[发明专利]直流发光器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910488322.8 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110085714A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 黎子兰;李成果;张树昕 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种直流发光器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。本申请实施例中的直流发光器件及其制作方法，以氮化物成核层为成核中心生长得到电子传输岛状结构，通过选区外延技术形成独立的发光单元，发光单元之间是相互分隔的。不需要使用刻蚀或切割等工艺分割发光单元，有效的简化了发光器件的制作工艺，显著的抑制了刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心。形成各个发光单元的过程因不需要使用刻蚀或切割等工艺，简化了工艺流程，并可以显著的抑制刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心，提高器件的发光强度，减缓器件的温升。同时，在制作过程中，将生长衬底去除，用支撑衬底提供支撑，避免生长衬底的吸光，提高器件出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光单元 发光器件 刻蚀 非辐射复合中心 切割表面 生长 切割 制作 半导体技术领域 氮化物成核层 衬底去除 衬底提供 成核中心 岛状结构 电子传输 选区外延 制作工艺 制作过程 工艺流程 出光率 衬底 温升 吸光 支撑 分隔 申请 分割 | ||
【主权项】：
1.一种直流发光器件的制作方法，其特征在于，包括：提供生长衬底；基于所述生长衬底制作氮化物成核层和第一绝缘层；基于所述氮化物成核层和第一绝缘层，以所述氮化物成核层为成核中心生长氮化物材料，形成多个相互独立的电子传输岛状结构；基于所述电子传输岛状结构依次制作辐射复合层和空穴传输层；在所述空穴传输层远离所述辐射复合层一侧以及所述第一绝缘层远离所述氮化物成核层一侧，制作P型电极层；基于所述P型电极层制作N型电极层和连接层，或基于所述P型电极层制作所述连接层，其中，所述N型电极层将多个所述电子传输岛状结构相连接；基于所述连接层键合连接支撑衬底；去除所述生长衬底；形成所述直流发光器件的P电极和N电极，具体包括：在所述P型电极层一侧制作有所述N型电极层和连接层时，且在所述连接层为绝缘材料时，制作与所述P型电极层相连接的第一电极，并制作与所述N型电极层相连接的第二电极，将所述第一电极作为所述直流发光器件的P电极，所述第二电极作为所述直流发光器件的N电极。
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