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[发明专利]MOSFET器件及其制作方法-CN202310952551.7在审
发明人： 曾春红;江磊枫;孙玉华;崔奇;董志华;张宝顺;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET器件及其制作方法。MOSFET器件包括器件结构层以及与所述器件结构层匹配的源极、漏极和栅极，所述器件结构层包括漂移区、沿第一方向依次层叠设置在所述漂移区的第一区域上的基区、欧姆接触区以及沿第一方向层叠设置在所述漂移区的第二区域上的源区，所述源区沿第二方向设置在所述基区、所述欧姆接触区的两侧且与所述基区、所述欧姆接触区邻接，所述源区与所述漂移区之间的界面为阶梯结构。本发明提供的MOSFET器件的反向击穿电压更高、正向导通性能更好。
mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法-CN202111291374.X在审
发明人：刘辉;曾春红;董志华;张宝顺;孙玉华;崔奇 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法。所述器件结构包括设置在衬底上的器件结构层，以及与所述器件结构层配合的源极、漏极和栅极，并且所述器件结构层上还形成有与所述栅极配合的凹槽；其中，所述凹槽包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分沿远离所述器件结构层表面的方向依次设置，所述第一部分的侧壁垂直于所述器件结构层表面设置，所述第二部分的侧壁与所述器件结构层表面形成大于30且小于60°的夹角，以及，所述第二部分的底面为凹槽底壁，且所述凹槽底壁平行于所述器件结构层表面设置。本发明中的锥形栅MOSFET器件结构，反向击穿电压高，正向导通性能好。
一种锥形 mosfet 器件结构及其制作方法

[发明专利]在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用-CN202211563222.5在审
发明人：邓旭光;张宝顺;董晟园;曾春红;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用。所述方法包括：采用NH3对SiC衬底进行预处理，预处理使SiC衬底表面的晶格台阶间距变大；在经过预处理的SiC衬底表面生长III族氮化物薄膜，包括周期性循环生长的第一生长过程和第二生长过程；第一生长过程采用第一V/III，第二生长过程采用第二V/III，且第一V/III大于第二V/III。本发明所提供的方法通过预处理与交替循环生长的结合，能够显著地控制薄膜内残余应力，很大程度地将薄膜的残余应力控制为适当的残余压应力或较小的残余张应力，得以在确保不发生开裂现象的前提下，显著提高所生长的III族氮化物薄膜的厚度，并显著降低位错密度。
sic 衬底生长 iii 氮化物薄膜方法应用

[发明专利]自供电光电探测器及其制备方法-CN202211560519.6在审
发明人：马永健;张晓东;唐文博;曾春红;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种自供电光电探测器及其制备方法。所述自供电光电探测器包括：沿第一方向依次设置的第一电极、p‑n结结构和第二电极，所述p‑n结结构包括至少一p‑n结，所述p‑n结由至少一第一纳米线和至少一第二纳米线配合形成，所述第一纳米线和第二纳米线具有不同导电类型，并且所述第一纳米线和第二纳米线的两端均分别与第一电极、第二电极电连接。本发明使氮化镓纳米线与氧化镓纳米线紧密相连形成p‑n结，实现了在不加外部电源的情况下进行探测的效果，并且在金属电极连接下的每一根氮化镓/氧化镓纳米线都参与工作，大大提高了探测性能。
自供电光探测器及其制备方法

[发明专利]在衬底上直接制备石墨烯的方法-CN201711254473.4有效
发明人：张学敏;于国浩;曾春红;付思齐;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种在衬底上直接制备石墨烯的方法，其包括：(1)在衬底上形成用以生长石墨烯的碳源层；(2)在碳源层上形成用以催化石墨烯生长的催化金属层；(3)将形成有碳源层和催化金属层的衬底置于退火炉中，在惰性气体气氛、500℃‑1000℃退火处理获得石墨烯；(4)将生长有石墨烯的衬底温度降至室温，并除去催化金属层，从而实现石墨烯的直接制备。本发明提供的方法工艺流程简单，在衬底上所生长的石墨烯质量较好，能够形成较大晶界的石墨烯，并且无需转移步骤，有利于在不同衬底上的器件制作；另外，此方法无需气体碳源参与，简化了工艺流程，不受衬底限制，能够简单高效的得到高质量的石墨烯薄膜。
衬底直接制备石墨方法

[外观设计]包装袋（清沐纯子M）-CN202230173432.8有效
发明人： 曾春红 -专利权人： 曾春红
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： 09-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装袋（清沐纯子M）。2.本外观设计产品的用途：主要用于包装纸巾、棉柔巾、纸手帕等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.无设计要点，省略左视图;无设计要点，省略右视图。
装袋清沐纯子

[发明专利]一种电梯轿顶固定装置-CN202111623354.8在审
发明人： 曾春红 -专利权人：苏州展太机械五金科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B66B11/02 文献下载
摘要：本发明公开的属于电梯技术领域，具体为一种电梯轿顶固定装置，包括电梯主体与支撑座，电梯主体顶部与支撑座底部通过缓震装置连接，且电梯主体的牵引端纵向贯穿支撑座向外延伸，且换气机构包括换气主体、设在换气主体上的雾化消毒器、设在换气主体上的进气口一、进气口二、出气口一、出气口二，本发明通过支撑座上的换气机构能够实现对电梯内部空气的换气，将外部的空气送入电梯内部的同时能够将电梯内部的空气抽出，实现了电梯内部空气的换流，换流效率高的同时换流效果更好，改善了电梯内部的空气，提高使用体验，同时通过雾化消毒器能够将消毒剂雾化后通过换气机构送入电梯内，实现对电梯内部的自动消毒，节省了人力，提高了消毒的效率。
一种电梯固定装置

[发明专利]基于VR和AR的半导体微纳加工工艺实训系统及其用途-CN202010799307.8有效
发明人：曾中明;王祥翔;胡瑞;曾春红;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G09B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于VR和AR的半导体微纳加工工艺实训系统及其用途。所述半导体微纳加工工艺实训系统包括微纳加工课件单元，以及与所述微纳加工课件单元通过互联网连接的支撑硬件单元和支撑软件单元，所述微纳加工课件单元包括半导体微纳加工技术中的安全防护模块、原材料模块、工艺原理模块、半导体设备模块、工艺设计模块和工艺操作模块。本发明利用VR/AR技术，通过构建半导体微纳加工过程的虚拟场景，能实现半导体微纳加工工艺技术的教学、训练、模拟操作与考核评估，可支持多人同时在线学习，信息实时共享，有利于扩大半导体工艺人员的培训规模和效率，具有操作安全、交互感强烈、沉浸式体验、成本低、效率高等特点。
基于 vr ar 半导体加工工艺系统及其用途

[发明专利]基于Ga2-CN202010216434.0有效
发明人：董志华;周明;曾春红;林文魁;王育天;刘辉;李仕琦;刘国华;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料上的N型Ga2O3层以及设置在该Ga2O3层部分区域上的P型CuI层；在所述CuI层上形成正极，在所述Ga2O3层的另外区域上形成负极；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极和负极之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测。采用本发明的技术方案，具有如下优点：(1)结构简单，工艺成本低。(2)Ga2O3和CuI同为宽禁带半导体，所以该器件为日光盲紫外探测器，无需加滤光片。(3)光生空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。
基于 ga base sub

[发明专利](0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法-CN201710268906.5有效
发明人：林文魁;曾春红;张宝顺;孙玉华;张璇 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种(0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法。所述晶圆的外延层表面形成有至少一个多边形沟槽，并且构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相SiC晶体的晶面或晶面平行。所述晶圆的加工方法包括：于(0001)面外延的六方相SiC晶圆的外延层表面加工形成至少一多边形沟槽，并使其垂直于(0001)面碳化硅外延片表面；对构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面进行晶面校正并使该至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相SiC晶体的晶面或晶面平行。本发明所获UMOSFET器件能利用或晶面及其等效晶面的迁移率特性，提高器件性能。
0001 外延六方相 sic 晶圆 umosfet 器件及其制作方法

[外观设计]包装袋(清沐纯子)-CN202130275042.7有效
发明人： 曾春红 -专利权人： 曾春红
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： 09-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装袋(清沐纯子)。2.本外观设计产品的用途：用于包装纸巾、棉柔巾、纸手帕等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
装袋清沐纯子

[外观设计]包装袋（幸福生活）-CN202130192892.0有效
发明人： 曾春红 -专利权人： 曾春红
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： 09-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装袋（幸福生活）。2.本外观设计产品的用途：用于包装纸巾、棉柔巾、纸手帕等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
装袋幸福生活

[外观设计]包装袋（轻奢）-CN202130167769.3有效
发明人： 曾春红 -专利权人： 曾春红
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： 09-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装袋（轻奢）。2.本外观设计产品的用途：主要用于包装纸巾、棉柔巾、纸手帕等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
装袋

[外观设计]包装袋（清沐纯子）-CN202130128382.7有效
发明人： 曾春红 -专利权人： 曾春红
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： 09-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装袋（清沐纯子）。2.本外观设计产品的用途：包装纸巾、棉柔巾、纸手帕等。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
装袋清沐纯子

[实用新型]一种新型水雾除尘装置-CN202020444334.9有效
发明人：赵久会;刘钢彪;曾春红;申彦红;李永亮;张顺波;赵岩坤;赵俊峰;温兴昌;杨克非;刘东方;张淼;王业强 -专利权人：濮阳龙丰纸业有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： B01D47/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型水雾除尘装置，包括壳体，所述壳体的一侧分别开设有第一安装槽和第二安装槽，所述第一安装槽的一侧开设有开槽，所述开槽的内部贯穿设置有第二连接口，所述第二连接口位于第一安装槽内部的一端固定连接有喷雾管，所述喷雾管的一侧等间距固定安装有喷雾头，所述第二连接口的另一端连接有连接软管，所述第二连接口的上下两端与开槽的上下两端之间固定连接有套筒，每个所述套筒的内部设置有弹簧，所述开槽的一侧上端设置有连接块。本实用新型通过分别设置喷雾管以及喷雾管能够对上料口处的灰尘分别进行吸尘处理以及喷雾处理，两者配合使用，使得对灰尘的处理效果更佳，能够对喷雾的角度进行调节，使用灵活。
一种新型水雾除尘装置

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