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[发明专利]细菌在影响动物瘦肉率和/或脂肪含量中的应用-CN201910604501.3有效
发明人：黄路生;陈从英;方绍明;杨慧 -专利权人：江西农业大学
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明提供了细菌在影响动物瘦肉率中的应用。其中所述细菌包括具有降低动物瘦肉率功能的普氏菌属中的细菌包括寇氏普氏菌(Prevotella copri)、口颊普雷沃菌(Prevotella buccalis)、中间普雷沃菌(Prevotella intermedia)和多形性普氏菌(Prevotella multiformis)中的至少一种；具有提高瘦肉率功能的乳酸菌属中的细菌包括罗伊氏乳杆菌(Lactobacillus reuteri)、唾液乳杆菌(Lactobacillus salivarius)，双歧杆菌属中的细菌长双岐杆菌(Bifidobacterium longum)和粪杆菌属中的普拉梭菌(Faecalibacterium prausnitzii)中的至少一种。
细菌影响动物瘦肉脂肪含量中的应用

[发明专利]一种可延长猪精液常温存活期的稀释液制剂-CN202110607911.0有效
发明人：蓝群;谢颖瑜;肖天放;方绍明;林瑞意;周劢;李家权;赵芳露;陈德军 -专利权人：福建农林大学;福建数字蜂巢科技有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： A01N1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种可延长猪精液常温存活期的稀释液制剂，所述稀释液制剂是将抗氧化剂加入到基础稀释液中混合制得，抗氧化剂和基础稀释液质量体积比g/L为0.03～0.15：1，每升基础稀释液含有以下质量原料：葡萄糖为15.0～50.0g、乙二胺四乙酸0.5～5.0g、茶多酚0.2～0.5g、柠檬酸钠二水合物5.0～15.0g、碳酸氢钠0.05～5.0g、氯化钾0.02～3.0g，所述抗氧化剂由质量比为0.3～0.8:2～5:1.3～2:1的芹菜素、咖啡酸苯乙酯、香豆酸和白花丹提取物制得，本发明优化稀释液制剂的基本原料和用量比例，提高在常温条件下延长猪精液存活期，并且维持与受精能力相关的精子指标，为获得高品质、高产量、低成本的常温储存猪精液具有一定指导意义。
一种可延长精液温存活期稀释液制剂

[实用新型]一种炼铁高炉风口小套捣料器-CN202122487327.4有效
发明人：李名华;廖永强;李日富;方绍明;曾宇星;王铁山 -专利权人：萍乡萍钢安源钢铁有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C21B7/16 文献下载
摘要：一种炼铁高炉风口小套捣料器，包括捣料平台、捣料座、捣料定位杆、振动电机，其特征在于，捣料平台由捣料座支撑，其间设置有弹簧，振动电机通过槽钢固定在捣料平台底面；捣料平台的上端面均匀固定支撑螺栓，基准环通过锁紧螺母安装在支撑螺栓上，横向螺母焊接在基准环上端面，横向定位螺栓与横向螺母配合；捣料定位杆安装在基准环内，其一端固定在捣料平台上，捣料定位杆与基准环同轴。本实用新型的一种炼铁高炉风口小套捣料器，通过改变相关部件尺寸，可实现各种规格的风口小套的简单再加工，以方便适应高炉生产需要，减少风口小套备件储备。
一种炼铁高炉风口小套捣料器

[发明专利]LDMOS器件以及LED驱动芯片-CN202010255331.5在审
发明人： 方绍明;戴文芳;李照华 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种LDMOS器件以及LED驱动芯片，其中，LDMOS器件通过将场氧化层布置于漂移区的上表面，且将电阻条布置于场氧化层的上表面，电阻条与漂移区互不接触，并将电阻条的第一端和漏电极连接且电阻条的第二端靠近LDMOS器件的源极，从而实现了在LDMOS器件集成电阻条的同时，避免了电阻条对漂移区的影响，保证了漂移区各点的电场分布均匀，避免了LDMOS击穿电压的降低，解决了传统的技术方案中存在的无法提供一种集成漂移区电阻的LDMOS器件问题。LED驱动芯片通过加入恒功率电路和内部集成了电阻的LDMOS器件，在实现对光源的恒功率调节的同时，节省了LED驱动芯片以及其所在的系统的空间。
ldmos 器件以及 led 驱动芯片

[发明专利]一种集成电路及其晶体管器件以及制备方法-CN202010255413.X在审
发明人： 方绍明;戴文芳;李照华 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路及其晶体管器件以及制备方法，晶体管器件包括第一MOS管和第二MOS管，通过将第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极共同形成于第一掺杂区中，且第一掺杂区与集成电路的一管脚耦接，第二MOS管的栅极、源极及衬底接地，使得第二MOS管集成于第一MOS管中且与第一MOS管串联，从而使得第二MOS管可以将管脚和第一MOS管的浪涌电流泄放到地，从而对第一MOS管和其所在的集成电路实现了ESD抑制，即本晶体管器件可不通过额外接入浪涌防护器件的方式，仅自身便可以实现ESD抑制，解决了传统的技术方案中存在无法进行ESD浪涌保护占用集成电路空间大的问题。
一种集成电路及其晶体管器件以及制备方法

[发明专利]半导体器件的双钝化层结构及其制备方法-CN202010222808.X在审
发明人： 方绍明;李照华;戴文芳 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的双钝化层结构的制备工艺，包括如下步骤：提供半导体基板，所述半导体基板包括基板以及设置在所述基板上的金属阵列；在所述半导体基板的金属阵列所在的表面制备第一钝化层；在所述第一钝化层背离所述半导体基板的一侧表面沉积聚合物，制备第二钝化层；对所述第二钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行光刻处理，得到间隔设置的第二钝化层，所述间隔设置的第二钝化层设置在所述金属阵列之间；对所述第一钝化层覆盖所述金属阵列的区域进行刻蚀处理，得到间隔设置的双钝化层结构，所述间隔设置的双钝化层结构设置在所述金属阵列之间，其中，未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。本工艺简单，时间短，成本低。
半导体器件钝化结构及其制备方法

[实用新型]半导体器件结构-CN202020412036.1有效
发明人： 方绍明;李照华;戴文芳 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括半导体基板以及设置在所述半导体基板上的双钝化层，其中，所述半导体基板包括一基底以及设置在所述基板上的金属阵列；所述双钝化层包括设置在所述金属阵列之间，所述双钝化层包括依次设置在所述半导体基板上的第一钝化层和第二钝化层，且未设置双钝化层结构的区域形成压焊窗口。所提供的半导体器件的双钝化层结构的钝化保护效果优异，使所述半导体器件的双钝化层结构的适用性更广泛，使用更灵活。
半导体器件结构

[实用新型]LDMOS器件以及LED驱动芯片-CN202020471135.7有效
发明人： 方绍明;戴文芳;李照华 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种LDMOS器件以及LED驱动芯片，其中，LDMOS器件通过将场氧化层布置于漂移区的上表面，且将电阻条布置于场氧化层的上表面，电阻条与漂移区互不接触，并将电阻条的第一端和漏电极连接且电阻条的第二端靠近LDMOS器件的源极，从而实现了在LDMOS器件集成电阻条的同时，避免了电阻条对漂移区的影响，保证了漂移区各点的电场分布均匀，避免了LDMOS击穿电压的降低，解决了传统的技术方案中存在的无法提供一种集成漂移区电阻的LDMOS器件问题。LED驱动芯片通过加入恒功率电路和内部集成了电阻的LDMOS器件，在实现对光源的恒功率调节的同时，节省了LED驱动芯片以及其所在的系统的空间。
ldmos 器件以及 led 驱动芯片

[实用新型]一种集成电路及其晶体管器件-CN202020471447.8有效
发明人： 方绍明;戴文芳;李照华 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路及其晶体管器件，晶体管器件包括第一MOS管和第二MOS管，通过将第一MOS管的源极和第二MOS管的漏极共同形成于第一掺杂区中，且第一掺杂区与集成电路的一管脚耦接，第二MOS管的栅极、源极及衬底接地，使得第二MOS管集成于第一MOS管中且与第一MOS管串联，从而使得第二MOS管可以将管脚和第一MOS管的浪涌电流泄放到地，从而对第一MOS管和其所在的集成电路实现了ESD抑制，即本晶体管器件可不通过额外接入浪涌防护器件的方式，仅自身便可以实现ESD抑制，解决了传统的技术方案中存在无法进行ESD浪涌保护占用集成电路空间大的问题。
一种集成电路及其晶体管器件

[发明专利]一种兼容低压工艺的高压器件制作方法-CN201810785430.7有效
发明人：郑玉宁;方绍明 -专利权人：深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼容低压工艺的高压器件制作方法包括以下步骤：S1：材料准备：取用P型衬底硅片，且取用的P型衬底硅片的电阻率的范围为15～25Ω·cm；S2：AA沉积：将S1中所述的P型衬底硅片进行预氧化氮化硅AA光刻、AA刻蚀和AA去胶处理，得到沉积完成的P型衬底硅片；S3：HNW注入：向S2中所述的沉积完成的P型衬底硅片上的HNW区域内注入杂质磷，且注入能量350KeV、注入剂量1.3E12atoms/cm2；S4：NW光刻：向S3中所述的注入完成的P型衬底硅片上的NW区域注入磷，且注入能量350KeV、注入角度7°后进行去胶处理。本发明在高压器件的制作过程中完全保留低压器件的参数，不影响低压器件特性，实现缩短开发周期、提高产品成功率的目的。
一种兼容低压工艺高压器件制作方法

[发明专利]改善猪肉质的MYH4基因分子标记及在猪遗传改良中的应用-CN201710406485.8有效
发明人：黄路生;陈从英;熊信威;方绍明;宿英 -专利权人：江西农业大学
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C12N15/11 文献下载
摘要：本申请涉及改善猪肉质的MYH4基因分子标记及在猪遗传改良中的应用，包括如下至少一种：(I)SEQ ID No.1上的从5’端起的第11031位点的核苷酸Y；(II)SEQ ID No.2上的从5’端起的第1780位点的核苷酸Y，(III)与SEQ ID No.1和/或SEQ ID No.2具有90％以上的一致性的核苷酸序列III上的SNP标记，与SEQ ID No.1上的从5’端起的第11031位点的SNP标记具有一致性；其中，所述核苷酸序列III能够在所述猪中翻译出与如SEQ ID No.3具有相同功能蛋白质；(VI)与(I)至(III)中的至少一种中SNP的连锁不平衡程度r2≥0.8的SNP标记；所述Y选自C或T。
改善猪肉 myh4 基因分子标记遗传改良中的应用

[实用新型]一种平面MOS终端截止环的打孔结构-CN201820993623.7有效
发明人：林晓楷;方绍明;刘竹 -专利权人：深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平面MOS终端截止环的打孔结构，包括截止环本体，所述截止环本体包括第一导电类型漏极区，所述第一导电类型漏极区的顶部设有N+单晶硅衬底，所述N+单晶硅衬底的顶部设有N‑外延层，所述N‑外延层的顶部设有N+源极区层，所述N+源极区层的顶部设有绝缘介质层，所述绝缘介质层的顶部设有截止环金属区层，所述截止环本体还包括：多晶硅层，所述多晶硅层与N+源极区层相接触，所述多晶硅层的顶部和侧壁均与绝缘介质层接触；第一接触孔，所述第一接触孔贯穿绝缘介质层延伸至与多晶硅层相接触。本实用新型设计合理，实用性能高，在截止环区的四个角落打第二接触孔，实现缩小芯片尺寸、降低生产成本的目的。
截止环绝缘介质层多晶硅层接触孔源极区第一导电类型单晶硅本实用新型打孔结构漏极区外延层衬底终端实用性能金属区侧壁芯片贯穿延伸

[实用新型]用于形成电阻的半导体结构-CN201821238246.2有效
发明人：郑玉宁;方绍明 -专利权人：深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种用于形成电阻的半导体结构。所述用于形成电阻的半导体结构包括位于半导体衬底上的场氧化层，所述场氧化层隔离出第一有源区；位于所述第一有源区宽度第一侧上方的第一掩膜层；位于所述第一有源区宽度第二侧上方的第二掩膜层；所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间的距离等于电阻的宽度。所述用于形成电阻的半导体结构能够提高所形成的电阻的尺寸精度。
电阻半导体结构掩膜层源区场氧化层衬底半导体隔离

[实用新型]电源管理芯片-CN201821236029.X有效
发明人：郑玉宁;方绍明 -专利权人：深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种电源管理芯片。所述电源管理芯片包括：位于半导体衬底的低压逻辑控制电路；采用低压工艺制作于所述半导体衬底的高压JFET，所述高压JFET包括：位于所述半导体衬底的深N阱区；位于所述深N阱区中的内部P阱区，所述内部P阱区上表面与所述深N阱区上表面齐平，所述内部P阱区的底面和侧面被所述深N阱区包围；所述内部P阱区具有栅极重掺杂区，所述深N阱区具有源极重掺杂区和漏极重掺杂区，所述栅极重掺杂区位于所述源极重掺杂区和所述漏极重掺杂区之间；所述内部P阱区到所述漏极重掺杂区的剖面距离为20μm～30μm。所述电源管理芯片可以采用低压工艺制作，降低成本，缩短设计周期，保证工艺良率。
深N阱电源管理芯片漏极重掺杂区衬底半导体源极重掺杂区低压工艺重掺杂区上表面齐平低压逻辑控制电路设计周期区包围上表面底面良率制作侧面保证

[实用新型]一种LED驱动电路的过温保护电路-CN201821102265.2有效
发明人：刘圭;彭军其;方绍明 -专利权人：深圳元顺微电子技术有限公司;厦门元顺微电子技术有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED驱动电路的过温保护电路，包括运算放大器，所述运算放大器的第一输入端连接有第三电阻的一端和第五电阻的一端，所述运算放大器的第二输入端连接有第四电阻的一端和第二三极管的发射极，所述运算放大器的输出端连接有第三电阻的另一端、第四电阻的另一端、第一三极管的集电极和电路输出端，所述第一三极管的基极连接第一电阻的一端和第二电阻的一端，所述第一三极管的发射极连接第二电阻的另一端。本实用新型实用性强，当温度升高时，对LED灯的基准电压进行抽电流，将基准电压拉低，在应用中，给人眼的感觉是随着LED灯温度升高，LED灯慢慢变暗，灯亮暗变化柔和，人眼感觉比较舒适。
电阻运算放大器三极管过温保护电路本实用新型输入端连接基准电压人眼电路输出端发射极连接输出端连接基极连接发射极集电极变暗灯亮柔和应用

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