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[发明专利]一种贴片式薄膜NTC热敏电阻器-CN202211278862.1在审
发明人：武绍宽;高波;邓勇生;潘婷;孙丞;薛小婷;李莹 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种贴片式薄膜NTC热敏电阻器，属于热敏电阻技术领域。所示热敏电阻器包括衬底、绝缘膜、NTC薄膜、上电极、铜柱、下电极以及保护膜，绝缘膜位于衬底的上表面，NTC薄膜位于绝缘膜上，上电极位于NTC薄膜以及绝缘膜上且均匀分布，保护膜位于上电极、NTC薄膜以及绝缘膜裸露的表面上，下电极位于衬底的下表面，铜柱穿过衬底连接上电极与下电极。该热敏电阻器采用铜柱连接上、下两个电极，在贴片时就可以使NTC薄膜朝上，与热源更接近，而且能够大幅度缩短电互连的长度，解决信号延迟的问题，使测试更灵敏、方便。
一种贴片式薄膜 ntc 热敏电阻器

[发明专利]一种氧化增光二极管制作方法-CN202011459843.X有效
发明人：夏黎明;李青民;任占强;李喜荣;王宝超;张超奇;孙丞;李波 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化增光二极管制作方法，解决现有二极管制作方法存在氧化不均匀、串联电阻高、造成产品分类多、循环次数较多等问题。该方法包括：步骤一、在GaAs衬底上生长外延结构，在进行AlAs生长时，TMAl中增加40～100PPM的氧元素；步骤二、制作正面金属电极；步骤三、制作背面金属；步骤四、图形制作；步骤五、在350～450℃、保护气体环境下进行退火；步骤六、进行切割；步骤七、进行AlAs氧化，氧化气体条件：在保护气体环境下增加水蒸气，混气出口温度90～100℃；步骤八、进行芯片测试。本发明方法在TMAl中加入少量的氧元素，使得产品氧化均匀性提高，同时AlAs氧化后变成Al2O3，折射率由3.09降低到1.77，增加ΔN，提高了器件性能。
一种氧化增光二极管制作方法

[实用新型]一种便于携带的线损用测算装置-CN202023274085.2有效
发明人：李平;韩保锋;张峰;耿光明;张鹏岩;孙丞;安宇 -专利权人：国网新疆电力有限公司奎屯供电公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及线损测算设备技术领域，尤其是一种便于携带的线损用测算装置，包括机体，机体顶部固定安装有挂绳，机体上通过导线电性连接有三个鳄鱼夹，机体上通过导线电性连接有三个电流钳，机体背板处设有两组卷收机构，两组卷收机构并排设置，卷收机构包括两个支撑侧板，两个支撑侧板间隔设置，支撑侧板固定连接在机体上，两个支撑侧板之间设有两个圆盘，两个圆盘之间设有卷轴，卷轴两端固定连接在圆盘上，圆盘上固定安装有转轴，转轴可转动的安装在支撑侧板上，位于一侧的转轴贯穿支撑侧板，转轴的端部固定安装有转盘，转盘上固定安装有握柄，鳄鱼夹和电流钳上的导线均可卷收在卷轴内。
一种便于携带线损用测算装置

[发明专利]一种用于晶圆光刻的高精度对准方法-CN201711191957.9有效
发明人：孙丞;李青民 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提出一种用于晶圆光刻的高精度对准方法，消除了砷化镓晶圆平边的打磨工艺对于光刻对准精度的影响，提高了光刻对准的精度。本发明的主要步骤有：(1)在载片台和光刻版的夹缝前设置独立照明光源，使晶圆底边的一侧完全被照亮，同时关闭显微镜自身的照明光源，通过显微镜观察光刻版；(2)将显微镜左右镜头中的光刻版图形进行平行对准；(3)将显微镜镜头高度下调，显微镜中的光刻版图形变得模糊，边界变得不再清晰；继续调整显微镜镜头的高度，直至观察到砷化镓晶圆平边的底边；(4)将显微镜左右镜头中的平边底边进行平行对准，即完成了光刻版图形与晶圆平边底边的对准。
一种用于圆光高精度对准方法

[发明专利]一种用于适应背面减薄的晶圆金属镀层结构以及工装-CN201511024095.1有效
发明人：孙丞;杨国文 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于适应背面减薄的晶圆金属镀层结构及其工装(光刻板、晶圆夹具)。该晶圆金属镀层结构，晶圆金属镀层中部设置有若干个用于实现芯片功能且相互隔离的金属区，整体记为芯片有效区，有别于现有技术的是：在所述芯片有效区的外围设置有与其相隔离的金属环带，该金属环带的厚度与所述金属区的厚度相同。晶圆在作业背面减薄工艺时，由于晶圆边缘均存在金属，消除了边缘缝隙，故晶圆边缘受力不均匀的问题得到解决，消除了破裂和弯曲的风险。同时，由边缘缝隙的消除，晶圆边缘的支撑载体和正面完全贴合，也消除了减薄颗粒会进入到晶圆正面的可能，解决了晶圆表面沾污的问题。
一种用于适应背面金属镀层结构以及工装

[发明专利]基于离子束镀膜的液体管路温度传感器及其制备方法-CN201811551868.5在审
发明人：陈鹏;孙丞;鹿文龙;杨静;孙航;强熙隆;雷玥;彭旗;张瑾瑶 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G01K7/18 文献下载
摘要：本发明公开了基于离子束镀膜的液体管路温度传感器及其制备方法，在保护壳内部置入了两片测温元件，测温元件包括基片、附在基片上的电阻丝栅膜、焊盘、保护膜、玻璃层、引线，用导线将测温元件的引线引出，并且与电连接器焊接；用环氧树脂将保护壳内的空腔灌封；保护壳的前端探头直径由一种较大的直径变径为一种较小的直径，并在变径处进行倒角。本发明的核心敏感元件国产化，可靠性高耐久性好，可以应用于航空、航海等军工领域及恶劣的海洋民用领域。
测温元件保护壳离子束镀膜温度传感器液体管路制备环氧树脂电连接器电阻丝栅高耐久性军工领域民用领域敏感元件保护膜变径处玻璃层探头变径倒角灌封焊盘空腔置入焊接航海海洋航空应用

[发明专利]一种高功率准连续半导体激光器芯片-CN201811625897.1在审
发明人：李青民;孙丞;仇伯仓;李波 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明提出一种高功率准连续半导体激光器芯片。该高功率准连续半导体激光器芯片的P型限制层为台阶形态，其中，台阶上层限于台阶基础的中部区域，所述P型接触层限于该台阶上层的表面，所述绝缘层在器件表面相应形成弯折形态，依次覆盖于：1)P型接触层表面未被金属电极覆盖的区域、2)P型接触层侧面和所述台阶上层的侧面、以及3)所述台阶基础的表面。本发明结构简明，有效降低了器件的阈值电流、远场发散角，改善了器件性能，同时保证了其可靠性不受影响，使其满足要求更高的场合。
连续半导体激光器高功率上层芯片绝缘层远场发散角侧面金属电极器件表面器件性能中部区域阈值电流弯折覆盖保证

[实用新型]用于射频微波功放器件的封装结构-CN201821249020.2有效
发明人：张达泉;杨荣;张昊;孙丞 -专利权人：苏州本然微电子有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于射频微波功放器件的封装结构，包括射频功放芯片、电路基板、金属基板和无源器件，射频功放芯片设置在金属基板上；无源器件设置在电路基板上；金属基板和电路基板拼接组合；射频功放芯片与电路基板通过金属连接线连接。本实用新型通过采用高导热金属材料作为金属基板，提升射频功放芯片的散热效果；射频功放芯片与无源器件分别放置在金属基板和电路基板上，金属基板和电路基板拼接组合，可更为便捷的使用市面上Q值较高的电阻、电感、电容或微带线，降低研发周期，保证了较低的成本，保证产品性能和可靠性；同时可通过对电阻、电容、电感和微带线等主要元器件进行产品参数调整达到设计需求，灵活度高。
电路基板金属基板射频功放芯片无源器件电感本实用新型封装结构功放器件拼接组合射频微波微带线电阻高导热金属材料金属连接线产品参数产品性能散热效果电容灵活度研发元器件保证

[发明专利]用于射频微波功放器件的封装结构-CN201810879851.6在审
发明人：张达泉;杨荣;张昊;孙丞 -专利权人：苏州本然微电子有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于射频微波功放器件的封装结构，包括射频功放芯片、电路基板、金属基板和无源器件，射频功放芯片设置在金属基板上；无源器件设置在电路基板上；金属基板和所述电路基板拼接组合；射频功放芯片与电路基板通过金属连接线连接。本发明通过采用高导热金属材料作为金属基板，提升射频功放芯片的散热效果；射频功放芯片与无源器件分别放置在金属基板和电路基板上，金属基板和电路基板拼接组合，可更为便捷的使用市面上Q值较高的电阻、电感、电容或微带线，降低研发周期，保证了较低的成本，保证产品性能和可靠性；同时可通过对电阻、电容、电感和微带线等主要元器件进行产品参数调整达到设计需求，灵活度高。
电路基板金属基板射频功放芯片无源器件电感封装结构功放器件拼接组合射频微波微带线电阻高导热金属材料金属连接线产品参数产品性能散热效果电容灵活度研发元器件保证

[实用新型]一种图像数据无线传输装置-CN201721672103.8有效
发明人：邓勇生;鹿文龙;郑致远;孙丞;聂俊 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H04N19/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种图像数据无线传输装置，有以下部分构成：采集模块输入端接图像数据视频电缆，采集模块的输出端接入组帧编码模块，组帧编码模块的输出端接入调制模块输入端，调制模块和振荡模块的输出端接入混频模块输入端，混频模块输出端接入放大模块输入端，放大模块输出端接入发射模块输入端，发射模块向外发射无线电波。本实用新型可对发动机图像数据进行实时采集、编码和无线传输，具有采集速率高、传输数据量大、通信方式可靠、实时性好、集成度高的优点。本实用新型集成度高，体积小、重量轻，可减小对飞行器空间和重量的占用。
输出端输入端图像数据本实用新型无线传输装置编码模块采集模块调制模块发射模块放大模块混频模块集成度组帧无线电波传输数据量实时采集实时性好视频电缆通信方式无线传输振荡模块体积小重量轻飞行器减小发动机采集占用发射

[实用新型]一种多方向间隙可调节的限位结构-CN201721695663.5有效
发明人：屈文轩;高波;张苗;吴亚男;李敏;孙丞 -专利权人：陕西电器研究所
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： G01G23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多方向间隙可调节的限位结构，包括上连接座，调节杆，调节母和下连接座，调节杆与上连接座之间采用螺纹连接，调节母与下连接座之间采用螺纹连接，调节杆上端插入上连接座内，下端插入调节母和下连接座内。调节杆下端为橄榄型，调节杆与调节母之间接触面为斜面，调节杆与下连接座之间接触面为斜面，可增强限位结构抗载荷能力。调节杆与调节母之间和调节杆与下连接座之间的间隙通过螺纹调节。本实用新型的有益效果是存在两处可调节的间隙，均可实现水平方向和弯矩方向的间隙调节要求，增加结构在该方向的承载能力。本实用新型结构简洁，承载能力强，可实现多方向间隙的调节。所采用的斜面设计和双间隙结构具有较大的承载能力。
调节杆下连接座本实用新型承载能力上连接座限位结构多方向可调节螺纹连接下端双间隙结构间隙调节螺纹调节斜面设计载荷能力橄榄型上端弯矩

[实用新型]一种控制光刻胶溅射的涂胶机系统-CN201721591639.7有效
发明人：孙丞;李青民 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型提出一种控制光刻胶溅射的涂胶机系统，结构简明，实现成本低，在产业上能够有效减轻光刻胶溅射问题对涂胶工艺的影响。该控制光刻胶溅射的涂胶机系统，包括涂胶机腔体和设置于涂胶机内腔的载片台以及晶圆；涂胶机腔体的竖直方向设置有抽气系统，涂胶机内腔的侧壁在高度方向上对应于晶圆及其以上的区域向内倾斜，使得光刻胶微粒溅射的主要方向改为向下溅射，涂胶机腔体的侧壁顶端向腔体轴心延展形成导流护板，整体形成从顶端中心向两侧下行的气流导向，使得从晶圆表面甩出的光刻胶微粒被抽气系统带走。因此，本实用新型提升了光刻胶的表面一致性以及光刻工艺的稳定性，提高了产品良率和产出。
涂胶机溅射光刻胶腔体控制光本实用新型抽气系统晶圆内腔侧壁顶端产品良率导流护板顶端中心方向设置光刻工艺晶圆表面气流导向涂胶工艺整体形成载片台侧壁竖直甩出向内延展下行

[发明专利]一种控制光刻胶溅射的涂胶机系统-CN201711193667.8在审
发明人：孙丞;李青民 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提出一种控制光刻胶溅射的涂胶机系统，结构简明，实现成本低，在产业上能够有效减轻光刻胶溅射问题对涂胶工艺的影响。该控制光刻胶溅射的涂胶机系统，包括涂胶机腔体和设置于涂胶机内腔的载片台以及晶圆；涂胶机腔体的竖直方向设置有抽气系统，涂胶机内腔的侧壁在高度方向上对应于晶圆及其以上的区域向内倾斜，使得光刻胶微粒溅射的主要方向改为向下溅射，涂胶机腔体的侧壁顶端向腔体轴心延展形成导流护板，整体形成从顶端中心向两侧下行的气流导向，使得从晶圆表面甩出的光刻胶微粒被抽气系统带走。因此，本发明提升了光刻胶的表面一致性以及光刻工艺的稳定性，提高了产品良率和产出。
一种控制光刻溅射涂胶系统

[发明专利]一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法-CN201610874047.X有效
发明人：孙丞;杨国文 -专利权人：西安立芯光电科技有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法，首先，从某一批衬底对应的外延片中任意挑选一片，进行光刻、腐蚀、研磨、解理；其中，在光刻工艺完成后测量光刻图形与晶圆平边之间的偏转角度，在解理工艺完成后测量解理边与光刻图形之间的偏转角度，计算得出晶圆平边与解理边之间的偏转角度；然后，根据计算出的晶圆平边与解理边之间的偏转角度，在作业该衬底批次后续晶圆的第一步光刻时，人为地对晶圆平边与解理边之间的偏转进行补偿。本发明提出一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法，消除了晶圆平边和解理边的偏转不可控的因素，有效提高砷化镓激光芯片的成品率，且实现成本较低。
一种用于激光芯片制造中平补偿对准光刻方法

[发明专利]聚合物及包含其的组合物-CN201480046577.4有效
发明人：朴柱铉;金铭云;李相益;卞泰锡;孙丞;权容熙;郑仁京;柳俊城 -专利权人： DNF有限公司;SKC株式会社;朴柱铉
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： C08G61/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种可以以多种用途来使用的聚合物及包含其的组合物，本发明的聚合物和组合物在机械、光学特性非常优异的半导体装置的制备中非常有用。
新型聚合物包含组合

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