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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]对非易失性存储器装置进行编程的方法-CN201710412107.0有效
发明人： 崔允熙;李升妍;朱相炫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：提供了一种对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对三维非易失性存储器装置进行编程的方法中，至少执行一次编程循环。编程循环包括用于对多个存储器单元中的被选择的存储器单元进行编程的编程步骤和用于验证被选择的存储器单元是否被编程通过的验证步骤。在对被选择的存储器单元进行编程时，可以改变施加到共同连接到所述多个存储器单元的共源极线的电压的电平。因此，在编程操作中，可以减小对共源极线进行充放电所需要的功耗，同时增大升压效率。
非易失性存储器装置进行编程方法

[发明专利]非易失性存储器件-CN202211294716.8在审
发明人：郑凤吉;南尚完;白钟民;田旼奇;郑宇哲;崔允熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：存储单元阵列；第一电压生成器，该第一电压生成器被配置为为该存储单元阵列的每条字线生成字线操作电压；第二电压生成器，该第二电压生成器被配置为生成该存储单元阵列的位线操作电压；以及温度单元，该温度单元被配置为：根据该存储单元阵列的实时温度，从温度范围表中确定温度代码的温度范围，并且基于映射到所确定的温度范围的选择信号来调整该第一电压生成器或该第二电压生成器的供电电压。
非易失性存储器

[发明专利]多媒体内容处理方法及终端设备-CN201810083523.5有效
发明人：王治金;文伟;崔允熙;罗中华;陈凌颖;薛远洋;潘作舟;戈志伟 -专利权人：北京三星通信技术研究有限公司;三星电子株式会社
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H04N21/44 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理技术领域，提供了一种多媒体内容处理方法及终端设备，该多媒体内容处理方法，包括：提取待播放多媒体内容对应的多媒体特征；若根据提取的所述多媒体特征，检测出所述待播放多媒体需要进行内容替换，则确定替换后的目标多媒体内容；播放所述目标多媒体内容。本发明中，实现了在终端侧对多媒体内容的替换播放，提升了用户的使用体验。
多媒体内容处理方法终端设备

[发明专利]非易失性存储器件、其操作方法以及具有其的电子设备-CN201810437748.6有效
发明人： 崔允熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种方法包括：接收操作命令；检测公共源极线的噪声电平；以及基于检测的噪声电平调整响应于操作命令对存储单元执行操作的次数。
非易失性存储器操作方法以及具有电子设备

[发明专利]页面缓冲器电路及包括其的存储器件-CN202110735179.5在审
发明人：曹溶成;朴镇宇;尹铉竣;崔允熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储器件包括存储单元阵列、页面缓冲器电路和计数电路。所述页面缓冲器电路包括连接到所述存储单元阵列的第一页面缓冲器列和第二页面缓冲器列。在第一级中，所述第一页面缓冲器列包括第一页面缓冲器单元，所述第二页面缓冲器列包括第二页面缓冲器单元。所述第一页面缓冲器单元响应于第一感测信号执行第一感测操作，所述第二页面缓冲器单元响应于第二感测信号执行第二感测操作。所述计数电路根据所述第一感测操作的结果对第一阈值电压区域中包括的存储单元的第一数目进行计数，以及根据所述第二感测操作的结果对第二阈值电压区域中包括的存储单元的第二数目进行计数。
页面缓冲器电路包括存储器件

[发明专利]存储器设备-CN202110783171.6在审
发明人：沈相元;朴相元;任琫淳;崔允熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括：第一存储器区域，包括具有多个第一存储器单元的第一存储器单元阵列以及设置在第一存储器单元阵列下方的第一外围电路；第二存储器区域，包括具有多个第二存储器单元的第二存储器单元阵列以及设置在第二存储器单元阵列下方的第二外围电路；以及包括电力布线的焊盘区域。第一存储器区域和第二存储器区域分别地包括分离地确定是否锁定存储器区域中的每个的第一局部锁定电路和第二局部锁定电路。第一存储器区域和第二存储器区域被包括在单个半导体芯片中以共享焊盘区域，并且第一存储器区域和第二存储器区域单独地操作。因此，在存储器设备中，通过选择性地仅停止需要恢复的存储器区域的操作可以减少不必需要的数据丢失。
存储器设备

[发明专利]非易失性存储器件、其操作方法以及具有其的电子设备-CN201110377994.5有效
发明人： 崔允熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：非易失性存储器件、其操作方法以及具有其的电子设备。在一个实施例中，一种方法包括：接收操作命令；检测公共源极线的噪声电平；以及基于检测的噪声电平调整响应于操作命令对存储单元执行操作的次数。
非易失性存储器件电子设备噪声电平接收操作命令公共源极线操作命令存储单元检测响应

[发明专利]含类菌胞素氨基酸的创伤治愈用皮肤外用剂组合物及其制造方法-CN201610262066.7在审
发明人：金基宇;梁东柱;牟相炫;崔允熙;徐孝铉;李政勋;金炯植 -专利权人：生物FD&C株式会社;延世大学校原州产学协力团
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： A61K31/185 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有类菌胞素氨基酸的创伤治愈用组合物及其制造方法，更详细地讲，涉及一种将类菌胞素氨基酸作为有效成分含有的创伤治愈用组合物及其制造方法。根据本发明，类菌胞素氨基酸不仅对皮肤细胞没有毒性，而且对伤口的治愈具有优异的效果，可有效应用于创伤治疗、皮肤再生或皮肤损伤的恢复。
含类菌胞素氨基酸创伤治愈皮肤外用组合及其制造方法

[发明专利]电熔丝及其制造方法-CN201310424645.3有效
发明人：全成都;沈辰燮;金载运;白成烈;金宗洙;崔允熙;金秀珍;朴星范 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种电熔丝及其制造方法。所述电熔丝包括正极，形成在衬底上；负极，形成在衬底上；熔断片，将正极和负极相互连接；第一接触点，形成在正极上；第二接触点，形成在负极上且被布置为比第一接触点更接近熔断片。
电熔丝及其制造方法

[发明专利]补偿操作电压的方法、快闪存储器件、以及数据存储设备-CN201110382310.0有效
发明人： 崔允熙;朴起台;金甫根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：公开一种在非易失性存储器件中生成经补偿的操作电压的方法，以及相关的非易失性存储器件，所述操作电压如读取电压。响应于一个或多个存储单元条件来补偿操作电压，所述存储单元条件如温度变化、所选择的存储单元的编程数据状态或物理位置、所选择的存储单元的页信息、或所选择的字线的位置。
补偿操作电压方法闪存器件以及数据存储设备

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