专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种蛋清薄膜及可降解有机-无机薄膜晶体管的制备方法-CN202211039449.X有效
  • 栗旭阳;弥谦;梁海锋;蔡长龙;王青锐;赵元杰 - 西安工业大学
  • 2022-08-29 - 2023-04-18 - C08J7/00
  • 本发明涉及一种蛋清薄膜及可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备方法。蛋清薄膜的制备包括蛋清前驱液的制备;基片清洗与表面活化;蛋清薄膜的制备。可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备包括醇基高k氧化物前驱液与水基TMOS前驱液的制备;蛋清薄膜的表面活化;醇基高k氧化物薄膜的制备;醇基高k氧化物薄膜的表面活化;水基TMOS薄膜的制备;源、漏电极的制备。本发明一方面获得大面积均匀的高k蛋清薄膜,另一方面借助醇基高k氧化物薄膜提高蛋清薄膜与水基TMOS薄膜间的制备兼容性,实现基于蛋清薄膜‑高k氧化物薄膜‑TMOS薄膜的全溶液可降解有机‑无机薄膜晶体管的制备,该薄膜晶体管展现出生物兼容、可降解、低成本、低温制备,低压驱动、低功耗的特点。
  • 一种蛋清薄膜降解有机无机薄膜晶体管制备方法
  • [发明专利]一种金属氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管-CN202210873040.1有效
  • 栗旭阳;弥谦;梁海锋;裴旭乐;赵元杰;张维佳 - 西安工业大学
  • 2022-07-21 - 2023-04-18 - H01L21/34
  • 本发明关于一种金属氧化物薄膜及其制备方法、薄膜晶体管。其中,金属氧化物薄膜的制备方法包括:在设定相对湿度的制备环境中,使金属氧化物前驱液在基片上形成金属氧化物湿膜,并对金属氧化物湿膜进行预退火处理得到预固化金属氧化物薄膜;对预固化金属氧化物薄膜进行等离子处理得到等离子激活的金属氧化物薄膜;对等离子激活的金属氧化物薄膜进行后退火处理得到金属氧化物薄膜。本发明通过制备环境相对湿度与预退火处理温度的相互配合,实现对预固化金属氧化物薄膜毛细流动性和疏松程度的调控,从而在保证甚至进一步扩大等离子激活工艺可调谐范围以及等离子处理对预固化薄膜低温激活效果的基础上,提高金属氧化物薄膜的抗等离子刻蚀损伤能力。
  • 一种金属氧化物薄膜及其制备方法薄膜晶体管
  • [发明专利]一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法-CN201910807901.4有效
  • 惠迎雪;刘卫国;张进;徐均琪;边寒寒;杨梦熊;弥谦;陈智利 - 西安工业大学
  • 2019-08-29 - 2022-08-02 - H01J37/32
  • 本发明公开一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法,该方法借鉴了射频磁控溅射镀膜技术中的射频反常辉光放电方式,可形成高密度大面积的等离子体,利用该装置耦合正交磁场的定向移动,可驱动等离子体产生定向的运动,实现光学元件表面由线及面的加工。引入活性气体被电离激发,利用真空系统固有的气体分配器所产生的流导场,引导自由基作用于工件表面,亦会带来材料刻蚀效率的提高。而通过射频电场的参数(如功率等),磁场的参数(如各磁极大小的变化,包括平衡和非平衡模式以及磁极定向移动的速度等),以及气体相关参数(包括气体的种类,流量和压力等),可对等离子体的种类,密度和分布进行精确的调控,实现了光学元件表面的高效率大面积等离子体抛光。
  • 一种口径光学元件等离子体刻蚀方法
  • [发明专利]一种TMO薄膜和TMO-TFT的超低温制备方法-CN202111199880.6在审
  • 栗旭阳;弥谦;梁海峰;蔡长龙;潘永强;徐均琪 - 西安工业大学
  • 2021-10-14 - 2022-03-01 - H01L21/336
  • 本发明提供了一种TMO薄膜和TMO‑TFT的超低温制备方法。该超低温制备方法包括:S1:制备TMO前驱液;S2:基片的清洗及表面活化;S3:预沉积TMO湿膜的制备;S4:对S3中获得的预沉积TMO湿膜进行预退火,获得预退火TMO薄膜;S5:对S4中获得的预退火TMO薄膜进行N2等离子处理或进行N2等离子处理与后退火,获得TMO薄膜;S6:将S5获得的TMO薄膜作为有源层制备TFT,获得TMO‑TFT。本发明在保证TMO薄膜具有良好半导体特性以及TMO‑TFT展现优异电学特性的同时,实现了TMO薄膜及TMO‑TFT的超低温制备,从而增强了TMO‑TFT与柔性基板的兼容性。
  • 一种tmo薄膜tft超低温制备方法
  • [发明专利]一种衍射光学元件模压装置-CN201910096156.7有效
  • 张锦;樊诗琪;蒋世磊;弥谦;孙国斌;王玉瑾;武耀霞 - 西安工业大学
  • 2019-01-31 - 2021-04-06 - B29C51/10
  • 本发明涉及光学元件模压制造领域,具体涉及一种衍射光学元件模压装置。其可用于温度范围为室温至250℃,本装置脱模以及更换模具方便易操作,方便更换不同衍射结构的模具,在传统的热压成型方法基础上增加真空辅助成型功能,在真空腔内对模具和模压原材料进行加热和保温,并对模压原材料加压成型。本发明的技术方案包括机架和位于机架上部的升降机构、位于机架中部的真空腔机构和模压板机构,以及位于机架下部的脱模机构,所述的模压板机构设置于真空腔机构的真空腔内;升降机构带动模压板机构中的模压板上下运动,完成装置的合模热压印,脱模机构设置于机架的底部的导轨上,实现滑出脱模。
  • 一种衍射光学元件模压装置

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