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[发明专利]氮化镓双向开关器件-CN202310829685.X在审
发明人：何俊蕾;林志东;林育赐;刘成;徐宁;房育涛;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种氮化镓双向开关器件，包括基底，包括有源区和终端区；基底包括：衬底、外延层；外延层包括叠设的第一半导体叠层和第二半导体层，两者之间具有二维电子气；第一电极和第二电极，间隔设置在第二半导体层的表面上；两个栅极，间隔设置在第一电极和第二电极之间；第一级场板介质层，设置在第二半导体层上；两个第一级场板金属，设置在场板介质层上，间隔设置于两个栅极之间，两个第一场板金属中，靠近一个栅极的一个第一级场板金属到对应的栅极的距离与靠近另一个栅极的另一第一级场板金属到对应的栅极的距离相等；两个第一级场板金属沿栅极的延伸方向从有源区延伸至终端区，并在终端区通过第一互连金属进行连接。该器件能够提高器件耐压。
氮化双向开关器件

[发明专利]一种外延结构及其制备方法-CN202310696044.1在审
发明人： 房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。
一种外延结构及其制备方法

[发明专利]一种外延结构及其制备方法-CN202110719527.X有效
发明人： 房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。
一种外延结构及其制备方法

[发明专利]氮化镓双向开关器件及其制备方法-CN202111160681.4有效
发明人：何俊蕾;林志东;林育赐;刘成;徐宁;房育涛;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种氮化镓双向开关器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。器件包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和间隔设于有源区内势垒层上的第一电极和第二电极；还包括在第一电极和第二电极之间且间隔的两栅极、位于势垒层上且将第一电极、第二电极、两栅极隔离的第一级场板介质层；第一级场板介质层在有源区之外且自远离衬底的一面设有第一凹槽，第一凹槽自第一级场板介质层延伸至衬底内，氮化镓双向开关器件还包括通过第一互连金属连接的两第一级场板金属，部分第一互连金属填充于第一凹槽内，且第一凹槽内的第一互连金属与第一凹槽的侧壁之间设有第一绝缘层。该器件能够降低器件的体积，提高器件耐压。
氮化双向开关器件及其制备方法

[发明专利]HEMT器件及其制造方法-CN202211327142.X在审
发明人： 房育涛;王倩;叶念慈;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种HEMT器件及其制造方法，该HEMT器件包括：包括：衬底；外延层，其设置在衬底上，外延层包括：第一半导体叠层和设置在第一半导体叠层上的第二半导体层；第一半导体叠层和第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气；端子层，其包括设置在第二半导体层上且间隔布置的源极、漏极和栅极；导电层，其设置外延层内并位于衬底与二维电子气之间；电耦合结构，其从栅极向外延层内延伸并与导电层连接，用于将导电层电耦合至栅极；高阻结构，其至少部分地设在导电层与二维电子气之间，以及电耦合结构与二维电子气之间。该HEMT器件能够有效降低HMTE器件高电压下栅极的电场强度，从而提高器件的击穿电压。
hemt 器件及其制造方法

[发明专利]基于硅衬底的氮化物外延结构及其制作方法和半导体器件-CN202211386221.8在审
发明人：刘浪;房育涛;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于硅衬底的氮化物外延结构及其制作方法和半导体器件，涉及半导体领域。在该制作方法中，通过先后以低温和高温分别生长第一AlN层和第二AlN层可以获得低位错密度的复合AlN成核层。而高晶体质量的复合AlN成核层与硅衬底具有较好的界面浸润性，能够减缓GaN基缓冲层应力弛豫，增加外延薄膜中存储应力，减小异质外延中GaN基缓冲层的位错密度从而改善器件电性。而交替通入铝源和氮源的方式形成的第一AlN层能够减少铝源和氮源的预反应，从而提高第一AlN层的质量。本申请提供的基于硅衬底的氮化物外延结构由上述制作方法制得，半导体器件包括上述结构。
基于衬底氮化物外延结构及其制作方法半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202211263287.8在审
发明人：陈帅;房育涛;夏德洋;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本披露公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：依次叠置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；若干层过渡层，其设置在势垒层上，其中，每一过渡层包括设置在势垒层上的第一P型掺杂GaN层和设置在第一P型掺杂GaN层上的第一P型掺杂层；盖帽层，其设置在过渡层上；栅极，其设置在盖帽层上；源极，其设置在势垒层上；漏极，其设置在势垒层上，与源极分别设置在栅极的两侧；其中，第一P型掺杂GaN层的掺杂浓度被配置为随靠近第一P型掺杂层所在一侧向靠近衬底所在一侧降低。本披露公开的技术方案能够改善了非栅区域迁移率下降的问题。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211327296.9在审
发明人： 房育涛;刘庭;付汝起;叶念慈;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：包括：衬底；半导体层，其设置在衬底上并包括第一半导体叠层和设置在第一半导体叠层上的第二半导体层，第一半导体叠层和第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气；设置在第二半导体层上且间隔布置的源极、漏极和栅极；金属层，其设置半导体层内并位于衬底与二维电子气之间；电连接结构，其从栅极向半导体层内延伸并与金属层连接；第一阻隔结构，其至少部分地设在金属层与二维电子气之间及电连接结构与二维电子气之间；第二阻隔结构，与第一阻隔结构相连且覆盖在金属层的侧面。该半导体器件能够有效降低HMTE器件高电压下栅极的电场强度，从而提高器件的击穿电压。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211009504.0在审
发明人： 房育涛;刘浪;叶念慈;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。高电子迁移率晶体管包括衬底、外延层、源极、漏极、栅极和应力补偿层：外延层至少包括：第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层为异质结构；源极、漏极和栅极彼此间隔地设置于外延层上且栅极设置于源极与漏极之间。通过在栅极面向漏极的侧壁设置与第二半导体层的压电系数相反的应力补偿层，可以在高压下产生与第二半导体层相反的逆压电应力减小第二半导体层在高压下的应力形变从而提高第二半导体层的击穿电场强度，还可以降低栅极边缘的二维电子气浓度调节栅极边缘电场强度，从而提高器件的耐压性以及减小对多级场板的需求，进而简化器件的制备工艺。
电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种复合硅衬底及其制备方法和应用-CN201911421074.1有效
发明人：蔡文必;房育涛;刘波亭;李健;张恺玄 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合硅衬底及其制备方法，所述复合硅衬底包括第一硅层、图形化硅层和第二硅层；所述第二硅层形成用于异质外延生长的表面，所述图形化硅层夹设于所述第一硅层和第二硅层之间并形成复数个微纳米空腔以衰减由所述第二硅层传递向所述第一硅层的应力。本发明的复合硅衬底可以增加异质外延生长中的存储压应力和减小衬底的翘曲，生长更厚的异质外延薄膜。本发明还公开了基于上述复合硅衬底的氮化镓外延结构，有效减小缓冲层垂直漏电，改善器件的电学特性，为硅基氮化镓高压器件制作提供可能，适合实际生产应用。
一种复合衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种低势垒多量子阱高阻缓冲层外延结构及其制备方法-CN201910695339.0有效
发明人：林科闯;房育涛;李智杰;刘波亭;罗宇彦;张恺玄 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低势垒多量子阱高阻缓冲层外延结构及其制备方法，包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、低势垒多量子阱高阻缓冲层和GaN层；在所述低势垒多量子阱高阻缓冲层中，每个多量子阱周期中包括交替层叠的AlaGa1‑aN势阱层和AlbGa1‑bN势垒层；在AlaGa1‑aN势阱层中0%≤a≤90%，在AlbGa1‑bN势垒层中2%≤b≤100%，且2%≤b‑a≤10%。本发明利用低势垒多量子阱中极化电场，耗尽背景载流子浓度实现减小漏电，获得高阻值缓冲层，不但制作方法简单，无需二次外延，而且对反应室无污染，可控性强。
一种低势垒多量子阱高阻缓冲外延结构及其制备方法

[发明专利]半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法-CN202210601247.3在审
发明人： 房育涛;陈帅;叶念慈;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体外延结构和半导体外延结构的制备方法，涉及半导体外延技术领域，该半导体外延结构包括衬底、成核层和缓冲层，本发明通过在衬底上形成成核层，然后再在成核层上形成缓冲层，其中，成核层包括多层周期性掺杂且重复排列的半导体周期叠层，从而使得成核层形成了具有不同掺杂类型的掺杂超晶格结构，本发明实施例采用不同掺杂类型的掺杂超晶格结构提高成核层的晶体质量，本发明实施例利用形成的掺杂超晶格可以减小外延层穿透位错而获得高晶体质量的外延薄膜，并且能够简单高效地获得高质量成核层，减少外延层穿透位错，从而获得高晶体质量的外延薄膜。
半导体外延结构制备方法

[发明专利]半导体外延结构、半导体器件及其制备方法-CN202210604325.5在审
发明人： 房育涛;夏德洋;叶念慈;张洁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体外延结构、半导体器件及其制备方法，涉及半导体外延技术领域，该半导体外延结构包括硅衬底、富铝硅层和AlN成核层，通过在硅衬底上形成富铝硅层，再在富铝硅层上形成成核层，其中，所述富铝硅层能够抑制所述硅衬底的表面形成无定型SiN。相较于现有技术，本发明实施例通过设置富铝硅层，可以避免形成AlN成核层的过程中硅衬底直接与NH3反应而在硅衬底的表面形成无定型SiN，避免了无定型SiN影响外延生长，保证了外延生长质量。
半导体外延结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]利用GaN基窄阱多量子阱结构的高阻缓冲层及制备方法-CN201811563598.X有效
发明人： 房育涛;刘波亭;张恺玄 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用GaN基窄阱多量子阱结构的高阻缓冲层及制备方法，包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、AlaGa1‑aN基窄阱多量子阱高阻缓冲层和GaN缓冲层：AlaGa1‑aN基窄阱多量子阱高阻缓冲层包含多个多量子阱结构应力传递层，多个多量子阱结构应力传递层中Al的含量由下至上依次减少；每一个多量子阱结构应力传递层进一步包括多个量子阱周期，每个量子阱周期中进一步包括层叠设置的低Al组分AlaGa1‑aN窄势阱层、高Al组分AlbGa1‑bN势垒层，多量子周期的个数为5‑100；高Al组分AlbGa1‑bN势垒层的厚度大于低Al组分AlaGa1‑aN窄势阱层的厚度。
利用 gan 基窄阱多量结构缓冲制备方法

[实用新型]一种晶圆结构-CN202023060772.4有效
发明人：林科闯;何俊蕾;刘成;郭德霄;汪晓媛;梁玉玉;叶念慈;房育涛;许亚坡 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆结构，它包括衬底、生长在衬底上的氮化镓基外延结构、基于氮化镓基外延结构制备的具有横向沟道的器件和纵向沟道的器件，横向沟道器件和纵向沟道器件的栅长方向分别平行于氮化镓晶体晶系的两个等效晶向，横向沟道器件的栅长方向垂直纵向沟道器件的栅长方向。它具有如下优点：保持横向与纵向布局器件电学特性的一致性。
一种结构

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