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[发明专利]包括三态反相器的触发器-CN202310728280.7在审
发明人：金夏永;李达熙;吴炯锡;李根昊;宋泰中;赵成伟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：一种触发器包括至少一个第一鳍；与至少一个第一鳍平行的至少一个第二鳍；至少一个第一鳍上的第一和第二电力触点；至少一个第二鳍上的第一和第二接地触点；第一和第二电力触点之间以及第一和第二接地触点之间的至少一个第一鳍和至少一个第二鳍上的第一和第二栅极图案；第一和第二栅极图案之间的至少一个第一鳍上的第三和第四栅极图案；第一和第二栅极图案之间的至少一个第二鳍上的第五和第六栅极图案；分别在第一、第三和第五栅极图案上的第一、第二和第三触点；在第三和第四栅极图案之间的至少一个第一鳍上的第四触点；在第五和第六栅极图案之间的至少一个第二鳍上的第五触点；以及分别在第四、第六和第二栅极图案上的第六、第七和第八触点。
包括三态反相器触发器

[发明专利]包含参考单元的电阻式存储器装置及控制参考单元的方法-CN201811072217.8有效
发明人：表锡洙;郑铉泽;黄素熙;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种控制电阻式存储器中的参考单元以识别存储在多个存储单元中的值的方法。所述方法包含：将第一值写入至多个存储单元；向参考单元提供单调递增或单调递减的参考电流。所述方法包含：在将参考电流中的每一个提供给参考单元时读取多个存储单元，以及基于读取的结果的集合来确定读取参考电流。也提供一种包含参考单元的电阻式存储器装置。
包含参考单元电阻存储器装置控制方法

[发明专利]包括标准单元的集成电路及其设计方法-CN202310296909.5在审
发明人：都桢湖;宋泰中;白尚训;柳志秀;俞炫圭;郑珉在;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路可包括各自对应于第一电路的第一功能单元和第二功能单元，其中，第一功能单元可包括：在第一层中沿着第一网格在第一方向上延伸的第一图案和在第二层中沿着第二网格在第一方向上延伸的第二图案，在与第一方向交叉的第二方向上，第一网格可具有大于第二网格的第二间距的第一间距，并且第二功能单元可包括第一功能单元的布局，并且在第二方向上具有比第一功能单元的长度大第一间距的长度。
包括标准单元集成电路及其设计方法

[发明专利]集成电路-CN202310649570.2在审
发明人：都桢湖;郑钟勳;柳志秀;李昇映;宋泰中;李在鹏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种集成电路及产生集成电路的布局的计算机实施方法，所述集成电路包含多个标准单元，各标准单元包含前段工艺(front‑end‑of‑line，FEOL)区域和在FEOL区域上的后段工艺(back‑end‑of‑line，BEOL)区域，FEOL区域包含在第一水平方向上延伸的至少一个栅极线。多个标准单元中的第一标准单元的BEOL区域包含在竖直方向上不与第一标准单元的FEOL区域交叠的檐部，檐部在垂直于第一水平方向的第二水平方向上突起。
集成电路

[发明专利]具有减小的芯片尺寸的电阻性存储器器件及其操作方法-CN201810886322.9有效
发明人：表锡洙;郑铉泽;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储器器件包括：电压发生器，根据写入使能信号的激活生成写入字线电压；开关电路，响应于写入使能信号输出写入字线电压和读取字线电压中的一个作为输出电压；字线功率路径，连接到开关电路以接收输出电压；以及根据施加到字线功率路径的电压驱动字线的字线驱动器，其中写入命令在写入使能信号激活之后的特定延迟之后开始被接收，并且响应于所接收的写入命令在写入使能信号的激活时段内执行写入操作。
具有减小芯片尺寸电阻存储器器件及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法-CN201810908939.6有效
发明人：表锡洙;郑铉泽;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本申请提供了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元，其包括存储器单元和伪单元；行解码器，其通过字线连接至存储器单元；伪字线偏置电路，其通过伪字线连接至伪单元；写驱动器和读出放大器，其通过位线连接至存储器单元；以及伪位线偏置电路，其通过伪位线连接至伪单元。伪字线偏置电路被构造为将相同或不同的电压施加至对应的各条伪字线，以将选择的伪单元关断，和调整流动通过伪单元的漏电流；并且通过对伪单元中的漏电流的调整而使存储器单元中的漏电流保持在基本均匀的电平。
非易失性存储器装置操作方法

[发明专利]集成电路及产生集成电路的布局的计算机实施方法-CN201810609378.X有效
发明人：都桢湖;郑钟勳;柳志秀;李昇映;宋泰中;李在鹏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供一种集成电路及产生集成电路的布局的计算机实施方法，所述集成电路包含多个标准单元，各标准单元包含前段工艺(front‑end‑of‑line，FEOL)区域和在FEOL区域上的后段工艺(back‑end‑of‑line，BEOL)区域，FEOL区域包含在第一水平方向上延伸的至少一个栅极线。多个标准单元中的第一标准单元的BEOL区域包含在竖直方向上不与第一标准单元的FEOL区域交叠的檐部，檐部在垂直于第一水平方向的第二水平方向上突起。
集成电路产生布局计算机实施方法

[发明专利]包括三态反相器的触发器-CN201710574018.6有效
发明人：金夏永;李达熙;吴炯锡;李根昊;宋泰中;赵成伟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03K3/037 文献下载
摘要：一种触发器包括输入接口、第一锁存器、第三反相器和第二锁存器。第三反相器和第五反相器包括：形成在第一类型的鳍上的被电力供应电压供应的第一电力触点和第二电力触点之间的第一类型的第一晶体管，以及形成在第二类型的鳍上的被接地电压供应的第一接地触点和第二接地触点之间的第二类型的第二晶体管。
包括三态反相器触发器

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN202310112065.4在审
发明人：都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN202310100341.5在审
发明人：都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

[发明专利]非易失性存储器器件及其操作方法-CN201711051914.0有效
发明人：表锡洙;郑铉泽;宋泰中;徐辅永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器器件的操作方法，该操作方法包括：将不同数据存储在连接到字线的第一和第二参考单元中，检查所述不同数据是否被异常存储在第一和第二参考单元中，以及当确定所述不同数据被异常存储在第一和第二参考单元中时，交换第一和第二参考单元。
非易失性存储器器件及其操作方法

[发明专利]半导体设计系统-CN201910083553.0有效
发明人：白尚训;吴祥奎;河罗野;白承元;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种布局设计系统、一种布局设计方法和一种半导体装置。所述布局设计系统包括：处理器；存储单元，被配置为存储具有第一面积的第一单元设计，其中，在第一单元设计中，在第一单元设计的边界上未布置端子；以及设计模块，被配置为通过在第一单元设计的边界上布置端子来产生具有大于第一面积的第二面积的第二单元设计。
半导体设计系统

[发明专利]具有接触跨接线的集成电路-CN201810131037.6有效
发明人：都桢湖;宋泰中;李昇映;郑钟勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括沿第一方向延伸的第一有源区和第二有源区，沿基本上垂直于第一方向的第二方向延伸并且跨过第一有源区和第二有源区的第一栅极线以及包括在第一有源区上方与第一栅极线交叉的第一导电图案和在第一栅极线上方沿第二方向延伸并连接到第一导电图案的第二导电图案的第一接触跨接线。
具有接触接线集成电路

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN202210612937.9在审
发明人：都桢湖;李昇映;郑钟勋;林辰永;梁箕容;白尚训;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]用于选择性地执行隔离功能的半导体器件及其布局替代方法-CN202210609658.7在审
发明人：白尚叶;金兑衡;文大英;徐东旭;李仁学;崔贤洙;宋泰中;崔在承;姜贞明;金训;柳志秀;张善泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C11/418 文献下载
摘要：一种半导体设备，包括：基底，其包括沿第一方向延伸的第一有源区域和第二有源区域，第一有源区域和第二有源区域沿垂直于第一方向的第二方向布置；第一栅电极，其在第一有源区域和第二有源区域上沿第二方向延伸；第二栅电极，其在第一有源区域上沿第二方向延伸；第三栅电极，其在第二有源区域上沿第二方向延伸；第一源极区域和第一漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；第二源极区域和第二漏极区域，其位于第一有源区域上，并且位于第二栅电极的两侧；第三源极区域和第三漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第一栅电极的两侧；第四源极区域和第四漏极区域，其位于第二有源区域上，并且位于第三栅电极的两侧；第一导线，其电性连接到第一栅电极；第二导线，其电性连接到第二栅电极、第一源极区域和第二源极区域；第三导线，其电性连接到第三栅电极、第三源极区域和第四源极区域；和第四导线，其电性连接到第一漏极区域、第二漏极区域、第三漏极区域和第四漏极区域，其中，第一电压被提供给第二导线，以及其中，第二电压被提供给第三导线。
用于选择性执行隔离功能半导体器件及其布局替代方法

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