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[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010824843.9有效
发明人：黎子兰;张树昕 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：第一沟道层，其包括第一沟道区、第一栅掺杂区、和第二沟道区，其中所述第二沟道区在所述第一沟道区之上，所述第一栅掺杂区在所述第一沟道区和所述第二沟道区之间；第一势垒层，其中在第一沟道层与第一势垒层之间形成具有垂直界面的第一异质结，在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG；第一电极，其在所述第一栅掺杂区下方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触；第二电极，其在所述第一栅掺杂区上方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触；以及第三电极，其在所述第一栅掺杂区与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触。本发明进一步包括一种半导体器件的制造方法。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111569929.2在审
发明人：黎子兰;张树昕;陈昭铭 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法。高电子迁移率晶体管包括具有特殊设计的栅极结构。栅极结构包括层叠设置的高阻氮化物外延层和p‑帽层以及设置于第一势垒层远离沟道层的表面的第一栅绝缘层。p‑帽层在层叠结构层叠方向的投影长度大于高阻氮化物外延层在层叠结构的投影长度。第一栅绝缘层的厚度小于高阻氮化物外延层的厚度。高阻氮化物外延层的设置可以提高p‑帽层的结晶质量。高阻氮化物外延层的设置可以防止Mg扩散而使沟道退化。高阻氮化物外延层的设置可以有效地减小栅电极的泄漏电流。本申请通过设置特殊的栅极结构减少了栅极漏电，使得器件具有较大的栅极电压工作范围，大大地提高了器件的可靠性。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件、制造方法及其应用-CN202011527315.3在审
发明人：黎子兰;张树昕;陈卫宾 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开内容提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括基底；生成二维电荷载流子气的一界面；第一电极和第二电极；基底上形成的第一类型掺杂的第一半导体层，在所述第一半导体层中形成第一类型掺杂原子不具备电活性的第一区域和第一类型掺杂原子具备电活性的第二区域；所述第二区域中包含与所述第一区域共面的部分。所述半导体器件既能避免晶体结构的损伤，又能在工艺上容易实现，且能保持较好的二维电荷载流子气的输送性质，有利于器件性能的提升。
一种半导体器件制造方法及其应用

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201811152403.2有效
发明人：黎子兰;刘小平;张树昕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。通过本申请实施例中的制作方法制造得到的半导体器件，基底与后续制作的外延结构之间具有绝缘层，绝缘层可以有效的抑制在氮化物外延生长过程中对硅衬底的掺杂，从而减少引入硅衬底内的自由载流子，大幅降低硅衬底对外延结构上的电信号响应，大幅减少器件的寄生电容。同时，绝缘层可以有效的抑制器件中通过硅衬底的泄露电流。此外，本申请中的氮化物半导体层是以绝缘层上开口内的基底为成核中心生长得到，使得氮化物半导体层具有更好的晶体质量。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种驱动电路、驱动IC以及驱动系统-CN202010358117.2在审
发明人：黎子兰;张树昕;陈勘 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本申请提供了一种驱动电路、驱动IC以及驱动系统，涉及电子电路技术领域。该驱动电路包括控制模块与驱动信号输出模块，控制模块与驱动信号输出模块电连接，且驱动信号输出模块用于与待驱动器件电连接；其中，驱动信号输出模块包括至少两个晶体管，且至少两个晶体管通过同一衬底外延生长而成；控制模块用于控制至少两个晶体管的关断状态，以控制待驱动器件的工作状态。本申请提供的驱动电路、驱动IC以及驱动系统具有实现了小型化及提高了集成度的优点。
一种驱动电路 ic 以及系统

[发明专利]高压直流LED或交流LED及其制造方法-CN201910487621.X有效
发明人：黎子兰;李成果;张树昕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请提供了一种高压直流LED或交流LED及其制造方法，涉及LED技术领域。本申请实施例中的高压直流LED或交流LED及其制造方法，器件的发光部分是以成核中心层为生长得到的，通过选区外延技术形成独立的发光单元，发光单元之间是相互分隔。在制备过程中，不使用刻蚀或切割工艺分割发光单元，有效的简化了高压直流LED或交流LED的制作工艺，显著的抑制了刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心。同时，制作过程中，将第一衬底去除，使用第二衬底提供支撑，可以避免第一衬底的吸光，提高高压直流LED或交流LED的出光率。
高压直流 led 交流及其制造方法

[实用新型]直流发光器件-CN201920847301.6有效
发明人：黎子兰;李成果;张树昕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种直流发光器件，涉及半导体技术领域。本申请实施例提供的直流发光器件，各个发光单元形成电子传输岛状结构，各个电子传输岛状结构之间具有足够的距离，相互之间是分隔的。形成各个发光单元由于不需要使用刻蚀或切割等工艺分割发光单元，有效的简化了工艺，并且显著的抑制了刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心，提高器件的发光强度，减慢器件的温升。同时，支撑衬底作为整体结构的支撑结构，可以避免生长衬底的吸光，提高器件的出光率。
发光单元岛状结构电子传输发光器件衬底刻蚀半导体技术领域非辐射复合中心切割表面支撑结构出光率温升吸光分隔申请减慢切割分割生长支撑

[实用新型]微型LED器件及微型LED阵列-CN201920537194.7有效
发明人：黎子兰;李成果;张树昕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种微型LED器件及微型LED阵列，涉及半导体发光器件技术领域。具体地，通过离子注入破坏被注入区域的晶格结构和电学性能，形成两个高电阻区，该区域具有较高的电阻，以限定LED的发光主要发生在未被离子注入的区域。本实用新型保留了LED外延层的平面结构，避免了在LED发光区域外围形成台阶结构，有利于器件的微缩，有利于在器件间形成复杂的互联和阵列结构。
微型LED阵列本实用新型微型LED 离子半导体发光器件电学性能高电阻区晶格结构平面结构台阶结构阵列结构注入区域电阻微缩发光外围互联保留

[实用新型]半导体发光器件-CN201920338723.0有效
发明人：黎子兰;李成果;张树昕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体发光器件及其制作方法，所述半导体发光器件的发光单元是基于氮化物成核层选区生长得到，相邻的发光单元之间相互分隔，不需要再使用刻蚀或切割等工艺分割发光单元，简化了制作工艺流程，并且抑制了刻蚀或切割器件表面形成的非辐射复合中心。进一步地，通过对P型电极层和N型电极层的不同连接方式的制作，可以形成交流发光器件或高压发光器件，得到交流LED或者高压LED。
半导体发光器件发光单元刻蚀制作非辐射复合中心氮化物成核层交流发光器件本实用新型表面形成发光器件连接方式切割器件选区生长高压LED 交流LED 工艺流程再使用分隔切割分割

[实用新型]微型发光器件及微型发光阵列-CN201920338607.9有效
发明人：黎子兰;李成果;张树昕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种微型发光器件及微型发光阵列，通过在微型发光区域形成平面化的结构，以利于形成尺寸很小的器件，同时利于多个器件间的互联形成复杂的阵列，使激活层不会对器件造成损伤，进而提高器件的发光效率。详细地，本申请实施例提供微型发光器件，在发光层上不仅设置有P型半导体层，还设置有激活层，激活层的电阻要明显小于P型半导体层的电阻，该激活层可以作为微型发光器件的有效发光区域，该区域可以制作成很小的尺寸，从而实现整体微型发光器件的微型化。同时，通过形成激活层无需在发光区域附近形成台阶，可以方便其他工艺和其他结构的互联。
微型发光器件激活层发光区域发光阵列电阻互联有效发光区域微型化本实用新型多个器件发光效率发光层平面化损伤申请制作

[发明专利]一种SBD结构及其制作方法-CN201910494910.2在审
发明人：任远;陈志涛;张树昕;李成果;曾昭烩;李祈昕;李叶林 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种SBD结构及其制作方法，涉及半导体领域。该SBD结构包括衬底，位于衬底一侧的重掺杂n型半导体层，位于重掺杂n型半导体层远离衬底一侧的轻掺杂n型半导体层，位于轻掺杂n型半导体层远离衬底一侧的阳极金属层与位于重掺杂n型半导体层远离衬底一侧的阴极金属层，及覆盖于重掺杂n型半导体层与轻掺杂n型半导体层表面的终端结构，其中，制作终端结构的材料为P型金属氧化物。本申请提供的SBD结构及其制作方法具有能够缓解器件在反向耐压状态时表面区域存在的高电场，降低器件反向漏电流并提高器件的击穿电压，延长器件使用寿命的优点。
衬底重掺杂轻掺杂终端结构制作半导体领域反向漏电流阳极金属层阴极金属层反向耐压击穿电压降低器件器件使用高电场状态时氧化物申请缓解覆盖

[发明专利]半导体发光器件及其制作方法-CN201910482799.5在审
发明人：黎子兰;李成果;张树昕;燕英强;刘晓燕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体发光器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。使用铸模材料制作铸模层作为器件制作过程中的支撑结构，铸模层将P型电极和N型电极相绝缘。同时，对硅衬底进行了减薄，并在硅衬底上形成了凹槽，使得发光层发出的光线可以通过凹槽出射，由于凹槽内的硅衬底已经被去除，光线的出射线路上就没有会吸收光线的材料。同时剩余的硅衬底可以形成反射杯的形状，如果在硅衬底上制作反射结构或反射材料可以进一步提高光线的出射效率。在本申请的制作过程中，无需提供新的支撑衬底，无需进行复杂的支撑衬底键合连接的步骤，同时选用成本较低的硅衬底并对硅衬底减薄，可以有效的降低器件的器件和制作成本，器件也具有良好的光取向性。
硅衬底制作半导体发光器件铸模层出射减薄半导体技术领域器件制作过程衬底键合反射材料反射结构光取向性降低器件支撑结构制作过程铸模材料发光层反射杯支撑衬底绝缘去除射线申请吸收

[发明专利]直流发光器件及其制作方法-CN201910488322.8在审
发明人：黎子兰;李成果;张树昕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本申请提供了一种直流发光器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。本申请实施例中的直流发光器件及其制作方法，以氮化物成核层为成核中心生长得到电子传输岛状结构，通过选区外延技术形成独立的发光单元，发光单元之间是相互分隔的。不需要使用刻蚀或切割等工艺分割发光单元，有效的简化了发光器件的制作工艺，显著的抑制了刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心。形成各个发光单元的过程因不需要使用刻蚀或切割等工艺，简化了工艺流程，并可以显著的抑制刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心，提高器件的发光强度，减缓器件的温升。同时，在制作过程中，将生长衬底去除，用支撑衬底提供支撑，避免生长衬底的吸光，提高器件出光率。
发光单元发光器件刻蚀非辐射复合中心切割表面生长切割制作半导体技术领域氮化物成核层衬底去除衬底提供成核中心岛状结构电子传输选区外延制作工艺制作过程工艺流程出光率衬底温升吸光支撑分隔申请分割

[发明专利]微型LED器件、微型LED阵列及制造方法-CN201910311939.2在审
发明人：黎子兰;李成果;张树昕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种微型LED器件、微型LED阵列及制造方法，涉及半导体发光器件技术领域。具体地，通过离子注入破坏被注入区域的晶格结构和电学性能，形成两个高电阻区，该区域具有较高的电阻，以限定LED的发光主要发生在未被离子注入的区域。本发明保留了LED外延层的平面结构，避免了在LED发光区域外围形成台阶结构，有利于器件的微缩，有利于在器件间形成复杂的互联和阵列结构。
微型LED阵列微型LED 离子半导体发光器件电学性能高电阻区晶格结构平面结构台阶结构阵列结构注入区域电阻微缩制造发光外围互联保留

[发明专利]半导体发光器件及其制作方法-CN201910200093.5在审
发明人：黎子兰;李成果;张树昕 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件及其制作方法，所述半导体发光器件的发光单元是基于氮化物成核层选区生长得到，相邻的发光单元之间相互分隔，不需要再使用刻蚀或切割等工艺分割发光单元，简化了制作工艺流程，并且抑制了刻蚀或切割器件表面形成的非辐射复合中心。进一步地，通过对P型电极层和N型电极层的不同连接方式的制作，可以形成交流发光器件或高压发光器件，得到交流LED或者高压LED。
半导体发光器件发光单元制作刻蚀非辐射复合中心氮化物成核层交流发光器件表面形成发光器件连接方式切割器件选区生长高压LED 交流LED 工艺流程再使用分隔切割分割

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