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[实用新型]一种新型中频炉烟气蒱集净化装置-CN201921238257.5有效
发明人：文宏;文立斌 -专利权人：甘肃机电职业技术学院（甘肃省机械工业学校、甘肃省机械高级技工学校）
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： B08B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型中频炉烟气蒱集净化装置，包括：平台、通风槽、集尘小车；所述平台后侧的顶部安装有通风槽，且通风槽的上部滑动配合有集尘小车；所述平台的正上方通过立柱支撑固定有双轨，且双轨的顶部滑动配合有移动小车；所述移动小车的正上方通过立柱支撑固定有出铁排烟管；本实用新型通过对一种新型中频炉烟气蒱集净化装置的改进，具有结构合理，采用钳形环罩与移动式顶吸罩相结合的方式高效捕集烟尘，降低区域岗位粉尘浓度的优点，从而有效的解决了中频炉熔炼工艺全程产生的高温烟尘无法用现有的移动式顶吸罩进行高效捕集的问题和不足。
一种新型中频烟气净化装置

[实用新型]一种晶格失配的五结太阳能电池-CN201921181197.8有效
发明人：刘恒昌;刘建庆;文宏;高熙隆;刘雪珍;黄珊珊;黄辉廉 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶格失配的五结太阳能电池，在Ge衬底上依次设有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaInAs DBR反射层、AlGaInAs晶格渐变缓冲层、第一GaInAs子电池、第二GaInAs子电池、第一GaInP子电池、第二GaInP子电池和GaInAs帽层，GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaInAs DBR反射层与Ge衬底晶格匹配，第一GaInAs子电池、第二GaInAs子电池、第一GaInP子电池和第二GaInP子电池的外延层与Ge衬底晶格失配，且各外延层之间保持晶格匹配。本实用新型可以有效提升子电池载流子收集效率和电池填充因子，从而提升五结太阳能电池的光电转换效率；与大多数五结电池相比，该结构无需生长高质量生长条件苛刻的GaInNAs外延层，产品开发难度和规模化生长成本大幅降低。
一种晶格失配太阳能电池

[发明专利]一种耐高低温聚丙烯材料及其制备方法和应用-CN201911310297.0在审
发明人：王泽方;李志松;文宏;金相玟;河贤洙 -专利权人：大韩道恩高分子材料（上海）有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种耐高低温聚丙烯材料及其制备方法和应用，属于材料领域。本发明提供的耐高低温聚丙烯材料包括如下质量百分含量的制备原料：聚丙烯60～90％，EPDM 2～20％，SEBS 5～25％，辅助制剂0.1～5％。在本发明中，所述聚丙烯具有较好的耐冲击性，EPDM具有优异的耐低温性，SEBS具有较好的稳定性和耐老化性，同时EPDM和SEBS作为增韧剂，具有协同作用，可提高聚丙烯的耐高低温性能。
一种低温聚丙烯材料及其制备方法应用

[实用新型]应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层-CN201921181179.X有效
发明人：刘建庆;高熙隆;文宏;刘雪珍;刘恒昌 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底(或与衬底晶格常数相同的外延层)之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。本实用新型将具有宽谱反射的复合DBR有机融合入晶格渐变缓冲层中，既可以大幅降低晶格失配外延材料生长引入的大量位错等缺陷密度，又可以充分发挥反射镜的作用，同时缩减工艺步骤、生长时长和原材料损耗，有利于降低成本。
应用于晶格失配太阳能电池外延生长渐变缓冲

[实用新型]一种含有多层DBR结构的太阳能电池-CN201921182058.7有效
发明人：刘恒昌;刘建庆;文宏;高熙隆;刘雪珍;黄珊珊;黄辉廉 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含有多层DBR结构的太阳能电池，包括衬底及按层状结构依次叠加在衬底上的多个子电池，在多个子电池之下各增加有一层DBR结构；DBR结构反射的光能范围应处于相应子电池能够利用的光能范围内，DBR结构要求其材料带隙高于位于光路下游的子电池的带隙，保证DBR结构对于光路下游的子电池能够利用的光能是透明的；DBR结构要求与相应子电池晶格匹配，相邻子电池之间的晶格常数差距不超过1％。本实用新型可同时起到提升电池抗辐照性能、过滤位错的作用，尤其适用于子电池材料生长条件苛刻，生长质量不佳的太阳能电池，可以实现在光吸收效率不减少的情况下，降低功能层厚度，从而降低新电池开发难度，极大拓展子电池功能层材料选择范围的目的。
一种含有多层 dbr 结构太阳能电池

[实用新型]一种降低磨擦片损耗的多孔制动盘-CN201920711339.0有效
发明人：文宏;张军 -专利权人：湖北省机电研究设计院股份公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： F16D65/12 文献下载
摘要：一种降低磨擦片损耗的多孔制动盘，包括制动盘盘体，制动盘盘体摩擦面上分布有若干散热通孔，所述散热通孔由二个相反方向的同轴锥形孔一和锥形孔二连接构成，其中锥形孔一位于摩擦面侧，锥形孔一沿轴向由外向内直径由大自小渐变形成过渡斜面，锥形孔二位于制动盘盘体内侧。本实用新型在制动盘的内外两个摩擦面的每个孔周边,设计出过渡斜面,制动过程中,摩擦片与摩擦面上的孔接触由原来的直角变为钝角,减小了孔对摩擦片的剪切力,大大减缓盘面孔对摩擦片的刮割和剪切作用,大幅降低摩擦片的损耗,减少摩擦片的更换频次，节约成本和时间，提高经济效益。
一种降低磨擦损耗多孔制动

[实用新型]一种3D打印用高温耗材拉丝设备-CN201920733327.8有效
发明人：文宏 -专利权人：甘肃机电职业技术学院（甘肃省机械工业学校、甘肃省机械高级技工学校）
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： B29C55/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种3D打印用高温耗材拉丝设备包括底板，所述底板顶端的一端安装有加热仓，所述加热仓的外侧安装有电加热管，所述加热仓一端的底板上均匀安装有第三导向轮，所述加热仓一侧的底板上安装有控制面板，所述加热仓远离第三导向轮一端的底板上安装有冷却仓，所述冷却仓靠近加热仓的一端开设有进料口。本实用新型通过气泵、回风管、吸风头和落料口的相互配合使用，当耗材在经过成型孔位置后，耗材的直径变小，同时成型板位置处会掉落大量的耗材微粒，此时吸风头会将冷却仓内部漂浮的微粒进行吸除，冷却仓内部剩余的耗材微粒会通过落料口离开装置并被收集使用，可以保持装置在进行拉丝作业时内部环境的干净整洁。
一种打印高温耗材拉丝设备

[实用新型]一种3D打印挤出喷头-CN201920733346.0有效
发明人：张晓刚;文宏 -专利权人：甘肃机电职业技术学院（甘肃省机械工业学校、甘肃省机械高级技工学校）
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： B29C64/209 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种3D打印挤出喷头包括外壳，所述外壳的内部安装有储料仓，所述储料仓的一端安装有旋转仓，所述外壳靠近旋转仓一端的底端开设有卸料孔，所述卸料孔的内部设置有塞子，所述外壳的一侧安装有第一支架，所述第一支架的顶端安装有驱动电机，所述驱动电机的输出端穿过外壳，且驱动电机的输出端安装有转盘，所述转盘的外侧均匀安装有挡片。本实用新型通过驱动电机、转盘和挡片的相互配合使用，控制开启驱动电机，驱动电机带动转盘和挡片在外壳的内部旋转，可以对落入储料仓内部的打印材料进行挤压，减小打印材料在加料过程中产生的间隙，提高了喷头喷洒打印材料混合物的混合质量，提高了打印效果。
一种打印挤出喷头

[发明专利]倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池及其制备方法-CN201911212391.2在审
发明人：黄辉廉;黄珊珊;文宏;叶旺;刘建庆 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池及其制备方法，包括采用倒装方式在GaAs衬底上依次生长的AlGaInP双异质结子电池、GaAs子电池、Ga
结子双异质电池子电池衬底太阳能电池渐变层倒装生长柔性太阳能电池开路电压双异质结填充因子应用场景电极光电流隧道结下电极带隙粘结制备匹配剥离支撑

[发明专利]长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器-CN201911212035.0在审
发明人：黄珊珊;黄辉廉;文宏;叶旺;刘建庆 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器，包括n型GaAs衬底，n型GaAs衬底上表面由下至上依次设置有n型GaAs缓冲层、n型DBR、非掺杂量子点有源层和p型DBR，在p型DBR上制备有上电极，在n型GaAs衬底的下表面制备有下电极；非掺杂量子点有源层由非掺杂GaInNAs/InGaAs复合量子点和非掺杂GaAs势垒层混合而成，非掺杂GaInNAs/InGaAs复合量子点的内部为呈3D岛状结构的GaInNAs量子点，外部为InGaAs包覆层，通过调整InGaAs包覆层中的铟的含量来缓冲GaInNAs量子点与非掺杂GaAs势垒层间由晶格常数差异导致的应力，通过调整GaInNAs量子点中的氮及铟的含量来控制激光器的发射波长达到1.31至1.55μm。本发明具有更低的阈值电流、更窄的光谱线宽、更高的功率输出等特性。
非掺杂量子点复合量子点包覆层势垒层衬底源层制备光谱线垂直腔面发射激光器晶格常数差异衬底上表面控制激光器岛状结构发射波长功率输出依次设置阈值电流电极长波长下表面下电极缓冲与非掺杂外部

[发明专利]应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层-CN201910677591.9在审
发明人：刘建庆;高熙隆;文宏;刘雪珍;刘恒昌 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于晶格失配太阳能电池外延生长的晶格渐变缓冲层，位于晶格失配太阳能电池的晶格失配外延材料和衬底(或与衬底晶格常数相同的外延层)之间，由多套具有不同反射波段的复合DBR叠置而成，每套复合DBR由多对叠置在一起的DBR对构成，且相邻DBR对之间的晶格常数呈梯度变化，每对DBR对包含两层半导体材料层，该两层半导体材料层的折射率不同但晶格常数相同或存在能够达到应变补偿的失配。本发明将具有宽谱反射的复合DBR有机融合入晶格渐变缓冲层中，既可以大幅降低晶格失配外延材料生长引入的大量位错等缺陷密度，又可以充分发挥反射镜的作用，同时缩减工艺步骤、生长时长和原材料损耗，有利于降低成本。
晶格失配晶格渐变缓冲层半导体材料层太阳能电池晶格常数外延材料复合两层原材料损耗衬底晶格反射波段工艺步骤梯度变化外延生长应变补偿有机融合生长反射镜外延层折射率衬底叠置对叠宽谱失配时长位错反射引入应用

[发明专利]一种柔性双面太阳能电池及其制备方法-CN201910677563.7在审
发明人：叶旺;潘旭;文宏;张露;黄珊珊;黄辉廉 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性双面太阳能电池及其制备方法，包括通过金属电极连接的正面砷化镓多结太阳能电池单元和背面钙钛矿太阳能电池单元；正面砷化镓多结太阳能电池单元以GaAs单晶片为衬底，在其上依次生长有GaAs缓冲层、AlAs牺牲层、GaInP子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第一隧道结、用于减少位错的(Al_xGa_1‑x)_1‑_yIn_yAs梯度缓冲层和GaInAs子电池，金属电极制作在GaInAs子电池上；而后湿法腐蚀掉AlAs牺牲层，将上述外延结构和金属电极从衬底剥离，剥离后在GaInP子电池上制作正面电极；背面钙钛矿太阳能电池单元包括沉积在金属电极上的石墨‑钙钛矿混合层和沉积在石墨‑钙钛矿混合层上的ITO透明电极。本发明不仅能提高对太阳光的利用率，增加光电转换效率，且制作成柔性产品，质量轻、便于携带。
子电池金属电极钙钛矿多结太阳能电池太阳能电池单元石墨混合层砷化镓隧道结牺牲层沉积背面制作双面太阳能电池光电转换效率便于携带衬底剥离柔性产品湿法腐蚀外延结构正面电极单晶片缓冲层太阳光衬底位错制备剥离生长

[发明专利]一种晶格失配的五结太阳能电池及其制备方法-CN201910676835.1在审
发明人：刘恒昌;刘建庆;文宏;高熙隆;刘雪珍;黄珊珊;黄辉廉 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶格失配的五结太阳能电池及其制备方法，在Ge衬底上依次设有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaInAs DBR反射层、AlGaInAs晶格渐变缓冲层、第一GaInAs子电池、第二GaInAs子电池、第一GaInP子电池、第二GaInP子电池和GaInAs帽层，GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaInAs DBR反射层与Ge衬底晶格匹配，第一GaInAs子电池、第二GaInAs子电池、第一GaInP子电池和第二GaInP子电池的外延层与Ge衬底晶格失配，且各外延层之间保持晶格匹配。本发明可以有效提升子电池载流子收集效率和电池填充因子，从而提升五结太阳能电池的光电转换效率；与大多数五结电池相比，该结构无需生长高质量生长条件苛刻的GaInNAs外延层，产品开发难度和规模化生长成本大幅降低。
子电池外延层太阳能电池衬底晶格成核层缓冲层失配高质量生长条件晶格渐变缓冲层载流子收集效率电池填充因子光电转换效率产品开发晶格匹配规模化生长衬底帽层种晶制备匹配电池

[实用新型]一种抗干扰3D打印交流接触器外壳-CN201920035346.3有效
发明人：文宏 -专利权人：甘肃机电职业技术学院（甘肃省机械工业学校、甘肃省机械高级技工学校）
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01H50/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗干扰3D打印交流接触器外壳，包括底座，所述底座顶部的中间位置处设置有壳体，所述壳体的外侧设置有防护罩，所述防护罩的内侧设置有与壳体相互适配的卡槽，且卡槽与壳体相互卡合，所述壳体两侧的中间位置处皆设置有定位槽，所述防护罩的外侧设置有吸波层，所述吸波层的外侧设置有导电金属层。本实用新型装置通过吸波层、导电金属层和胶粘剂的相互配合，使得防护罩具有电导率和磁导率材料构成的多层结构，实现多层屏蔽的效果，抗电磁衰减率较高，抗干扰效果更好，装置通过L型固定板、滑竿、滑块、弹簧和按压块的相互配合，对防护罩进行固定，安装拆卸更加的方便，固定效果更好。
防护罩壳体外侧设置吸波层交流接触器外壳本实用新型导电金属层抗干扰打印电导率磁导率材料抗干扰效果胶粘剂底座顶部多层结构固定效果壳体两侧按压块定位槽衰减率屏蔽弹簧多层滑竿滑块卡槽卡合适配拆卸底座配合

[实用新型]一种低气味高透明超高流动性聚丙烯的制备装置-CN201822113586.9有效
发明人：邵有国;文宏;祁乔宇;张浩;李志松 -专利权人：大韩道恩高分子材料（上海）有限公司;山东道恩高分子材料股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： B29B9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低气味高透明超高流动性聚丙烯的制备装置，包括：位于挤出机进料口上侧的中间料斗，中间料斗上方设有用于对原料进行精密称重的失重称，失重称的上方设有高速混料机；挤出机上还设有引发剂加注口，加注口上方依次连接有精密计量泵与引发剂罐；挤出机上在引发剂加注口的下游还设有真空脱挥装置，在挤出机模头的出口处还设有用于截住混合物中不熔物和聚合物凝胶的滤网和自动换网器，使反应后的熔体从挤出机模头顺畅流出；挤出机模头出口流向冷却装置；冷却水槽下游依次设置高效除水装置、切粒机、振动筛、接料斗及若干串联的循环烘料仓。利用本装置可进一步改善产品的透明性、低气味和低挥发性。
挤出机模头低气味加注口聚丙烯超高流动性制备装置中间料斗高透明引发剂失重挤出本实用新型高速混料机精密计量泵聚合物凝胶出口流向除水装置低挥发性冷却水槽冷却装置脱挥装置依次连接依次设置引发剂罐混合物不熔物换网器挤出机接料斗进料口切粒机振动筛称重烘料滤网熔体串联精密流出