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[发明专利]一种通过实时监控氟注入实现增强型HEMT器件的方法-CN201911308890.1有效
发明人：李国强;孙佩椰;万利军;阙显沣;姚书南;梁敬晗 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过实时监控氟注入实现增强型HEMT器件的方法，包括，在HEMT器件的源电极及漏电极上分别引出监控电极，两个电极均通过导线与源表相连，形成闭合回路，然后器件在氟离子处理的过程中，不断耗尽栅下的2DEG，输出电流逐渐减小，当源表显示输出电流为零时，即实现增强型，有效避免了氟离子过度注入导致输出电流降低。
一种通过实时监控注入实现增强 hemt 器件方法

[发明专利]基于超晶格结构的增强型GaN HEMT器件及其制备方法-CN202110985584.2在审
发明人：李国强;孙佩椰;刑志恒;吴能滔;李善杰;姚书南 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超晶格结构的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，包括衬底、GaN沟道层、GaN/AlN超晶格结构层、p型GaN/AlN掺杂层、MgO栅绝缘层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极；本发明利用超晶格结构的微带效应及固体热扩散法，增强势垒层中的p型掺杂效率，简单高效地实现了高性能的增强型GaN HEMT器件。
基于晶格结构增强 gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种增强型HEMT器件-CN202023155557.2有效
发明人：李国强;吴能滔;邢志恒;孙佩椰;姚书南;李善杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增强型HEMT器件,包括SiC衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、Al组分渐变的AlGaN势垒层、Mg掺杂Al组分渐变的AlGaN势垒层、SiNX钝化层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极，本实用新型采用Al组分渐变的AlGaN势垒层来替代AlGaN势垒层，降低了Mg扩散的难度，避免了传统P型栅因刻蚀所产生的机械损伤，并提高了器件的栅控能力，有利于实现高阈值电压的GaN增强型功率器件。
一种增强 hemt 器件

[实用新型]一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜-CN202023343971.6有效
发明人：李国强;邢志恒;吴能滔;李善杰;孙佩椰;姚书南;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体的技术领域，公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜，自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜；所述缓冲层为InxAl1‑xN缓冲层或InxAl1‑xN/In0.18Al0.82N缓冲层。本实用新型不仅改善了大尺寸SiC衬底与GaN材料晶格失配问题，有效控制外延片应力，对器件整体性能和良品率提升作用明显；利于制备大尺寸碳化硅基氮化镓器件。
一种尺寸 sic 衬底应力 gan 薄膜

[实用新型]一种基于阻挡杂质带MSM型探测器-CN202021941180.0有效
发明人：李国强;陈胜;王文樑;刘红斌;柴吉星;郑昱林;唐鑫;孙佩椰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于阻挡杂质带MSM型探测器，从上至下依次包括金属受光面电极、钝化层、半导体光吸收层、缓冲层/绝缘层及支撑衬底，所述金属受光面电极下端设置金属‑半导体接触层，所述金属‑半导体接触层被离子掺杂杂质阻挡带包围。所述金属‑半导体接触层形成了肖特基接触，具有一定高度的肖特基势垒；离子掺杂杂质阻挡带进一步增强了肖特基势垒，降低了暗电流，可以有效减小半导体光吸收层的掺杂浓度和光生载流子效率，增大器件光响应。
一种基于阻挡杂质 msm 探测器

[发明专利]一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法-CN202011637782.1在审
发明人：李国强;邢志恒;吴能滔;李善杰;孙佩椰;姚书南;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体的技术领域，公开了一种大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜及其外延生长方法。所述大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜，自下而上依次包括衬底、AlN成核层、缓冲层、未掺杂GaN薄膜；所述缓冲层为InxAl1‑xN缓冲层或InxAl1‑xN/In0.18Al0.82N缓冲层。本发明还公开了大尺寸SiC衬底低应力GaN薄膜的外延生长方法。本发明不仅改善了大尺寸SiC衬底与GaN材料晶格失配问题，有效控制外延片应力，对器件整体性能和良品率提升作用明显；利于制备大尺寸碳化硅基氮化镓器件。
一种尺寸 sic 衬底应力 gan 薄膜及其外延生长方法

[发明专利]一种增强型HEMT器件及其制备方法-CN202011550452.9在审
发明人：李国强;吴能滔;邢志恒;孙佩椰;姚书南;李善杰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型HEMT器件及其制备方法,包括SiC衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、Al组分渐变的AlGaN势垒层、Mg掺杂Al组分渐变的AlGaN势垒层、SiNX钝化层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极，本发明采用Al组分渐变的AlGaN势垒层来替代AlGaN势垒层，降低了Mg扩散的难度，避免了传统P型栅因刻蚀所产生的机械损伤，并提高了器件的栅控能力，有利于实现高阈值电压的GaN增强型功率器件。
一种增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种光电探测器结构-CN202011550477.9在审
发明人：李国强;陈胜;王文樑;柴吉星;孔德麒;唐鑫;孙佩椰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器结构，包括光电探测器、晶体管放大器、衬底及电极，所述光电探测器及晶体管放大器均集成到衬底上，所述光电探测器及晶体管放大器上设置电极。本发明能增大探测器光响应性能，减小器件寄生参数的高性能光电探测器。
一种光电探测器结构

[发明专利]湿法腐蚀辅助掺杂制备的增强型GaN HEMT器件及制备方法-CN201911155852.7有效
发明人：李国强;万利军;孙佩椰;阙显沣;姚书南 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法腐蚀辅助掺杂制备的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件包括包括从下到上依次排布的硅基、GaN外延层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面形成p型AlGaN掺杂层，AlGaN势垒层上表面的两端接触有源极和漏极，p型AlGaN掺杂层的上表面具有氧化镁保护层，氧化镁保护层的上表面接触有栅极。利用热的磷酸溶液对光刻栅极区域AlGaN势垒层表面进行腐蚀处理，引入大量的表面态缺陷，提高镁原子的扩散效率，更加容易实现AlGaN势垒层的P型掺杂，该方法具有腐蚀损伤小、辅助掺杂效率高、器件漏电低的优点，对于实现低漏电增强型GaN HEMT器件具有重要意义。
湿法腐蚀辅助掺杂制备增强 gan hemt 器件方法

[发明专利]纳米孔栅极掺杂制备的常关型HEMT器件及制备方法-CN201911108784.9有效
发明人：李国强;万利军;孙佩椰;阙显沣;姚书南 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米孔栅极掺杂制备的常关型HEMT器件及制备方法，所述器件包括从下到上依次排布的硅衬底、GaN外延层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面具有纳米孔栅结构，纳米孔栅结构掺杂有金属镁，形成p型AlGaN层，AlGaN势垒层上表面的两端接触有源极和漏极，p型AlGaN层的上表面接触有栅极。本发明利用感应耦合等离子体刻蚀机（ICP）对光刻制备的纳米栅电极接触窗口区域进行刻蚀处理形成纳米栅结构，通过掺杂来实现常关型GaN HEMT器件。该制备方法对于抑制电流衰减，实现大饱和电流常关型GaN HEMT器件有重要意义。
纳米栅极掺杂制备常关型 hemt 器件方法

[实用新型]一种二维AlN/GaN HEMT射频器件-CN202021131507.8有效
发明人：李国强;孙佩椰;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二维AlN/GaN HEMT射频器件，包括衬底、GaN沟道层、二维AlN势垒层、SiNX钝化层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本实用新型采用厚度仅为几个原子层的二维AlN层替代AlGaN势垒层，在提高异质结极化强度的同时，提高器件的纵横比，有利于实现器件频率和效率的同步提升。
一种二维 aln gan hemt 射频器件

[发明专利]一种基于阻挡杂质带MSM型探测器及其制备方法-CN202010934611.9在审
发明人：李国强;陈胜;王文樑;刘红斌;柴吉星;郑昱林;唐鑫;孙佩椰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阻挡杂质带MSM型探测器及其制备方法，从上至下依次包括金属受光面电极、钝化层、半导体光吸收层、缓冲层/绝缘层及支撑衬底，所述金属受光面电极下端设置金属‑半导体接触层，所述金属‑半导体接触层被离子掺杂杂质阻挡带包围。所述金属‑半导体接触层形成了肖特基接触，具有一定高度的肖特基势垒；离子掺杂杂质阻挡带进一步增强了肖特基势垒，降低了暗电流，可以有效减小半导体光吸收层的掺杂浓度和光生载流子效率，增大器件光响应。
一种基于阻挡杂质 msm 探测器及其制备方法

[实用新型]衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件-CN201922349478.6有效
发明人：李国强;姚书南;孙佩椰;万利军;阙显沣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开的衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件，包括HEMT区以及LED区；其中，所述HEMT区包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、钝化层、栅源电极、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒层和AlN/GaN缓冲层；所述LED区包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、钝化层、n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层和p电极；所述HEMT区的AlGaN势垒层与GaN沟道层的界面处为HEMT区的AlGaN/GaN异质结；所述HEMT区的AlGaN/GaN异质结与LED区的n‑GaN层相连，实现器件导通，能够将电流驱动的LED转变为电压驱动。本实用新型利用GaN HEMT高频率、高功率的优势，可将原本由电流驱动的LED转变为电压驱动，且内部无需电极互联，减小器件寄生电阻，可用于实现集成化、微型化、稳定的可见光通信系统。
衬底转移外延生长 hemt led 单片集成器件

[发明专利]一种二维AlN/GaN HEMT射频器件及其制备方法-CN202010557522.7在审
发明人：李国强;孙佩椰;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维AlN/GaN HEMT射频器件及其制备方法，包括衬底、GaN沟道层、二维AlN势垒层、SiNX钝化层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本发明采用厚度仅为几个原子层的二维AlN层替代AlGaN势垒层，在提高异质结极化强度的同时，提高器件的纵横比，有利于实现器件频率和效率的同步提升。
一种二维 aln gan hemt 射频器件及其制备方法

[发明专利]一种新型异质结构镁扩散制备常关型HEMT器件的方法-CN202010480063.7在审
发明人：李国强;万利军;孙佩椰;阙显沣;姚书南 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型异质结构镁扩散制备常关型HEMT器件的方法。该方法包括：通过原子层沉积技术在Si基GaN外延片上生长AlN材料，光刻制备栅极窗口，采用热蒸发及剥离工艺在栅极区域沉积金属镁，热退火实现AlN材料的p型掺杂，在空气气氛下表面镁氧化实现氧化镁钝化层，制备源电极、漏电极及栅电极，得到所述常关型HEMT器件。该方法中镁扩散AlN/GaN异质结构新颖，AlN作为势垒层有利于提高二维电子气的浓度，提高器件饱和电流，实现AlN材料的p型掺杂有助于解决高Al组分化合物半导体掺杂困难的问题。该方法是新型的异质结构掺杂来实现常关型HEMT器件的方法，对于实现高性能的常关型HEMT器件有重要意义。
一种新型结构扩散制备常关型 hemt 器件方法

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