿着第一方向延伸；位线，位于字线上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸，位线连接到第一杂质区；第一接触插塞，位于位线之间，第一接触插塞连接到第二杂质区；接合垫，分别位于第一接触插塞上；以及间隙填充结构，填充接合垫之间的空间，间隙填充结构的顶表面高于接合垫的顶表面。
半导体存储器装置

[发明专利]栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置-CN202210634372.4在审
发明人： 朴台镇;李将银;金熙中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。所述栅极结构可以包括：第一栅电极，在第一方向上延伸；第二栅电极，在第一栅电极的一部分上；栅极掩模，在第一栅电极和第二栅电极上；以及栅极绝缘图案，在第一栅电极的下表面和侧壁以及第二栅电极和栅极掩模的侧壁上。栅极结构在基底的上部分中。第二栅电极的晶粒尺寸大于第一栅电极的晶粒尺寸。
栅极结构包括半导体装置

[发明专利]其中具有埋置字线的集成电路装置-CN202210410580.6在审
发明人： 朴台镇;金台勋;金圭镇;朴哲权;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：一种集成电路装置包括具有有源区域的衬底和衬底中的字线沟槽。字线沟槽包括具有第一宽度的下部、以及在下部与衬底的表面之间延伸并且具有大于第一宽度的第二宽度的上部。提供了在字线沟槽的底部中延伸并且与字线沟槽的底部相邻的字线。提供了在字线与字线沟槽的下部的侧壁之间延伸的栅极绝缘层。电绝缘栅极封盖层设置在字线沟槽的上部中。提供了在栅极封盖层与字线沟槽的上部的侧壁之间延伸的绝缘衬层。栅极绝缘层在绝缘衬层与栅极封盖层的在字线沟槽的上部内延伸的部分之间延伸。
其中具有埋置字线集成电路装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202111307203.1在审
发明人： 朴台镇;金圭镇;朴哲权;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括存储器单元区和围绕存储器单元区的伪单元区，存储器单元区包括多个存储器单元；存储器单元区中的多个有源区，多个有源区中的每一个在长轴方向上延伸，长轴方向是相对于第一水平方向和与第一水平方向正交的第二水平方向的对角线方向，多个有源区中的每一个在与长轴方向正交的短轴方向上具有第一宽度；以及伪单元区中的多个伪有源区，多个伪有源区中的每一个在长轴方向上延伸，多个伪有源区中的每一个在短轴方向上具有比第一宽度大的第二宽度。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器器件及其制造方法-CN202011481686.2在审
发明人：金孝燮;朴素贤;金大元;金桐;金恩娥;朴哲权;朴台镇;李基硕;韩成熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器器件。所述器件可以包括：第一杂质区域和第二杂质区域，设置在衬底中且彼此间隔开，所述第二杂质区域具有比所述第一杂质区域高的顶表面；器件隔离图案，介于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间；第一接触塞，与所述第一杂质区域接触并具有比所述第二杂质区域的顶表面低的底表面；间隙填充绝缘图案，介于所述第一接触塞与所述第二杂质区域之间；第一保护间隔物，介于所述间隙填充绝缘图案与所述第二杂质区域之间；以及第一间隔物，与所述第一接触塞的侧表面和所述器件隔离图案接触，并且介于所述第一保护间隔物与所述间隙填充绝缘图案之间。
半导体存储器器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202110288110.2在审
发明人：许仁景;金孝燮;朴素贤;朴台镇;李承宪;崔允硕;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括：第一杂质区和第二杂质区，在半导体衬底中间隔开；位线，电连接到第一杂质区；存储节点接触部，电连接到第二杂质区；气隙，在位线与存储节点接触部之间；着落焊盘，电连接到存储节点接触部；掩埋介电图案，在着落焊盘的侧壁上且在气隙上；以及间隔物封盖图案，在掩埋介电图案与气隙之间。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202110225664.8在审
发明人： 朴台镇;朴哲权;金昭煐;金恩娥;金孝燮;朴素贤;韩成熙;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，包括：衬底中间隔开的第一杂质区和第二杂质区；器件隔离图案，其位于第一杂质区与第二杂质区之间；位线接触件，其位于第一杂质区上；存储节点接触件，其位于第二杂质区上；以及介电图案，其位于位线接触件与存储节点接触件之间。器件隔离图案的侧壁的上部具有第一倾角，器件隔离图案的侧壁的下部具有与第一倾角不同的第二倾角。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010741490.6在审
发明人： 朴台镇;柳原锡;金根楠;金孝燮;朴素贤;许仁景;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底；位线结构，其设置在衬底上；沟槽，其与位线结构的至少一侧相邻；存储接触结构，其设置在沟槽内，并且包括按次序堆叠的存储接触件、硅化物层和存储焊盘；以及间隔件结构，其设置在位线结构与存储接触结构之间。
半导体装置

[发明专利]在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法-CN202010679035.8在审
发明人：卞卿溵;金亨燮;朴台镇;金会俊;申铉振;安元植;M.林;赵连柱 -专利权人：三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。
衬底形成过渡金属二硫族化物薄膜方法

[发明专利]半导体器件-CN201711108354.8有效
发明人：金真范;金傔;金锡勋;朴台镇;柳廷昊;李峭蒑;李炫姃;金善政;申东石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述有源区上；源/漏区，所述源/漏区分别形成在所述有源区的在所述栅极结构的两侧的部分内；金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在每个所述源/漏区的表面上；以及接触栓，所述接触栓设置在所述源/漏区上并且通过所述金属硅化物层分别电连接至所述源/漏区。所述金属硅化物层被形成为具有单晶结构。
半导体器件

1
2
下一页»
尾页
共 21 条