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[实用新型]用于射频微波功放器件的封装结构-CN201821249020.2有效
发明人： 张达泉;杨荣;张昊;孙丞 -专利权人：苏州本然微电子有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于射频微波功放器件的封装结构，包括射频功放芯片、电路基板、金属基板和无源器件，射频功放芯片设置在金属基板上；无源器件设置在电路基板上；金属基板和电路基板拼接组合；射频功放芯片与电路基板通过金属连接线连接。本实用新型通过采用高导热金属材料作为金属基板，提升射频功放芯片的散热效果；射频功放芯片与无源器件分别放置在金属基板和电路基板上，金属基板和电路基板拼接组合，可更为便捷的使用市面上Q值较高的电阻、电感、电容或微带线，降低研发周期，保证了较低的成本，保证产品性能和可靠性；同时可通过对电阻、电容、电感和微带线等主要元器件进行产品参数调整达到设计需求，灵活度高。
电路基板金属基板射频功放芯片无源器件电感本实用新型封装结构功放器件拼接组合射频微波微带线电阻高导热金属材料金属连接线产品参数产品性能散热效果电容灵活度研发元器件保证

[发明专利]用于射频微波功放器件的封装结构-CN201810879851.6在审
发明人： 张达泉;杨荣;张昊;孙丞 -专利权人：苏州本然微电子有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于射频微波功放器件的封装结构，包括射频功放芯片、电路基板、金属基板和无源器件，射频功放芯片设置在金属基板上；无源器件设置在电路基板上；金属基板和所述电路基板拼接组合；射频功放芯片与电路基板通过金属连接线连接。本发明通过采用高导热金属材料作为金属基板，提升射频功放芯片的散热效果；射频功放芯片与无源器件分别放置在金属基板和电路基板上，金属基板和电路基板拼接组合，可更为便捷的使用市面上Q值较高的电阻、电感、电容或微带线，降低研发周期，保证了较低的成本，保证产品性能和可靠性；同时可通过对电阻、电容、电感和微带线等主要元器件进行产品参数调整达到设计需求，灵活度高。
电路基板金属基板射频功放芯片无源器件电感封装结构功放器件拼接组合射频微波微带线电阻高导热金属材料金属连接线产品参数产品性能散热效果电容灵活度研发元器件保证

[发明专利]一种用于GaNHEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法-CN201710075356.5在审
发明人：孙丞;杨荣;李宝国;张达泉;张书敬;韩威;马京路 -专利权人：苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及GaN HEMT芯片生产制造领域，特别是涉及一种用于GaN HEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法，包括如下步骤(1)在SiC衬底背面，溅射或者蒸发第一层易腐蚀金属；(2)在SiC衬底背面进行通孔图形光刻，采用腐蚀液浸泡晶圆，去除通孔中的第一层易腐蚀金属，随后去除晶圆表面的光刻胶；(3)在第一层易腐蚀金属的正面，电镀第二层易腐蚀金属，将整个金属层加厚；(4)使用等离子刻蚀通孔，直到刻蚀完SiC衬底，露出正面源电极；(5)使用腐蚀液将所述第一层易腐蚀金属和第二层易腐蚀金属腐蚀掉。本发明采用金属作为刻蚀的阻挡层，可以有效地阻挡等离子体的轰击刻蚀，为GaN HEMT器件结构设计提供更多可能性。
一种用于 ganhemt 芯片生产中通孔刻蚀方法

[实用新型]一种新型栅结构的GaN基HEMT器件-CN201620846582.X有效
发明人：李宝国;马京路;韩威;张书敬;张达泉;孙丞;杨荣 -专利权人：苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型栅结构的GaN基HEMT器件，所述绝缘层的上端设有倒直角梯形的插孔，且插孔位于源极和漏极之间，所述插孔内插接有对应的直角梯形的底层栅极，所述底层栅极的上端设有顶层栅极。该新型栅结构的GaN基HEMT器件，底层栅极为直角梯形结构，使底层栅极与势垒层的距离呈现阶梯状增加，不是形成突变方式，这种结构可以提高器件的击穿电压，并且不用增加栅极与漏极之间的距离，同时因为底层栅极靠近漏极端的右下角部分不会形成直角的方式，同样会减少器件的热电子效应，从而提高器件的可靠性和使用寿命，而且，通过减少顶层栅极和势垒层之间的距离可以更好的抑制器件电流崩溃效应。
一种新型结构 gan hemt 器件

[发明专利]一种新型栅结构的GaN基HEMT器件-CN201610638795.8在审
发明人：李宝国;马京路;韩威;张书敬;张达泉;孙丞;杨荣 -专利权人：苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型栅结构的GaN基HEMT器件，所述绝缘层的上端设有倒直角梯形的插孔，且插孔位于源极和漏极之间，所述插孔内插接有对应的直角梯形的底层栅极，所述底层栅极的上端设有顶层栅极。该新型栅结构的GaN基HEMT器件，底层栅极为直角梯形结构，使底层栅极与势垒层的距离呈现阶梯状增加，不是形成突变方式，这种结构可以提高器件的击穿电压，并且不用增加栅极与漏极之间的距离，同时因为底层栅极靠近漏极端的右下角部分不会形成直角的方式，同样会减少器件的热电子效应，从而提高器件的可靠性和使用寿命，而且，通过减少顶层栅极和势垒层之间的距离可以更好的抑制器件电流崩溃效应。
一种新型结构 gan hemt 器件

[实用新型]一种温度补偿式晶体振荡器-CN201120088770.8有效
发明人： 张达泉;刘斌;陈克恭;王树一 -专利权人：苏州麦格芯微电子有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种温度补偿式晶体振荡器，其特征在于，将芯片的AFC端作为通讯协议中的时钟讯号；Q端作为通讯协议中的数据讯号，实现温度补偿；通讯完成后，Q端被切换成输出，用于固定输出所需的频率。本实用新型可以用6个以下的PIN脚进行通讯的温度补偿式晶体振荡器的通讯。由于采用只使用6个以下的PIN脚来实现通讯的方式，使得PIN脚的底座可以适用通用型的底座，从而不需要订做底座，降低了生产的成本，提高了生产的效率。
一种温度补偿晶体振荡器

[实用新型]一种数字式温度补偿晶体振荡器-CN201120088782.0无效
发明人：刘斌;张达泉;陈克恭;王树一 -专利权人：苏州麦格芯微电子有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种数字式温度补偿晶体振荡器，包括电源电路、振荡电路、数字补偿电路，所述振荡电路与电源电路和数字补偿电路相连，所述数字补偿电路包括温度感应器、模数转换模块、数据处理单元、数字信号处理单元、数模转换器和电压控制的晶体振荡电路，所述温度感应器通过模数转换模块与数据处理单元相连，所述数据处理单元通过数字信号处理单元以及数模转换器和电压控制的晶体振荡电路相连，其特征在于，所述数字补偿电路包括抖动信号产生器，所述抖动信号产生器与数据处理单元和数模转换器相连。这种新型的带数字抖动功能的电路既保留了原数字补偿方式的晶体振荡器的性能优势，又可以使用低精度的ADC或是DAC的电路达到高精度的目的，这样就可以大大降低IC的面积，使其成本降低。
一种数字式温度补偿晶体振荡器

[发明专利]一种温度补偿式晶体振荡器及其通讯方法-CN201110078899.5有效
发明人： 张达泉;刘斌;陈克恭;王树一 -专利权人：苏州麦格芯微电子有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H03L1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度补偿式晶体振荡器及其通讯方法，其特征在于，将芯片的AFC端作为通讯协议中的时钟讯号；Q端作为通讯协议中的数据讯号，实现温度补偿；通讯完成后，Q端被切换成输出，用于固定输出所需的频率。本发明可以用6个以下的PIN脚进行通讯的温度补偿式晶体振荡器的通讯。由于采用只使用6个以下的PIN脚来实现通讯的方式，使得PIN脚的底座可以适用通用型的底座，从而不需要订做底座，降低了生产的成本，提高了生产的效率。
一种温度补偿晶体振荡器及其通讯方法

[发明专利]一种数字式温度补偿晶体振荡器-CN201110078168.0有效
发明人：刘斌;张达泉;陈克恭;王树一 -专利权人：苏州麦格芯微电子有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H03L1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种数字式温度补偿晶体振荡器，包括电源电路、振荡电路、数字补偿电路，所述振荡电路与电源电路和数字补偿电路相连，所述数字补偿电路包括温度感应器、模数转换模块、数据处理单元、数字信号处理单元、数模转换器和电压控制的晶体振荡电路，所述温度感应器通过模数转换模块与数据处理单元相连，所述数据处理单元通过数字信号处理单元以及数模转换器和电压控制的晶体振荡电路相连，其特征在于，所述数字补偿电路包括抖动信号产生器，所述抖动信号产生器与数据处理单元和数模转换器相连。这种新型的带数字抖动功能的电路即保留了原数字补偿方式的晶体振荡器的性能优势，又可以使用低精度的ADC或是DAC的电路达到高精度的目的，这样就可以大大降低IC的面积，使其成本降低。
一种数字式温度补偿晶体振荡器

[实用新型]声表面波频率器件的温度补偿系统-CN200920269276.4无效
发明人： 张达泉;刘斌;林劲松 -专利权人：苏州麦格芯微电子有限公司
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H03L1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种声表面波频率器件的温度补偿系统，包括温度传感器、温度补偿电路、以及和声表面波材料相连的振荡器核，所述振荡器核包括可调电容库，含有至少一个可变电容，所述温度补偿电路的存储器中存储有查阅表，包含控制信号-温度关系信息或频率信号-温度关系信息。温度补偿电路可以是模拟温度补偿电路或者是数字温度补偿电路，或者是含有微处理器的温度补偿子系统。本实用新型能有效校正声表面波频率器件的温度特性，改善频率稳定度，同时拥有高频率和低相位噪声的优点。
表面波频率器件温度补偿系统

[实用新型]集成电路芯片智能自适应驱动级控制系统-CN200920267175.3无效
发明人：刘斌;张达泉;林劲松 -专利权人：苏州麦格芯微电子有限公司
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成电路芯片智能自适应驱动级控制系统，包括芯片驱动电路、芯片输出电路、信号检测电路和控制逻辑电路，芯片驱动电路或芯片输出电路输出反馈信号接信号检测电路的输入端，信号检测电路对反馈信号进行采样比较，输出检测结果信号接控制逻辑电路的第一输入端，控制逻辑电路根据检测结果信号，输出控制信号给芯片驱动电路。本实用新型能自动调节芯片驱动能力，可以应付驱动能力不足的情况，使同一块芯片可以应对各种不同大小的负载，减少所需的芯片数量和种类，降低厂商的生产设计成本，也使芯片的应用变得容易；也可以应付驱动能力过强的情况，更节能省电。
集成电路芯片智能自适应驱动控制系统

[发明专利]集成电路芯片智能自适应驱动级控制系统和方法-CN200910226326.5无效
发明人：刘斌;张达泉;林劲松 -专利权人：苏州麦格芯微电子有限公司
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G05F1/577 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路芯片智能自适应驱动级控制系统，包括芯片驱动电路、芯片输出电路、信号检测电路和控制逻辑电路，芯片驱动电路或芯片输出电路输出反馈信号接信号检测电路的输入端，信号检测电路对反馈信号进行采样比较，输出检测结果信号接控制逻辑电路的第一输入端，控制逻辑电路根据检测结果信号，输出控制信号给芯片驱动电路。本发明还提出了集成电路芯片智能自适应驱动级控制方法，能自动调节芯片驱动能力，可以应付驱动能力不足的情况，使同一块芯片可以应对各种不同大小的负载，减少所需的芯片数量和种类，降低厂商的生产设计成本，也使芯片的应用变得容易；也可以应付驱动能力过强的情况，更节能省电。
集成电路芯片智能自适应驱动控制系统方法

[发明专利]声表面波频率器件的温度补偿系统和方法-CN200910220932.6无效
发明人： 张达泉;刘斌;林劲松 -专利权人：苏州麦格芯微电子有限公司
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H03L1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表面波频率器件的温度补偿系统，包括温度传感器、温度补偿电路和与声表面波材料相连的振荡器核，温度补偿电路可以是数字补偿电路或模拟补偿电路，并且可以集成在一个或多个集成电路芯片上，且存有查阅表，存储控制信号-温度关系曲线等信息。本发明还公开了一种声表面波频率器件的温度补偿方法，通过温度传感器将测得的频率器件的温度信息传递给温度补偿电路，温度补偿电路查阅查阅表，产生和温度信号相应的控制信号，用来控制振荡器核中的可调电容库中至少一个可变电容，从而调节频率器件的频率，使频率稳定在标称频率。本发明能有效校正声表面波频率器件的温度特性，改善频率稳定度，同时拥有高频率和低相位噪声的优点。
表面波频率器件温度补偿系统方法

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