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[发明专利]存储器装置和存储器系统-CN201710104171.2有效
发明人： 曹溶成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：存储器装置包括：存储器单元阵列，包括对于其多次执行编程循环的多个存储器单元；电压发生器，配置为施加验证电压到存储器单元，用于验证存储器单元的至少一个编程状态；和电压控制器，配置为基于关于存储器装置内部或者外部温度的温度信息，控制电压发生器在编程循环计数增大时改变验证电压的电平。
存储器装置系统

[发明专利]用于执行部分读操作的非易失性存储器件及其读取方法-CN201711187170.5有效
发明人： 曹溶成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括：第一单元串，包括第一伪单元并且连接到选择的串选择线；第二单元串，包括第二伪单元并且连接到所述选择的串选择线；页缓冲器电路，被配置为选择所述第一单元串和所述第二单元串中的一个单元串以在读操作中读取数据；以及控制逻辑电路，被配置为在所述读操作中向连接到所述第一单元串和所述第二单元串中的所选择的一个单元串的位线施加第一位线电压，以及向连接到所述第一单元串和所述第二单元串中的未选择的一个单元串的位线施加第二位线电压。当选择所述第一单元串时，所述控制逻辑电路断开所述第二伪单元，并且当选择所述第二单元串时，所述控制逻辑电路断开所述第一伪单元。
用于执行部分操作非易失性存储器及其读取方法

[发明专利]页缓冲电路及包括其的存储器件-CN202211028572.1在审
发明人： 曹溶成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：提供了一种页缓冲电路及包括其的存储器件。存储器件包括：存储单元阵列；以及通过多条位线连接到所述存储单元阵列的页缓冲电路，所述页缓冲电路包括与所述位线对应布置的多个页缓冲器，并且所述多个页缓冲器均包括感测节点。所述多个页缓冲器包括第一页缓冲器，并且所述第一页缓冲器包括：第一感测节点，所述第一感测节点被配置为感测数据并且对应于第一金属导线和第二金属导线，所述第一金属导线位于下部金属层，所述第二金属导线电连接到所述第一金属导线并且位于在所述下部金属层上方的上部金属层；以及升压节点，所述升压节点对应于所述上部金属层的与所述第二金属导线相邻的第三金属导线并且被配置为控制所述第一感测节点的升压和降压。
缓冲电路包括存储器件

[发明专利]执行温度补偿的页缓冲器和包括该页缓冲器的存储器装置-CN202210961110.9在审
发明人： 曹溶成;姜奎满;金珉辉;朴一汉;千镇泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置和页缓冲器。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；页缓冲器电路，其通过多条位线连接至存储器单元阵列，并且包括连接至多条位线中的每一条的页缓冲器，页缓冲器包括用于基于第一感测节点的电压电平而存储数据的至少一个第一锁存器；以及控制电路，其被配置为调整提供至页缓冲器电路的电压信号的电平。页缓冲器包括布置在至少一个第一锁存器与第一感测节点之间的跳闸控制晶体管，并且其中，控制电路还被配置为基于对存储器单元阵列执行的读取操作控制将被提供至跳闸控制晶体管的栅极的跳闸控制电压。跳闸控制电压的电平根据存储器装置的温度而变化。
执行温度补偿缓冲器包括存储器装置

[发明专利]存储器装置及其操作方法和包括在其中的页缓冲器-CN202210986918.2在审
发明人： 曹溶成;金珉辉;李知尚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：公开了一种存储器装置及其操作方法和页缓冲器。存储器装置包括：包括存储器单元的存储器单元阵列；数据锁存器，其与读出节点连接并被配置为存储要存储在存储器单元中的第一存储器单元中的数据；与读出节点连接的读出锁存器；临时存储节点；开关，其连接在读出锁存器和临时存储节点之间并且被配置为响应于临时存储节点设置信号而操作；第一预充电电路，其被配置为根据临时存储节点的电平选择性地对与第一存储器单元对应的第一位线进行预充电；和控制逻辑电路，其被配置为控制数据锁存器、读出锁存器和临时存储节点之间的转储操作。控制逻辑电路被配置为在第一预充电电路选择性地对第一位线预充电的同时执行从数据锁存器到读出锁存器的转储操作。
存储器装置及其操作方法包括中的缓冲器

[发明专利]非易失性存储器器件及其编程方法-CN201711429791.X有效
发明人： 曹溶成;朴一汉;尹廷允;洪允镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器器件的编程方法，该方法包括以下步骤：第一编程循环，包括将第一验证电压施加到多个第一存储器单元的字线，该多个第一存储器单元用于在第一目标阈值的第一编程状态中被编程，并且从该多个第一存储器单元中检测出阈值电压小于该第一验证电压的第一慢速存储器单元；第二编程循环，包括向该第一存储器单元施加第一编程脉冲，并向第一慢速存储器单元施加第二编程脉冲，第二编程循环的第二编程脉冲的电压电平大于第二编程循环的第一编程脉冲的电压电平；以及第三编程循环。
非易失性存储器器件及其编程方法

[发明专利]存储器装置-CN202110534003.3在审
发明人： 曹溶成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括存储器单元阵列；页缓冲器电路，通过多条位线连接到存储器单元阵列，包括连接到所述多条位线中的每条位线的页缓冲器，并被配置为在用于数据读取的预充电时段期间对所述多条位线执行预充电操作；和控制逻辑，被配置为根据检测到的温度来不同地控制页缓冲器电路的预充电操作，其中，预充电时段包括第一时段和第二时段，在第一时段中，所述多条位线被过驱动，在第二时段中，所述多条位线以比第一时段的电压低的电压被驱动，并且在检测到的温度是第一温度的情况下的第一时段被设置为比在检测到的温度是高于第一温度的第二温度的情况下的第一时段短。
存储器装置

[发明专利]页面缓冲器电路及包括其的存储器件-CN202110735179.5在审
发明人： 曹溶成;朴镇宇;尹铉竣;崔允熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储器件包括存储单元阵列、页面缓冲器电路和计数电路。所述页面缓冲器电路包括连接到所述存储单元阵列的第一页面缓冲器列和第二页面缓冲器列。在第一级中，所述第一页面缓冲器列包括第一页面缓冲器单元，所述第二页面缓冲器列包括第二页面缓冲器单元。所述第一页面缓冲器单元响应于第一感测信号执行第一感测操作，所述第二页面缓冲器单元响应于第二感测信号执行第二感测操作。所述计数电路根据所述第一感测操作的结果对第一阈值电压区域中包括的存储单元的第一数目进行计数，以及根据所述第二感测操作的结果对第二阈值电压区域中包括的存储单元的第二数目进行计数。
页面缓冲器电路包括存储器件

[发明专利]存储器设备-CN202110641034.9在审
发明人： 曹溶成;姜仁昊;朴安洙;朴曾焕;申东夏;郑在元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：提供了一种存储器设备。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；和页面缓冲器电路，设置在包括沿第一水平方向设置的主区域和高速缓存区域的页面缓冲器区域，并且包括在主区域中沿第二水平方向彼此相邻的第一页面缓冲器单元和第二页面缓冲器单元。第一页面缓冲器单元的第一读出节点包括第一下金属图案和第一上金属图案，第一上金属图案电连接到第一下金属图案。第二页面缓冲器单元的第二读出节点包括第二下金属图案和第二上金属图案，第二上金属图案电连接到第二下金属图案，并且在第二水平方向上不与第一上金属图案相邻。
存储器设备

[发明专利]包括页面缓冲电路的存储装置-CN202110320133.7在审
发明人： 曹溶成;姜仁昊;金泰孝;朴曾焕;朴镇宇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了一种包括页面缓冲器的存储装置。存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及页面缓冲电路，所述页面缓冲电路包括：在第一水平方向上的页面缓冲单元，所述页面缓冲单元经由位线连接到所述存储单元；以及在所述第一水平方向上的高速缓冲锁存器，所述高速缓冲锁存器对应于所述页面缓冲单元，其中，每个所述页面缓冲单元包括连接到该页面缓冲单元的感测节点的一个或更多个通道晶体管，所述感测节点电连接到相应的位线。包括在每个所述页面缓冲单元中的感测节点和所述组合感测节点通过所述通道晶体管彼此电连接。
包括页面缓冲电路存储装置

[发明专利]非易失性存储器器件、包括其的存储设备及其操作方法-CN202110193519.6在审
发明人： 曹溶成;郑凤吉;郑韩吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：一种非易失性存储器器件的操作方法，包括：在非易失性存储器器件处接收暂停命令；响应于暂停命令，在非易失性存储器器件处暂停正被执行的编程操作；在非易失性存储器器件处接收恢复命令；以及响应于恢复命令，在非易失性存储器器件处恢复暂停的编程操作。编程操作包括编程循环，该编程循环中的每一个包括位线设置间隔、编程间隔和验证间隔。在编程循环中的每一个的编程间隔中，要被施加到非易失性存储器器件的所选存储器单元的编程电压的电平增加第一电压。暂停之前最终施加的编程电压的电平和恢复之后首先施加的编程电压的电平之间的差不同于第一电压。
非易失性存储器器件包括存储设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置-CN201710479198.X有效
发明人：宋仲镐;白洗献;曹溶成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置可以包括：存储器单元阵列，包括多个平面；页缓冲器，连接到存储器单元阵列，并与多个平面中的每个平面对应；去耦电路。页缓冲器被配置为经由第一节点接收位线电压控制信号(BLSHF)。去耦电路连接到第一节点。去耦电路包括被配置为经由第一节点执行电荷共享的至少一个去耦电容器。
非易失性存储器装置

[发明专利]具有增大的感测裕度的存储器装置-CN202010337657.2在审
发明人： 曹溶成;罗太熙;辛埈昊;平野诚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，其包括设置在字线与位线相交的点处的存储器单元；第一解码器电路，其确定位线之中的被选择的位线和未选择的位线；第二解码器电路，其确定字线之中的被选择的字线和未选择的字线；电流补偿电路，其提供电流路径，所述电流路径从被选择的字线汲取补偿电流以补偿未选择的位线中流动的截止电流；第一感测放大器，其将被选择的字线的电压与参考电压进行比较，并输出使能信号；以及第二感测放大器，其在存储器装置的读出操作模式下在由使能信号确定的操作时间期间输出被选择的字线的电压与参考电压之间的电压差。
具有增大感测裕度存储器装置

[发明专利]存储器设备及用于操作存储器设备的方法-CN202010253724.2在审
发明人： 曹溶成;V.甘加萨尼;金喜源;罗太熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了存储器设备及用于操作存储器设备的方法。该存储器设备包括：连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元；解码器电路，包括将第一偏置电压输入到被选择的字线的第一偏置电路、将第二偏置电压输入到被选择的位线的第二偏置电路、连接到被选择的字线的第一开关元件、以及连接在第一开关元件和第一偏置电路之间的第二开关元件；以及控制逻辑，被配置为当在第二偏置电压被输入到被选择的位线之后经过预定的延迟时间时，控制第一开关元件和第二开关元件。控制逻辑在第二开关元件导通时关断第一开关元件。
存储器设备用于操作方法

[发明专利]页面缓冲器及包括该页面缓冲器的存储器件-CN201910322253.3在审
发明人： 曹溶成;朴曾焕;金宗慜;金重官 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种页面缓冲器及包括该页面缓冲器的存储器件。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列具有多个存储单元串和连接到所述多个存储单元串的多条位线；以及多个页面缓冲器，所述多个页面缓冲器连接到所述多条位线，其中，所述多个页面缓冲器中的每一个页面缓冲器包括多个锁存器和传输晶体管，所述多个锁存器共享一个数据传输节点并通过所述数据传输节点彼此交换数据；所述传输晶体管设置所述数据传输节点与另一页面缓冲器的另一数据传输节点之间的连接。
数据传输节点页面缓冲器缓冲器多个页面存储单元阵列传输晶体管存储单元串存储器件锁存器位线交换数据共享

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