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[发明专利]基于荧光下转换材料Alq3的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法-CN202310492183.2在审
发明人：唐利斌;罗磊;才玉华;左文彬 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：基于荧光下转换材料Alq3的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域，尤其涉及一种基于下转换纳米材料的紫外增强硅基CMOS图像传感器及其制备方法。所述紫外增强硅基CMOS图像传感器通过采用真空热蒸发法，将粉末状的下转换纳米材料Alq3镀制在CMOS的光敏面形成一层均匀的薄膜，实现材料与器件的直接耦合，通过下转换纳米材料吸收紫外光，并发射与CMOS光谱响应峰值相匹配的可见光的特性，可以提高光电探测器的紫外响应能力。
基于荧光转换材料 alq3 紫外增强 cmos 图像传感器及其制备方法

[发明专利]能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法-CN202211705410.7在审
发明人：余黎静;唐利斌;田品;郝群;钟和甫;左文彬;雷晓虹;邓功荣;王静宇;黄俊博;冯江敏;袁俊;龚晓霞;施静梅 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：能级调控PbS量子点光电探测器及其制备方法，属于光电技术领域。该探测器包括衬底；ITO透明电极层，形成于所述衬底上；AZO功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于AZO功能层上；碲化铋（Bi2Te3）电荷传输层，形成于PbS胶体量子点上；Al电极，形成于Bi2Te3电荷传输层上。该探测器的制备方法中，AZO功能层通过磁控的方法实现，PbS量子点薄膜通过多次旋涂和配体交换的方式实现，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，Al电极层通过真空蒸镀的方法实现。本发明探测器，通过小尺寸的PbS量子点与宽响应波段和高吸收率的Bi2Te3材料结合，所设计的ITO/AZO/PbS CQDs/Bi2Te3/Al的能带排列结构不仅为电荷分离/传输提供了便利，从而提高器件性能。
能级调控 pbs 量子光电探测器及其制备方法

[发明专利]宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法-CN202211705421.5在审
发明人：唐利斌;余黎静;田品;郝群;钟和甫;左文彬;苏润红;李志华;杨敏;马启;余连杰 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：宽波段PbS量子点基光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该探测器包括：衬底；碲化铋（Bi2Te3），形成于衬底上，并进行快速退火处理；PbS胶体量子点，形成于碲化铋（Bi2Te3）上；Al电极，形成于PbS胶体量子点上。该光电探测器的制备方法中，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，并在快速退火炉中退火；PbS胶体量子点薄膜通过旋涂的方式成膜，并在旋涂过程中进行配体交换；Al电极用进行掩膜后，使用物理气相沉积(PVD)技术蒸镀。本发明中，PbS CQDs有强吸收的特点，Bi2Te3材料具有高迁移率、强吸收和宽波段响应的特点，利用两种材料的协同效应，在室温下就实现了可见‑中波的宽波段探测。
波段 pbs 量子光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于PbS CQDs/ZnO-NWs复合结构红外探测器及其制备方法-CN202211474428.0在审
发明人：唐利斌;钟和甫;田品;余黎静;左文彬;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：基于PbS CQDs/ZnO‑NWs复合结构红外探测器及其制备方法，属于红外探测器制备领域。本发明复合结构红外探测器，从下至上依次是衬底、阳极层、PbS CQDs/ZnO‑NWs复合层，以及阴极层。制备方法包括清洁衬底、水热法生长ZnO‑NWs阵列、旋涂法制备PbS CQDs层，以及热蒸镀Al阴极层。本发明的器件对红外光显示出良好的敏感性，器件性能优异。
基于 pbs cqds zno nws 复合结构红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种沉积液相分离二维材料的方法、薄膜及应用-CN202110322090.6有效
发明人：胡伟达;付晓;苗金水;张蕾;徐志昊;左文彬;郝春慧;李唐鑫;王津金 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种沉积液相分离二维材料的方法、薄膜及应用，采用了超声雾化将液相分离的二维材料沉积成薄膜，从而得到不需要严格遵循晶格匹配和对称性的异质结，并且大幅度降低了二维薄膜量产成本。通过该沉积方式，可以得到厚度在16‑400nm的薄膜，可广泛用于不同衬底上，比如氧化硅衬底、透明ITO衬底或者柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底，本发明所沉积的范德华异质结在透明柔性衬底上显示出了整流效应(MoS2‑SnS)、光致发光效应(MoS2层状量子点)，为可穿戴设备提供低成本量产的可能性。在n型硅上展现的光伏效应(n‑type Si/p‑type SnS)，为自供电光电探测器提供了多种选择。
一种沉积分离二维材料方法薄膜应用

[发明专利]一种Bi2-CN202210942569.4在审
发明人：余黎静;唐利斌;田品;郝群;钟和甫;左文彬;岳彪;王海澎;姬玉龙;李红福;魏虹;普跃升;钟昇佑;毛文彪 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种Bi2Te3/PbS量子点杂化光电探测器及其制备方法，探测器包括衬底、ITO透明电极层形成于所述衬底上；PCBM功能层，形成于ITO透明电极层上；PbS胶体量子点，形成于PCBM功能层上；碲化铋（Bi2Te3）电荷传输层，形成于PbS胶体量子点上；Al电极，形成于Bi2Te3电荷传输层上。该探测器的制备方法中，PCBM功能层通过旋涂的方法实现，PbS胶体量子点薄膜通过多次旋涂和配体交换的方式实现，碲化铋（Bi2Te3）通过磁控溅射的方法生长，Al电极层通过真空蒸镀的方法实现。本发明公布的器件结构为垂直型，本发明利用PbS胶体量子点薄膜层的高吸收和Bi2Te3薄膜的高载流子迁移率，二者的结合有利于光生载流子的收集和载流子的快速传输，从而有效的提升器件的响应时间和性能。
一种 bi base sub

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN202210883845.4在审
发明人：李祎;任升广;左文彬;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，属于微电子器件领域。本发明中阻变层采用一种或者多种金属化合物，且金属化合价不低于该金属最高正化合价的三分之二，气体离子注入区域内的空位浓度呈梯度分布，使得在外加正负偏压的情况下，导电细丝的形成和断裂发生在空位浓度更低的一侧，极大降低导电细丝演变的随机性，提升忆阻器的一致性和擦写特性。本发明采用低能气体离子注入，在对阻变层不造成不可逆的损伤的前提下，在阻变层内产生一定浓度的空位；选取合适的注入能量、注入剂量和注入角度，可以在阻变层中引入呈现浓度梯度分布的空位，有效降低忆阻器的电初始化电压，改善忆阻器的一致性和擦写特性。
一种忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种含有纳米晶团簇的阻变存储器及其制备方法-CN202210870840.8在审
发明人：李祎;任升广;左文彬;薛亦白;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种含有纳米晶团簇的阻变存储器及其制备方法，阻变层包括：第一氧化物层和第二氧化物层；第二氧化物层含有纳米晶团簇，纳米晶团簇的材料为偏金属化的金属氧化物，向阻变层施加正向偏压后，压降分配在第一氧化物层，第二氧化物层的氧空位按照垂直方向的浓度梯度有序进入第一氧化物层并在第一氧化物层形成第一导电细丝，诱导第二氧化物层形成第二导电细丝，使得阻变存储器由高阻态转变为低阻态；此后，向阻变层施加负向偏压后，压降先落在第一氧化物层，导致第一导电细丝熔断，阻变存储器由低阻态转变为高阻态，之后阻变存储器导电细丝的形成和断裂均在第一氧化物层内进行。本发明实现了对导电细丝形成和断裂区域的精准控制。
一种含有纳米晶团簇存储器及其制备方法

[发明专利]一种阈值转变器件及其制备方法-CN202210453080.0在审
发明人：李祎;左文彬;缪向水;任升广 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，公开了一种阈值转变器件及其制备方法，阈值转变器件包括底电极，顶电极以及位于底电极和顶电极之间的功能层；功能层为离子注入改性的二元或多元金属氧化物，且经过离子注入改性后在所述功能层的内部或者表面形成有活性金属纳米颗粒；经过离子注入改性后的功能层中注入的离子浓度随功能层深度呈现近高斯分布；活性金属纳米颗粒限制了氧化还原反应发生的区域，减小了导电细丝生长的随机性，提升了阈值转变器件的一致性；且纳米级的活性电极区域使得导电通道在较大限流下依然可以保持自发断裂的特性，提升了阈值转变器件的开态电流密度。
一种阈值转变器件及其制备方法

[发明专利]一种无掩模局部沉积金属薄膜印制装置及沉积方法-CN202111404976.1在审
发明人：亚历山大·托斯托古佐夫;瓦西里·帕里诺维奇;左文彬;曾晓梅;刘传胜;付德君 -专利权人：武汉大学深圳研究院
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B41M1/22 文献下载
摘要：本发明提供的无掩模沉积金属薄膜印制装置及沉积方法，用于制备纳米金属薄膜。所述装置包括离子源、电源系统和三坐标控制系统，置于真空腔中。该装置简单小型，并采用模块化设计，提高了使用效率。控制电极可聚焦和控制离子束能量，使得金属离子束尺寸达到纳米级别，因此不需要掩模版。金属离子束的纯度超过99.9％，不需要质量分析器，并且固体电解质薄膜的电导率在室温下也很高，所以该发明装置可以在没有加热装置的情况下有效工作，工作温度低，节约了成本。该金属薄膜沉积方法不需使用有毒害的金属有机化合物，符合绿色发展理念。
一种无掩模局部沉积金属薄膜印制装置方法

[发明专利]一种利用固体电解质Rb4-CN202111404977.6在审
发明人：吐沙姑·阿不都吾甫;付德君;亚历山大·托斯托古佐夫;左文彬;张翔宇;刘传胜 -专利权人：武汉大学深圳研究院
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及铜互连沉积技术领域，特别涉及一种利用固体电解质Rb4Cu16I7Cl13实现铜互连沉积的直接沉积方法。本方案提供的的一种利用固体电解质Rb4Cu16I7Cl13制备的铜离子产生方法，产生的铜离子束按设定的器件图形结构沉积在晶圆表面完成器件的铜互连工艺。通过相对简单的高能机械化学研磨法制备铜基固体电解质材料，制成离子发射极并产生带正电荷的铜离子束。然后，通过程序控制沉积在样品表面形成铜互连。铜离子束以一定能量沉积到晶圆表面，属于直接沉积成膜，无需使用掩模(光刻胶)和光刻工序。即直接把铜原子沉积在所需的线段上形成所需的铜互连，无需执行涂敷光刻胶和去除光刻胶的工序。
一种利用固体电解质 rb base sub

[实用新型]一种隧道钻孔高压涌水防护装置-CN202122493959.1有效
发明人：贺杰军;邱军;罗震宇;龙铁牛;左文彬;吴令;曾文彬;胡文彬;胡文清;黄飘;王飞;邹桑;刘剑;袁顺财 -专利权人：长沙市公路桥梁建设有限责任公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： E21B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种隧道钻孔高压涌水防护装置，属于隧道钻孔技术领域，包括驱动电机，驱动电机的底部固定连接有固定板，固定板底部的左右两侧均固定连接有弹簧，弹簧远离固定板的一端固定连接有防护筒，防护筒的左右两侧均连通有导流管，本实用新型使用时通过驱动电机带动钻杆转动，对围岩层进行钻孔作业，与此同时，固定板通过弹簧带动防护筒与围岩表面进行贴合，使弹簧受力，对防护筒进行挤压，当有高压水流突涌时，通过防护筒对水流进行隔挡，通过导流板，对水流进行导向，使水流快速的通过导流管向外排出，并通过导流管对高压水流进行导流，避免高压水流直接喷涌，对人员与设备造成损坏，进而达到了防护的效果。
一种隧道钻孔高压防护装置

[发明专利]一种面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器及其制备方法、应用-CN202110907978.6在审
发明人：胡伟达;付晓;苗金水;张蕾;左文彬;徐志昊;李唐鑫;王金津;郝春慧;赵志强 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器的制备方法、应用，在二氧化硅衬底上使用超声雾化沉积法在有缺陷的石墨烯电极上通过掩膜版非对称地沉积二硫化钼纳米片，加热引起石墨烯和二硫化钼部分氧化，形成非对称的具有光伏效应的氧化石墨烯/氧参杂硫化钼/氧化石墨烯器件以用作面向神经网络视觉感知的新型忆光响应器。本发明提出了一种通过记忆流经器件的电通量调控两端器件的光响应率的新型器件、制备方法及其应用。
一种面向神经网络视觉感知新型响应及其制备方法应用

[发明专利]一种产生掺杂碱金属或卤素的耦合气体团簇离子束的装置和方法-CN202110866354.4在审
发明人：亚历山大·托斯托古佐夫;付德君;吐沙姑·阿不都吾甫;瓦西里·帕里诺维奇;张翔宇;左文彬 -专利权人：宜昌后皇真空科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本发明设计了一种可产生掺杂性单电荷态碱金属正离子或卤素负离子的耦合气体团簇离子束的装置，并提出了用于产生该团簇离子束的方法。本发明旨在通过一个表面电离离子源所产生的低能单电荷态碱金属正离子或卤素负离子来掺杂产生耦合气体团簇离子束，以此提高装置的工作效率。在反应过程中用单原子离子代替分子离子或络合离子，避免了掺杂性离子在掺杂过程中的碎裂现象。本发明通过由大量气体原子(例如Ar)组成的中性气体团簇束流来捕获低能量的单电荷态碱金属正离子或卤素负离子，从而形成耦合气体团簇离子束。
一种产生掺杂碱金属卤素耦合气体离子束装置方法

[实用新型]一种保证纳米材料纯度的团簇离子束纳米加工设备-CN202022148017.5有效
发明人：曾晓梅;瓦西里.帕里诺维奇;左文彬;付德君 -专利权人：武汉江海行纳米科技有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： B02C4/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种保证纳米材料纯度的团簇离子束纳米加工设备，包括团簇离子束纳米加工机，团簇离子束纳米加工机的底部固定安装有安装架，安装架的内部固定安装有纳米团簇离子检测桶，纳米团簇离子检测桶的一侧固定安装有团簇离子回流管，团簇离子回流管的外部固定套接有回流泵，回流泵的正面固定安装有旋转电机，旋转电机的输出端固定安装有回流扇叶，团簇离子束纳米加工机的顶部固定安装有纳米粒子检测桶。通过启动安装的转动电机可以纳米粒子分离杆进行旋转，在旋转的过程中，通过安装的纳米粒子筛网可以将合格的纳米粒子落入团簇离子束纳米加工机内进行加工，可以有效的保证了加工所用的纳米材料的纯度。
一种保证纳米材料纯度离子束加工设备

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