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[发明专利]紫外线发光元件用外延片的制造方法、紫外线发光元件用基板的制造方法、紫外线发光元件用外延片及紫外线发光元件用基板-CN202280018054.3在审
发明人：土屋庆太郎;山田雅人 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外线发光元件用外延片的制造方法，其具有：准备至少一个表面由氮化镓构成的支撑基板的工序；在所述支撑基板的由所述氮化镓构成的所述表面形成接合层的工序；在所述接合层上贴合由AlxGa1‑xN(0.5＜x≤1.0)单晶构成的晶种，形成具有晶种层的贴合基板的工序；及使至少包含由AlyGa1‑yN(0.5＜y≤1.0)构成的第一导电型包覆层、AlGaN系活性层及由AlzGa1‑zN(0.5＜z≤1.0)构成的第二导电型包覆层的紫外发光元件层在所述贴合基板的所述晶种层上外延生长的工序。由此，提供一种平价且高质量的紫外线发光元件用外延片的制造方法。
紫外线发光元件外延制造方法用基板

[实用新型]剥离系统及制造系统-CN202222549967.8有效
发明人：石崎顺也;山田雅人;小川敬典 -专利权人：信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型包括一种剥离系统及制造系统。接合型晶片的剥离系统从接合型晶片剥离支撑体。接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合，接合型晶片的剥离系统具有机构，所述机构将从激光振荡器振荡产生的激光照射至接合型晶片，由此来使固化型接合材和/或与固化型接合材接触的元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使固化型接合材和/或元件结构部的表面分解，从而使元件结构部与支撑体分离。本实用新型的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。
剥离系统制造

[发明专利]紫外线发光元件用外延晶圆、紫外线发光元件用金属贴合基板的制造方法、紫外线发光元件的制造方法、及紫外线发光元件阵列的制造方法-CN202180066639.8在审
发明人： 山田雅人;石崎顺也;土屋庆太郎;久保田芳宏;川原实 -专利权人：信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及紫外线发光元件用外延晶圆，其具有：耐热性的第一支撑基板；至少设置于所述第一支撑基板的上表面且厚度为0.5～3μm的平坦层；通过贴合而接合于该平坦层的上表面且厚度为0.1～1.5μm的III族氮化物单晶的晶种层；及，在该晶种层上依次层叠生长以AlxGa1‑xN(0.5x≤1)为主要成分的第一导电型包覆层、AlGaN类活性层、及以AlyGa1‑yN(0.5y≤1)为主要成分的第二导电型包覆层而成的外延层。由此，可提供一种紫外线发光元件用外延晶圆，其能够比以往价格低廉地制造高质量的深紫外线区域(UVC：200～250nm)的发光元件。
紫外线发光元件外延金属贴合制造方法阵列

[发明专利]热交换器-CN201980058261.X有效
发明人：三桥显一郎;小串高史;山田雅人;寺田进;野一色公二 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： F28F11/00 文献下载
摘要：本发明的热交换器包括：热交换器主体，具有各自形成有多个流路的多个层部，通过使相邻的层部彼此相互接合而被构成；流入头，导入流入到多个流路的流体；流出头，使在多个流路中流动的流体汇合；覆盖部，在配置流入头及流出头之处以外之处覆盖呈现在热交换器主体的外侧面的所有的接合部位，所述接合部位是相邻的层部彼此的接合部位或者是层部的构成件彼此的接合部位；以及导出部，连接于覆盖部，形成连通于覆盖部与热交换器主体之间的间隙的内部流路。导出部具有将流体排放到预先设定的指定区域的结构。
热交换器

[发明专利]大口径III族氮化物系外延生长用基板及其制造方法-CN202180046066.2在审
发明人：久保田芳宏;川原实;山田雅人 -专利权人：信越化学工业株式会社;信越半导体株式会社
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及单晶的晶种层，其设置在平坦化层的上表面，在表面具有凹凸图案，且厚度为0.1μm以上且1.5μm以下。
口径 iii 氮化物外延生长用基板及其制造方法

[发明专利]III族氮化物系外延生长用基板及其制造方法-CN202180041183.X在审
发明人：久保田芳宏;川原实;山田雅人 -专利权人：信越化学工业株式会社;信越半导体株式会社
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：提供一种能够高品质且廉价地制作III族氮化物的单晶的III族氮化物外延生长用基板及其制造方法。本发明所述的III族氮化物系外延生长用基板具备：支承基板，其具有由氮化物陶瓷形成的芯被厚度为0.05μm以上且1.5μm以下的密封层包裹的结构；平坦化层，其设置在支承基板的上表面，具有0.5μm以上且3.0μm以下的厚度；以及晶种层，其设置在平坦化层的上表面，具有0.1μm以上且1.5μm以下的厚度，且由III族氮化物的单晶形成。
iii 氮化物外延生长用基板及其制造方法

[发明专利]热密封装置-CN202180021851.2在审
发明人：小松国男;山田雅人;䉤内孝宪 -专利权人：株式会社益力多本社;四国化工机株式会社
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B65B51/10 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够防止因盖的温度不适当而在密封性、开封感上产生问题的热密封装置。为此，本发明的热密封装置（10）是在制造容器（1）的开口部（1A：口部）被盖（2）密封的制品的制造装置（100）中使用的热密封装置（10），在容器（1）移动的路径设置有加压板（5），在上述加压板（5）配置有密封头（4）和加热部（3），所述密封头（4）对覆盖于容器（1）的盖（2）进行推压，该热密封装置（10）具有计测密封头（4）的温度的温度计测装置（7）、以及根据温度计测装置（7）的计测结果向容器输送驱动源（例如逆变器）发送控制信号的控制装置（8：控制单元）。
密封装置

[发明专利]检测装置-CN202180012197.9在审
发明人：小松国男;山田雅人;䉤内孝宪 -专利权人：株式会社益力多本社;四国化工机株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B65B57/00 文献下载
摘要：本发明提供能够对产生一个容器处配置了两个盖的情形(所谓“二连盖”)进行检测的检测装置。本发明的检测装置(10、10A)在借助盖(2)密封容器(1)的开口部(1A)的产品的生产线(100)上，沿着容器(1)移动的路径设有接近传感器(3)、及在相同路径内具备讯号发送器(4A)及讯号接收器(4B)的传感器(4：例如穿透型传感器)的两种传感器，借助该传感器(3、4)所侦测的区域为，在正常状态(未产生二连盖的状态)下不会存在盖(2)、在一个容器(1)处连续安装有两个盖(2)的情况下后续的盖(2‑1)会存在的区域。
检测装置

[发明专利]三维造型装置以及三维造型方法-CN201880064923.X有效
发明人： 山田雅人;毛利雅志;小末祐辉 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：三维造型装置向电子束的照射区域供给粉末材料并将粉末材料铺匀，对粉末材料照射电子束，使粉末材料熔融来进行三维物体的造型。三维造型装置具备：射线束射出部，其射出电子束并使电子束照射粉末材料；收容箱，其能够收容粉末材料并用于将粉末材料向电子束的照射区域供给；以及第一加热器，其安装于收容箱并对收容于收容箱的粉末材料进行加热。
三维造型装置以及方法

[发明专利]三维层叠造形物制造装置以及三维层叠造形物制造方法-CN201880066261.X有效
发明人：毛利雅志;山田雅人;小末祐辉 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：本发明的三维层叠造形物制造装置对以层状配置的粉末局部地赋予能量，使粉末熔融或烧结来制造三维层叠造形物，该三维层叠造形物制造装置具备：粉末保持部，其保持以层状配置的粉末；加热部，其对被粉末保持部保持的粉末进行预热；反射部，其配置有包括反射面的反射膜，所述反射面使从包括粉末以及三维层叠造形物中的至少一方的对象物放射的辐射热向粉末保持部侧反射；以及反射面更新部，其使反射膜移动而在反射部配置新的反射面。
三维层叠造形制造装置以及方法

[发明专利]三维造型装置以及三维造型方法-CN201880064862.7有效
发明人： 山田雅人;毛利雅志;小末祐辉 -专利权人：株式会社IHI
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：三维造型装置向电子束的照射区域供给粉末材料并铺匀，对粉末材料照射电子束使粉末材料熔融来进行三维物体的造型。三维造型装置判定在物体的造型中粉末材料是否飞散。在判定为粉末材料飞散了的情况下，在向照射区域(R)供给新的粉末材料之前，利用加热器加热照射区域(R)。在向加热后的照射区域供给新的粉末材料之后，再次开始物体的造型。
三维造型装置以及方法

[发明专利]发光组件以及发光组件的制造方法-CN201780045605.4有效
发明人：石崎顺也;古屋翔吾;铃木金吾;池田淳;铃木谦一;山田雅人 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
发光组件以及制造方法

[发明专利]半导体型荧光体-CN201880072592.4在审
发明人：樋口晋;酒井健滋;山田雅人;高桥雅宣;石崎顺也 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C09K11/70 文献下载
摘要：本发明为一种半导体型荧光体，其特征在于，所述半导体型荧光体通过注入激发光而进行光致发光，所述半导体型荧光体包含：至少一层由化合物半导体构成，且含有n型掺杂剂或p型掺杂剂的活性层；及至少两层由化合物半导体构成，且带隙比所述活性层大的阻挡层，所述活性层与所述阻挡层交替层叠。由此，提供一种易于调节波长、效率高且稳定的半导体型荧光体。
半导体荧光

[发明专利]窄坡口双丝串列埋弧焊方法-CN201510411817.2有效
发明人：井海和也;山下贤;西山繁树;中西智明;山田雅人;池内祯;前田伊久雄;深田利昭;难波茂信;畑野等 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： B23K9/18 文献下载
摘要：提供一种在改良9Cr‑1Mo钢的窄坡口双丝串列埋弧焊中，焊接效率优异，并且熔渣剥离性和焊道的状态良好，能够抑制焊接金属的高温裂纹的发生的焊接方法。该方法以既定量含有C、Si、Mn、P、S、Ni、Cr、Mo、V、Nb、Al、Ti、Zr、N，余量为Fe和不可避免的杂质的改良9Cr‑1Mo钢作为母材，使用既定量含有C、Si、Mn、P、S、Ni、Cr、Mo、V、Nb、N、O，余量是Fe和不可避免的杂质，丝径为φ 4.0mm的焊丝，利用所述焊丝与既定的碱度的焊剂的组合，使用显示下降特性的交流电源，以使先行极的焊丝送给速度VL、后行极的焊丝送给速度VT、焊接速度v、每单位长度的熔敷量既定的条件进行焊接。
窄坡口双丝串列埋弧焊方法

[发明专利]植物育成用照明装置及植物育成方法-CN201580014018.X在审
发明人：川原实;山田雅人 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： A01G7/00 文献下载
摘要：本发明是一种植物育成用照明装置，包含红光LED，发光波长为在600～680nm间；以及远红光LED或红外光LED，发光波长为在700～900nm间。该红光LED所发出红光与远红光LED或红外光LED所发出远红光及红外光系为能以脉冲状交互地照射。借此提供一种促进植物光合作用，植物生长良好的植物育成用照明装置及植物育成方法。
植物育成照明装置方法

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