专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法-CN201610297803.7有效
  • 张金风;黄旭;安阳;张进成;郝跃 - 西安电子科技大学
  • 2016-05-06 - 2019-03-26 - H01L29/04
  • 本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料;AlGaN势垒层包括两层AlGaN,并且第一层AlGaN材料的Al组分逐渐变化;GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结;源、漏电极分别位于势垒层和沟道层的左、右两端;栅电极覆盖在鳍型GaN/AlGaN异质结的两侧和上方。本发明器件具有源、漏电阻小、栅泄漏电流小和栅控能力好的优点,可用作小尺寸高速低功耗器件。
  • gan基鳍式高电子迁移率晶体管制作方法

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