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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装组件及电子设备-CN202310037177.8在审
发明人： 朱立寰;郑凯哲;林明宗;刘胜峯;游季格 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供了半导体封装组件及电子设备。在一个实施例中，本发明提供的半导体封装组件，可包括：基座，具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；片上系统(SOC)封装，设置在该基座的该第一表面上，该SOC封装包括：具有接垫的SOC芯片；和再分布层(RDL)结构，通过该接垫电连接到该SOC芯片；该半导体封装组件还包括堆叠在该SOC封装上的存储器封装400，该存储器封装包括：具有顶面和底面的存储器封装基板；和存储器芯片，安装在该存储器封装基板的该顶面上并电连接到该存储器封装基板；该半导体封装组件还包括硅电容器芯片，设置在该基座的该第二表面上并电连接到该基座的该第二表面。
半导体封装组件电子设备

[发明专利]晶片结构及封装方法-CN201810776148.2有效
发明人：陈翠媚;曹佩华;林政德;林雨蓉;朱立寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例阐述封装方法及晶片结构。提供一种半导体晶片，所述半导体晶片具有管芯、环绕所述管芯以及位于所述管芯之间的切割道、以及位于所述切割道中的测试垫。通过所述测试垫对所述半导体晶片执行晶片测试。沿所述切割道对所述半导体晶片执行激光开槽工艺，并移除所述切割道中的所述测试垫以在所述切割道中形成激光扫描区。沿所述切割道执行切透所述半导体晶片的机械切片工艺以单体化所述管芯。封装经单体化的所述管芯。
晶片结构封装方法

[发明专利]封装体的接着结构及其制造方法-CN201910079609.5有效
发明人：曹佩华;吕宗兴;朱立寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种封装体的接着结构及其制造方法。本揭露内容大致上提供了示例性的实施方式，其关于可能接着至印刷电路板(PCB)的封装体。在一实施方式中，结构包括封装体。封装体包括一个或多个晶粒，和在封装体的外表面上的金属焊垫。至少一些金属焊垫是第一焊球焊垫。结构还包括多个接脚，且多个接脚中的每个接脚接着至金属焊垫中的一相应的金属焊垫。
封装接着结构及其制造方法

[发明专利]印刷电路板结构及其制造方法-CN201910299790.0有效
发明人：曹佩华;吕宗兴;朱立寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种印刷电路板结构及其制造方法。一般而言，本揭露提供关于印刷电路板(printed circuit board，PCB)的多个例示实施例。在一实施例中，结构包含PCB，PCB包括具有各自的金属层的多个绝缘层，且此些金属层是配置在绝缘层之间。此些绝缘层的多个第一层的每一者包括第一玻璃纤维含量。此些绝缘层的第二层的每一者具有少于第一玻璃纤维含量的第二玻璃纤维含量。举例来说，在一些实施例中，第二绝缘层不包含玻璃纤维基体。
印刷电路板结构及其制造方法

[发明专利]具磁性屏蔽的装置及其制造方法-CN201910692836.5有效
发明人：吕宗兴;曹佩华;朱立寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种具磁性屏蔽的装置及其制造方法。提供一种非导电磁屏蔽材料作为半导体封装的磁性屏蔽层使用。通过将铁磁性颗粒结合到高分子基质中使所述材料磁性化，以及通过在铁磁性颗粒上提供绝缘涂覆物使所述材料不导电。
磁性屏蔽装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910912789.0有效
发明人：曹佩华;吕宗兴;朱立寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明一些实施例揭露一种半导体结构，其包含：第一衬底，其包含第一表面及与所述第一表面对置的第二表面；第二衬底，其包含第三表面及与所述第三表面对置的第四表面；聚合层，其安置于所述第一衬底的所述第二表面与所述第二衬底的所述第三表面之间；第一导电通路，其延伸穿过所述第一衬底、所述第二衬底及所述聚合层；第二导电通路，其延伸穿过所述第一衬底、所述第二衬底及所述聚合层；及第三导电通路，其延伸穿过所述第一衬底、所述第二衬底及所述聚合层，其中所述第二导电通路安置于所述第一导电通路与所述第三导电通路之间，所述第二导电通路经配置以连接到信号源。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体晶粒及形成扇出型集成结构的方法-CN202110413510.1在审
发明人：陈翠媚;廖宗仁;朱立寰;曹佩华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：揭示一种半导体晶粒及形成扇出型集成结构的方法。此半导体晶粒包括接合衬垫及形成在接合衬垫中的孔、形成在接合衬垫的一部分之上的钝化层，及形成在接合衬垫中的孔之上的保护层。
半导体晶粒形成扇出型集成结构方法

[发明专利]具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201811426233.2有效
发明人：曹佩华;陈承先;蔡承纮;张国钦;朱立寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的至少一个凸块结构。至少一个凸块结构包括设置在衬底上方的由金属形成的柱，该金属相对于铜或铜合金与焊料相比具有更低的可焊性。焊料合金形成在比铜或铜合金具有更低的可焊性的金属的上表面正上方并且与金属的上表面接触。该柱具有大于10μm的高度。本发明实施例涉及具有凸块结构的半导体器件和制造半导体器件的方法。
具有结构半导体器件制造方法

[发明专利]封装体的接着结构及其制造方法-CN201910078539.1有效
发明人：曹佩华;吕宗兴;朱立寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：一种封装体的接着结构及其制造方法。本揭露内容大致上提供了示例性的实施方式，其关于接着至印刷电路板(PCB)的封装体。在一个实施方式中，结构包括印刷电路板。印刷电路板具有排列成矩阵的焊球垫。外部的焊球垫沿着矩阵的一个或多个外部的边缘，并且外部的焊球垫中的每个焊球垫具有第一焊料接着区域。内部的焊球垫在矩阵的内部，且内部的焊球垫中的每个内部的焊球垫具有第二焊料接着区域。第一焊料接着区域大于第二焊料接着区域。
封装接着结构及其制造方法

[发明专利]半导体封装及其制造工艺-CN202010142769.2在审
发明人： 朱立寰;陈旭贤;林亮臣;谢宗扬;李信贤;蔡坤宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种封装制造工艺及半导体封装。提供具有晶体结构的中介层。将第一管芯及第二管芯接合在所述中介层上。将第二管芯定位成通过间隙而与第一管芯间隔开，所述间隙具有延伸方向垂直于间隙的最短距离的间隙延伸方向，且所述间隙延伸方向不平行于中介层的晶体结构的结晶取向。在中介层之上形成覆盖第一管芯及第二管芯的模制化合物。将模制化合物及中介层切割成封装。
半导体封装及其制造工艺

[发明专利]堆叠半导体器件及其制造方法-CN201910927994.4在审
发明人：吕宗兴;何军;朱立寰;曹佩华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：方法包括提供第一和第二晶圆；在第一晶圆的顶部中形成第一器件层；在第二晶圆的顶部中形成第二器件层；在第一器件层中形成第一凹槽；在第二器件层中形成第二凹槽；在形成第一凹槽和第二凹槽中的至少一个之后，将第一晶圆和第二晶圆接合在一起；以及通过切割工艺切割接合的第一晶圆和第二晶圆，其中切割工艺切割穿过第一凹槽和第二凹槽。本发明的实施例还涉及堆叠半导体器件及其制造方法。
堆叠半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于半导体元件的载带系统-CN201910544423.2在审
发明人：邱颂盛;曹佩华;陈翠媚;林世星;朱立寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： B65D73/02 文献下载
摘要：本揭露描述一种用于半导体元件的载带系统，其包含具有粘合区及实质上无粘合剂的非粘合区的盖带。亦揭露提供半导体元件至在操作中置放半导体元件至期望位置的装置的方法。亦揭露形成半导体承载系统的方法。
半导体元件承载系统非粘合区期望位置无粘合剂载带系统在操作中粘合区盖带置放半导体

[发明专利]封装结构-CN201810378674.3在审
发明人：曹佩华;陈承先;朱立寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种封装结构。此封装结构包括介电层形成于第一基板之上，以及导电层形成于介电层之中。此封装结构包括凸块下金属层形成于介电层之上，且凸块下金属层电性连接至导电层。此封装结构亦包括第一突出结构形成于凸块下金属层之上，且第一突出结构延伸向上远离凸块下金属层。此封装结构包括第二突出结构形成于凸块下金属层之上，且第二突出结构延伸向上远离凸块下金属层。此封装结构包括第一电性连接器形成于第一突出结构之上；以及第二电性连接器形成于第二突出结构之上。气隙形成于第一突出结构与第二突出结构之间。
突出结构封装结构凸块下金属层介电层电性连接器导电层形成第一基板电性连接导电层延伸气隙

[发明专利]高效光伏系统-CN201310488479.3有效
发明人：程子桓;朱立寰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H02S40/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种光伏系统，包括具有上表面的光伏模块。流体沉积单元被设置为在光伏模块的上表面上沉积流体层。流体收集单元被设置为收集沉积在光伏模块的上表面上的流体。流体容器被连接为接收来自流体收集单元的流体。泵被连接为从流体容器向流体沉积单元供给流体。本发明还提供了一种增大光伏系统效能的方法。
高效系统

[发明专利]CIGS太阳能电池结构及其制造方法-CN201210401135.X无效
发明人：杨弦升;李文钦;朱立寰 -专利权人：台积太阳能股份有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种制造CIGS薄膜光伏器件的方法包括：在基板上形成背接触层；在背接触层上形成富Se层；通过沉积铜、镓和铟在富Se层上形成前体层，得到第一中间结构；对第一中间结构进行退火或硒化，从而沿着背接触层和前体层之间的界面形成Cu/Se、Ga/Se或CIGS化合物，并得到第二中间结构；以及硒化第二中间结构，从而在背接触层上将前体层转化成CIGS吸收层。本发明提供了CIGS太阳能电池结构及其制造方法。
cigs 太阳能电池结构及其制造方法

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