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[发明专利]发热元件搭载用基板及其制造方法以及半导体封装件-CN201210379438.6无效
发明人：今井升;伊坂文哉;松尾长可;根本正德;田野井稔 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供发热元件搭载用基板及其制造方法以及半导体封装件，该发热元件搭载用基板虽然是单面配线基板，但板厚方向的导热性良好，并且具有能够将露出于两面的导电图案设计成不同形状的通用性。发热元件搭载用基板具备：树脂膜、形成于树脂膜的第一面上的多个配线图案、以及由填充到形成于树脂膜中的多个贯通孔中的导电性材料构成的多个填充部，多个配线图案中的至少一个的面积是树脂膜的第一面的面积的30%以上，填充部具有在从第一面侧观察时从配线图案突出的突出部，在从第二面侧观察时，填充部与配线图案重叠的面积是配线图案的面积的50%以上，在树脂膜上搭载LED元件。
发热元件搭载用基板及其制造方法以及半导体封装

[发明专利]圆筒型溅射靶材、使用其的配线基板以及薄膜晶体管-CN201210089149.2有效
发明人：上田孝史郎;辰巳宪之;小林隆一 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供圆筒型溅射靶材、使用其的配线基板以及薄膜晶体管。本发明的课题在于实现从圆筒型溅射靶材的外周面侧直至内周面侧的溅射速度的均一化。作为解决本发明课题的方法是，由纯度3N以上的无氧铜形成并具有圆筒形状的圆筒型溅射靶材(20)，从外周面(21)侧向着内周面(22)侧硬度逐渐增加，同时，从外周面(21)侧向着内周面(22)侧(111)面的取向率逐渐增加。
圆筒溅射使用配线基板以及薄膜晶体管

[发明专利]光电转换模块-CN201210336723.X有效
发明人：佐藤正尭;平野光树;安田裕纪;石川浩史 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供一种能够减少制造工序、能够低成本化的光电转换模块。光电转换模块（10）具备：基板（12）、与光纤（30）光耦合的光电转换元件（22）、以及设置于基板（12）的表面且包含安装光电转换元件（22）的电极图案（16）和用于限制光纤（30）的位置的限制图案（18）的导体图案（14）。
光电转换模块

[发明专利]车辆充电装置-CN201210343060.4有效
发明人：甲斐崇史;兼安昌美;柳泽博之 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种车辆充电装置，即使在对不具备与充电装置一侧进行通信的功能的车辆充电的情况下，也能够在检测到充电连接器的嵌合后开始充电。车辆充电装置具备：具有用于向车辆输出充电电流的L端子和N端子、以及嵌合检测端子的充电连接器；经由第一电阻器从嵌合检测端子输出电压的电压输出部；能够检测由于与车辆侧连接器的嵌合引起的第一电阻器的通电电流的变化的第一电压计；以及根据第一电压计检测出的第一电阻器的通电电流的变化检测充电连接器和车辆侧连接器的嵌合，在检测到该嵌合时，置为能够从L端子以及N端子输出充电电流的状态的控制部。
车辆充电装置

[发明专利]层叠线圈-CN201210134149.X无效
发明人：山本哲 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-05-02 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明提供与在小径的环状导电板的外周侧配置有大径的环状导电板的情况比较而使散热性提高的层叠线圈。层叠线圈(100)具备环状导电板(1A、1B)，并隔着绝缘体(10)在轴向层叠该环状导电板(1A、1B)，环状导电板具备：第一圆弧部(11a、11b)；具有比第一圆弧部(11a、11b)的外径大的内径的第二圆弧部(12a、12b)；连结第一圆弧部(11a)以及第二圆弧部(12a)的连结部(13a)；以及连结第一圆弧部(11b)以及第二圆弧部(12b)的连结部(13b)，环状导电板配置为，使连结部(13a、13b)彼此相对，而在径向并排第一圆弧部(11a、11b)以及第二圆弧部(12a、12b)。
层叠线圈

[发明专利]Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管-CN201210103592.0无效
发明人：辰巳宪之;上田孝史郎 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种Cu-Mn合金溅射靶材、使用其的薄膜晶体管配线以及薄膜晶体管。本发明的课题在于形成具有高阻挡性的Cu-Mn合金膜。作为解决本发明的方法是，一种在半导体元件的配线的形成中所使用的Cu-Mn合金溅射靶材(10)，其由含有浓度为8原子％以上30原子％以下的Mn和不可避免的杂质的Cu-Mn合金构成，Cu-Mn合金的平均结晶粒径为10μm以上50μm以下。
cu mn 合金溅射使用薄膜晶体管以及

[发明专利]捻线及其制造方法-CN201210287665.6无效
发明人：鹫见亨;青山正义;黑田洋光;佐川英之;藤户启辅;樱井保;增井信一;冈田良平;正木健次;常井贞信;佐藤雅司;山口刚彦;小池利吉 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明的课题是提供即使在捻线工序中发生加工硬化，与由韧铜构成的捻线相比也具备软质性的捻线及其制造方法。作为解决本发明课题的方法涉及一种捻线的制造方法，其包括以下工序：硬铜线制作工序，对低浓度铜合金线以成为最终线径的方式实施加工度50%以上的拉丝加工而制作硬铜线，所述低浓度铜合金线包含：含有不可避免的杂质的铜、超过2质量ppm的量的氧、和Mg、Zr、Nb、Ca、V、N、Mn、Ti、Cr中的至少一种添加元素；捻线制作工序，通过准备多根该硬铜线，使它们捻合，来制作捻线；预热工序，对上述捻线实施预热处理而使上述硬铜线变质成软铜线。
捻线及其制造方法

[发明专利]轧制铜箔-CN201210040800.7无效
发明人：室贺岳海;关聪至;萩原登 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种兼备优异的弯曲特性和低刚性的轧制铜箔。所述轧制铜箔通过将铜合金材轧制加工成厚度为1μm以上20μm以下的箔状体而形成，所述铜合金材含有0.0002质量％以上0.003质量％以下的硅(Si)、0.0025质量％以上0.018质量％以下的硼(B)和0.0002质量％以上且以质量比计为所述硼(B)的五分之一以下的硫(S)，剩余部分包含无氧铜或氧量为0.002质量％以下的低氧浓度的铜(Cu)、以及不可避免的杂质。
轧制铜箔

[发明专利]包覆线及其制造方法-CN201210075889.0无效
发明人：铃木秀幸;福地胜一 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可以实现包覆层的交联时间的缩短和密合力的提高的包覆线及其制造方法。所述包覆线(10)具备：导体(20)；由硅烷交联后的绝缘性树脂组合物形成、包覆导体(20)的同时在外周具有槽(31a)的1层或2层以上的带槽绝缘层(31)；以及包覆带槽绝缘层(31)的最外层的护套层(40)。
包覆线及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体模板及发光二极管-CN201210295500.3有效
发明人：今野泰一郎;藤仓序章 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种低电阻、结晶性良好的氮化物半导体模板以及使用该氮化物半导体模板的发光二极管。氮化物半导体模板(10)具备：基板(11)；在基板(11)上形成作为添加了O（氧）的O添加层的O掺杂GaN层(12)、在O掺杂GaN层(12)上形成作为添加了Si的Si添加层的Si掺杂GaN层(14)而成的Ⅲ族氮化物半导体层，Ⅲ族氮化物半导体层的整体的膜厚为4μm以上10μm以下，Si掺杂GaN层(14)中的Si的平均载流子浓度为1×1018cm-3以上5×1018cm-3以下。
氮化物半导体模板发光二极管

[发明专利]金属氯化物气体发生装置、氢化物气相生长装置和氮化物半导体模板-CN201210290813.X有效
发明人：今野泰一郎;藤仓序章;松田三智子 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供抑制了不希望的杂质的混入的金属氯化物气体发生装置、氢化物气相生长装置、和氮化物半导体模板。作为金属氯化物气体发生装置的HVPE装置具有：筒状的反应炉，其在上游侧具有收容Ga（金属）的槽（收容部），在下游侧具有配置生长用的基板的生长部；透光性的气体导入管，其按照从具有气体导入口的上游侧端部起经由槽到达生长部的方式配置，从上游侧端部导入气体，供给至槽，并将气体与槽内的Ga反应而生成的金属氯化物气体供给至生长部；隔热板，其配置在反应炉内，对气体导入管的上游侧端部侧和生长部侧进行热阻断，气体导入管具有在上游侧端部与隔热板之间弯曲的构造。
金属氯化物气体发生装置氢化物相生氮化物半导体模板

[发明专利]使用软质低浓度铜合金的配线材和板材-CN201210289798.7无效
发明人：藤户启辅;青山正义;黑田洋光;鹫见亨;佐川英之 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供使用了具备高导电性、且即使为软质铜材也具有优异的折弯性的软质低浓度铜合金的配线材和板材。一种使用软质低浓度铜合金的配线材，其为包含软质低浓度铜合金、且具有折弯部的配线材，所述软质低浓度铜合金包含选自由Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn和Cr所组成的组中的添加元素且其余部分包含铜，该配线材的结晶组织至少从其表面直至50μm的深度为止的表层的平均晶粒尺寸为20μm以下。
使用软质低浓度铜合金线材板材

[发明专利]粘接膜和扁平缆线-CN201210090982.9无效
发明人：社内大介 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种无须设置底漆层、粘接性和耐热性优异的粘接膜和扁平缆线。粘接膜(4)具备绝缘膜(1)、在绝缘膜(1)上叠层的粘接层(2)和在粘接层(2)上叠层的导体粘接层(3)，所述粘接层(2)含有在室温(25℃)下可溶于溶剂中的、熔点为100℃以上150℃以下的共聚聚酰胺树脂，相对于100质量份共聚聚酰胺树脂为100质量份以上250质量份以下的无卤阻燃剂和在室温(25℃)下可溶于上述溶剂的碳二亚胺化合物。
粘接膜扁平缆线

[发明专利]软质低浓度铜合金材料的制造方法-CN201210290827.1无效
发明人：佐川英之;青山正义;黑田洋光;鹫见亨;藤户启辅;冈田良平;增井信一 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-08-15 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：本发明的目的是提供具备高导电性并且即使为软质材也具有高抗拉强度和伸长率、制造工序简单且价格低的软质低浓度铜合金材料的制造方法。本发明为对包含选自由Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn和Cr所组成的组中的添加元素且其余部分为铜的软质低浓度铜合金实施塑性加工，接着实施退火处理的软质低浓度铜合金材料的制造方法，在进行上述退火处理之前的上述塑性加工中的加工度为50%以上。
软质低浓度铜合金材料制造方法

[实用新型]多芯屏蔽扁形电缆-CN201220172499.0有效
发明人：须永义则;杉山刚博 -专利权人： 日立电线株式会社
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多芯屏蔽扁形电缆。多芯屏蔽扁形电缆(10)具备：包含内部导体(12)及绝缘体(14)的多个包覆导体(16)；以及一并覆盖多个包覆导体(16)的外部导体(1 8)。外部导体(1 8)包含相互协作而夹住多个包覆导体(16)的第一外壳(20)及第二外壳(20)，第一外壳(20)及第二外壳(20)各自包含覆盖包覆导体(16)的外周面的多个槽部(22)、以及与槽部(22)的两侧连成一体的多个缘部(24)。多芯屏蔽扁形电缆(10)还具备例如焊锡层(26)，作为防止第一外壳(20)的缘部(24)与第二外壳(20)的缘部(24)之间发生间隙的间隙发生防止机构。本实用新型的多芯屏蔽扁形电缆高频特性及电磁屏蔽性优良而且容易制造。
屏蔽电缆