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[发明专利]一种水平放置高温超导磁体冷量传递结构-CN201810777447.8有效
发明人：刘华军;郭亮;马红军;刘方;施毅;于敏 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01F6/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种水平放置高温超导磁体冷量传递结构，采用导冷板，导冷柱，导冷杆的结构进行导冷，能够保证足够的有效导冷面积，使得高温超导磁体上任意两点的温差不大于0.3K。采用C型结构的导冷板连接制冷机和磁体，大胆地突破了通常使用铜辫柔性连接的做法。使用C型结构的导冷板，不但有效的增大冷量传导面积，而且加工制造方便、简单。同时，也考虑了该柔性结构能够吸收磁体及导冷板的热收缩产生的相对位移。由于制冷机水平放置会导致冷量损失，该设计很好地解决制冷机竖直放置和高温超导磁体水平放置连接问题，且能够保证高温超导磁体运行温度满足使用要求。
一种水平放置高温超导磁体传递结构

[发明专利]一种边坡支护结构及施工方法-CN202010146602.3在审
发明人：唐秋元;邓继辉;谢珂;吴晓宁;唐祯;施毅 -专利权人：中煤科工集团重庆设计研究院有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： E02D17/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种边坡支护结构及施工方法，属于边坡防治技术领域。一种边坡支护结构，包括：多个间隔设置的支护单元；支护单元包括竖向桩、斜梁以及桩基础；斜梁的两端分别与竖向桩和桩基础连接；相邻竖向桩的顶端通过压顶梁连接，相邻桩基础之间通过地基梁连接。本发明在对边坡进行有效支护的同时，不需要大型设备，避免了大型设备进场就位困难或者对边坡的较大扰动，相对于单排或双排微型桩，受力更合理，抗变形能力更强，相对于多排微型桩，施工工期较短，造价低。
一种支护结构施工方法

[发明专利]基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件及其制备方法-CN201810725971.0有效
发明人：刘斌;岑旭;赵毅峰;张荣;陶涛;谢自力;周玉刚;陈敦军;韩平;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于III族氮化物半导体/量子点的混合型RGB微米孔LED阵列器件，设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的相互隔离的阵列式正方形台面结构，正方形台面上刻蚀形成微米孔；所述正方形台面结构每2*2个构成一个RGB像素单元，每个RGB像素单元的四个微米孔中，一个填充有红光量子点，另一个填充有绿光量子点。并公开其制备方法。本发明的微米孔LED阵列器件，反向漏电流低至10‑10A量级，并通过喷墨打印技术将II‑VI族核壳结构CdSe/ZnS的红光量子点、绿光量子点填充至微米孔内，红光量子点经蓝光Micro‑LED激发发红光，绿光量子点经蓝光Micro‑LED激发发绿光，实现了每个RGB像素单元的三色显示。
基于 iii 氮化物半导体量子混合 rgb 微米 led 阵列器件及其制备方法

[发明专利]一种基于REBCO超导带材的准圆截面高温超导导体-CN201810465627.2有效
发明人：施毅;张新涛;刘华军;刘方;马红军;雷雷;于敏;陈超 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01B12/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于REBCO超导带材的准圆截面高温超导导体，包括多个REBCO高温超导带材、多个铜筋板、密绕铜线，多个REBCO高温超导带材紧密整齐堆叠排列并扭转为堆叠结构，多个铜筋板环绕在堆叠结构外后整体由密绕铜线缠绕封装。本发明具有承载电流强、热稳定性能优良、结构简单、可扩展性强以及易于实现百米量级以上长导体制备等特点，可广泛应用于超导电力及大型超导磁体领域。
一种基于 rebco 超导截面高温导体

[发明专利]PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法-CN201810228701.9有效
发明人：刘斌;吴耀政;张荣;李振华;陶涛;谢自力;修向前;陈鹏;陈敦军;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种PA‑MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法，在C面GaN衬底上生长GaN薄膜，通过控制金属Ga源束流,衬底温度，氮气等离子体(N2plasma)流量和射频功率，生长出高晶体质量，高电子迁移率的单晶GaN薄膜。生长过程中，通过固定金属源束流，设定较低的生长速率；通过调节反射高能电子衍射(RHEED)的恢复时间，判定生长过程中的富Ga状态；通过调节衬底温度使得材料的生长模式从二维台阶生长模式+三维岛状生长模式转变为二维台阶生长模式。
pa mbe 同质外延质量 gan 薄膜制备方法

[发明专利]多径环境下基于DOA/TOA联合估计的车辆定位参数估计方法-CN201810566471.7有效
发明人：施毅;张善杰 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H04W4/02 文献下载
摘要：多径环境下基于DOA/TOA联合估计的车辆定位参数估计方法，采用利用车辆与路边设施之间的通信来提取定位参数，目标车辆与RSU之间的无线通信是遵循IEEE802.11p协议，在其无线信道中传播的是正交频分复用信号；通过对此信号的多径信道频率响应的分析来实现对DOA和TOA的联合参数估计，采用无迹卡尔曼滤波来降低信道噪声干扰以提高所述方法的整体性能；高速移动的车辆与路边单元RSU利用OFDM信号建立通信并采用基于旋转不变技术的总体最小二乘算法TLS‑ESPRIT来计算车辆定位参数，目标车辆的位置信息就可以依据被估计出的DOA和TOA来获取。
环境基于 doa toa 联合估计车辆定位参数估计方法

[发明专利]多孔网状结构GaN单晶薄膜、其制备方法及应用-CN201811016835.0有效
发明人：修向前;李悦文;张荣;华雪梅;谢自力;陈鹏;刘斌;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备多孔网状结构GaN单晶薄膜的方法，其步骤包括：在蓝宝石衬底上生长厚度范围在0.1‑2微米的氧化镓薄膜；氨气气氛下氮化，形成多孔网格状分布的GaN/Ga2O3复合薄膜；氢氟酸腐蚀，得到多孔化结构的GaN单晶薄膜。该方法制得的多孔网状结构GaN单晶薄膜及其在作为GaN厚膜的衬底材料上的应用。本发明可得到高质量多孔网状结构GaN单晶薄膜。进一步再氮化还可以提高多孔网状结构GaN单晶薄膜的晶体质量。在上述多孔网状结构GaN单晶薄膜上进行厚膜GaN的卤化物气相外延生长，可以获得低应力高质量的GaN厚膜材料。
多孔网状结构 gan 薄膜制备方法应用

[发明专利]采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法-CN201810440768.9有效
发明人：刘斌;李振华;谢自力;吴耀政;陶涛;修向前;施毅;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延超晶格插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在超晶格插入层上外延一层AlxGa(1‑x)N薄膜。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1‑x)N薄膜层之间生长超晶格插入层，能够缓解/消除AlxGa(1‑x)N薄膜表面裂纹的问题。本发明还通过设计程序，能够方便、快速和精确地控制Ga源和Al源挡板的开闭状态和氮气的流量，可以解决手动控制带来的不便和误差等问题，进而实现高质量的超晶格插入层的外延生长。
采用分子外延技术生长用于缓解消除铝镓氮薄膜表面裂纹晶格插入方法

[实用新型]一种图像声呐装置-CN201920871929.X有效
发明人：杨景华;施毅;黄明辉;黄山 -专利权人：云南海鹰海洋科技有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G01S7/521 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种图像声呐装置，控制模块连接有第一发射机和第二发射机，第一发射机连接有第一接收机，第一接收机连接有换能器基阵，换能器基阵和控制模块之间还连接有电机模块，电机模块用于控制换能器基阵的方位；第二发射机连接有第二接收机，第二接收机连接有测高换能器；换能器基阵和测高换能器设置在一个背衬板上，换能器基阵和测高换能器之间并联并通过聚氨酯密封，发射机包括发射信号形成电路、驱动电路、功率管、推挽变压器和电子开关；接收机包括前置放大电路、选频回路、混频电路、带通滤波电路和后置放大电路。本实用新型可避免相互干扰，结构简单，运行稳定可靠，密封性好。
一种图像声呐装置

[发明专利]一种土坡稳定监测方法-CN201911003896.8在审
发明人：吴露方;刘思骏;施毅;倪冰;林盛;陈征峰;朱君超 -专利权人：上海建工电子商务有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： E02D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种土坡稳定监测方法，包括如下步骤：在施工现场的待监测的土坡上水平插植一排水平杆；在待监测的土坡附近的安装图像采集装置，图像采集装置持续对水平杆位置拍摄图片，并将拍摄的图片上传至计算机中；计算机根据不同拍摄时间的图片中的同一根水平杆的高差，得出该水平杆的变形位移；根据同一张图片中的不同水平杆的高差，得出这些水平杆的相对变形位移；计算机判定同一根水平杆的变形位移或不同水平杆的相对水平位移超出预设的允许值时，计算机发出警示信息。该方法能够实现对土坡变形进行有效监测的目的，且操作简单、适用范围广、成本低廉且水平杆可重复使用。
一种土坡稳定监测方法

[发明专利]一种用于涂料外墙压线凹槽的施工方法-CN201911204561.2在审
发明人：郑李;李利鹏;汤运法;罗开汶;毕明洋;张原;郑海波;石旭月;施毅 -专利权人：上海宝冶集团有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： E04F21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于涂料外墙压线凹槽的施工方法，包括：对基层表面进行清理；在基层表面上固定若干个以预设间距设置的定位条；涂抹混凝砂浆并压实抹光；将全部所述定位条拆除。上述用于涂料外墙压线凹槽的施工方法操作简单、成型效果好，通过在外墙抹灰前预埋定位条，并在涂刷腻子前将定位条拆除，以形成外墙压线凹槽，从而可以达到外墙凹凸错落的效果，与传统设置装饰条或装饰面板的方法，上述设置方式在保证成型效果的基础上可以大大节约成本。
一种用于涂料外墙凹槽施工方法

[发明专利]一种制备自支撑GaN衬底材料的方法-CN201710691390.5有效
发明人：修向前;李悦文;张荣;华雪梅;谢自力;陈鹏;韩平;陆海;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制备自支撑GaN衬底材料的方法，在衬底如蓝宝石或硅片上用水热法生长氧化镓纳米柱有序阵列，并在氨气气氛中对氧化镓纳米柱进行部分或全部氮化形成氮化镓包覆氧化镓即GaN@Ga
一种制备支撑 gan 衬底材料方法

[发明专利]一种二维过渡金属硫属化合物薄膜大面积转移的方法及其应用-CN201910852628.7在审
发明人：王欣然;李卫胜;施毅 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开一种二维过渡金属硫属化合物薄膜大面积转移的方法及其应用，该方法为：制备大面积二维过渡金属硫属化合物薄膜；采用范德瓦尔斯外延生长技术和原子层沉积技术在过渡金属硫属化合物薄膜表面依次沉积单层有机染料分子薄膜和介电质薄膜，再涂覆一层聚合物薄膜；利用水渗透分离的原理，分离得到过渡金属硫属化合物/单层有机染料分子/介电质/聚合物复合薄膜，与目标衬底结合，去除聚合物薄膜，即完成转移。转移的二维过渡金属硫属化合物薄膜具有大面积的完整性及无污染的界面。转移的二维过渡金属硫属化合物/单层有机染料分子薄膜‑介电质薄膜可用作电子器件的沟道层和介电层，具有极低的漏电和界面态，可有效降低电子器件工作电压。
过渡金属硫属化合物薄膜二维有机染料分子介电质薄膜聚合物薄膜电子器件单层聚合物复合薄膜原子层沉积技术外延生长技术范德瓦尔斯漏电薄膜表面沉积单层工作电压沟道层界面态介电层介电质水渗透衬底可用涂覆去除制备应用

[发明专利]一种GaN纳米结构阵列生长方法-CN201611113575.X有效
发明人：修向前;陈琳;陈丁丁;李悦文;华雪梅;谢自力;张荣;韩平;陆海;顾书林;施毅;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底放入CVD管式炉生长系统中，开始GaN纳米结构生长；先在低温下生长GaN缓冲层，然后升温至高温开始生长GaN纳米阵列；缓冲层生长温度：500–1000℃，纳米线阵列生长温度1000‑1150℃；高纯N₂作为载气，总N₂载气流量0.5‑5slm。
一种 gan 纳米结构阵列生长方法

[发明专利]一种基于双栅极单电子晶体管的电子生物传感器及制备方法-CN201710239206.3有效
发明人：沈昊宇;施毅;李欣幸;秦华 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：一种双栅极单电子晶体管生物传感器，结构如下，包括SOI绝缘衬底（1）﹑衬底上为硅量子点层（2）﹑介质层（3）﹑源极（4）﹑漏极（5）﹑侧栅极（6）﹑顶栅（7），顶栅包括功能薄膜的样品容器（8）；绝缘衬底（1）上的顶层硅是经过处理减薄到80±20nm左右制备源极﹑漏极﹑侧栅极﹑顶栅；所述的硅量子点沟道层是刻蚀方式在衬底上；硅量子点层上的所述的源极﹑漏极﹑侧栅极通过微加工方法在顶层硅上刻蚀出丁字型且三个极均留有间隙；单电子晶体管上生长出一层Al₂O₃的高K介质层，所述的顶栅(7)是通过模板在高介质层上面制作一个顶栅。
一种基于栅极电子晶体管生物传感器制备方法