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[发明专利]纠错码电路、半导体存储器装置以及存储器系统-CN201911132195.4有效
发明人：赵诚慧;李起准;李明奎;孔骏镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：公开了纠错码电路、半导体存储器装置以及存储器系统。半导体存储器装置的纠错码电路包括校正子生成电路和纠正电路。响应于解码模式信号，校正子生成电路通过使用第一奇偶校验矩阵和第二奇偶校验矩阵中的一个基于从存储器单元阵列读取的码字中的消息和第一奇偶校验位，来生成校正子。纠正电路接收所述码字，基于校正子纠正所述码字中的(t1+t2)个错误位的至少一部分，并输出纠正的消息。这里，t1和t2分别是大于0的自然数。
纠错码电路半导体存储器装置以及系统

[发明专利]解码低密度奇偶校验码的方法、解码器及存储器系统-CN201811397209.0有效
发明人：李明奎;金宰弘;李起准;孔骏镇;孙弘乐;林世镇;黄映竣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本公开提供了解码低密度奇偶校验码的方法、解码器及存储器系统。一种解码低密度奇偶校验(LDPC)码的方法，包括：将LDPC码的奇偶校验矩阵划分为多个子块。该方法还包括：对于多次解码迭代中的每一个，在解码调度中执行多个子块中的多个目标子块中的每个目标子块的节点操作，所述多个目标子块对应于多次解码迭代中的当前解码迭代，基于每个目标子块的节点操作的结果来估计每个目标子块的可靠性，并基于每个目标子块的可靠性来调整解码调度。
解码密度奇偶校验码方法解码器存储器系统

[发明专利]存储器系统、存储器控制器和检测半匹配的方法-CN201910939582.2有效
发明人：诺姆·利夫内;孔骏镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：公开一种存储器系统、存储器控制器和检测半匹配的方法。一种存储器系统可包括：存储器装置，被配置为存储从主机接收的数据；以及存储器控制器，被配置为：从主机接收所述数据的接收块和与所述数据相关联的逻辑地址，基于接收块的至少一个半部分中的各个半部分是否与存储在存储器装置中的存储块的一个或多个现有半部分匹配，将接收块的所述至少一个半部分检测为重复半部分，基于所述至少一个半部分中的各个半部分是否是重复半部分，选择性地将接收块的所述至少一个半部分存储在存储器装置中，使得接收块的重复半部分不存储在存储器装置中，以及存储与对接收块进行检索相关联的元数据。
存储器系统控制器检测匹配方法

[发明专利]读取非易失性存储器的方法和存储设备-CN201910211592.4有效
发明人：金广勋;孔骏镇;薛昶圭;孙弘乐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：提供了一种存储系统及其读取方法，所述存储系统包括：比特计数器和回归分析器。比特计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储单元中读取的数据来生成多个计数值，所述多个计数值中的每一个指示具有多个不同的读取电压中的一对读取电压之间的阈值电压的、存储设备的存储单元的数目。回归分析器被配置为使用回归分析而基于所述多个计数值来为所选择的存储单元确定读取电压。
读取非易失性存储器方法存储设备

[发明专利]存储器控制器、操作该存储器控制器的方法以及存储器系统-CN201810230803.4有效
发明人：邵惠晶;李东焕;崔城赫;吴银珠;孔骏镇;孙弘乐;尹弼相 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器控制器、一种操作该存储器控制器的方法以及一种存储器系统。该操作存储器控制器的方法包括：基于与处于擦除状态的多个存储单元有关的擦除状态信息，将处于擦除状态的多个存储单元分类成多个组；为多个组中的至少一个组中包括的存储单元中的至少一些存储单元设置至少一种目标编程状态；以及将已经设置了至少一种目标编程状态的至少一些存储单元编程为多种编程状态中除了目标编程状态之外的编程状态。
存储器控制器操作方法以及系统

[发明专利]操作解码器以及操作包括该解码器的数据存储装置的方法-CN201710216669.8有效
发明人：申东旻;慎钒揆;郑宪华;孔骏镇;孙弘乐;宋英杰;林世镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：一种操作解码器以及操作包括该解码器的数据存储装置的方法。一种操作具有变量节点和校验节点的解码器的方法，包括从使用所述校验节点中的第一校验节点的所述变量节点接收变量到校验(V2C)消息。对所述V2C消息中具有特定幅值的消息的数量进行计数。基于所述计数值和所述变量节点中的第一变量节点的V2C消息的幅值来确定将被发送到第一变量节点的校验到变量(C2V)消息的幅值。
操作解码器以及包括数据存储装置方法

[发明专利]使用非线性滤波方案的存储器系统及其读取方法-CN201910018564.0有效
发明人：陈东燮;尹弼相;孙弘乐;孔骏镇;沈荣燮;韩真晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/02 文献下载
摘要：提供了非易失性存储器系统及其控制方法。一种非易失性存储器系统包括：非易失性存储器件，包括多个存储单元，多个存储单元构成多个存储块并且每个存储块包括多个页；以及存储器控制器，被配置为施加位于第一读电平的读电压以从多个存储单元当中的所选择的存储单元读数据，在施加导致读失败时传输命令到非易失性存储器件以请求特定电压范围的多个采样值，其中多个采样值中的每一个与具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量相对应，响应于命令从所述非易失性存储器件接收采样值，施加非线性滤波到所接收的采样值以生成经滤波的值，以及基于经滤波的值将读电压设置为第二读电平，其中，经滤波的值中的每一个指示具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量，并且非易失性存储器件还包括用于生成采样值的位计数器。
使用非线性滤波方案存储器系统及其读取方法

[发明专利]存储装置和用于非易失性存储器装置的访问方法-CN201710790427.X有效
发明人：李东焕;孔骏镇;权成南;卢承京;薛昶圭;孙弘乐;尹弼相;李东起;李熙元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储装置，其可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。
存储装置用于非易失性存储器访问方法

[发明专利]恢复数据的方法和使用该方法的存储器系统和RAID存储系统-CN201710544300.X有效
发明人：李明奎;柳根荣;申东旻;金钟河;孔骏镇;慎钒揆;金志烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种恢复数据的方法和系统，包括：当针对目标码字的解码器输入的错误校正码(ECC)解码处理已经失败时，从存储器设备读取与目标码字具有码相关的参考码字。基于使用目标码字和参考码字的操作处理来生成校正的目标码字的解码器输入。再次对校正的目标码字的解码器输入执行ECC解码处理。
恢复数据方法使用存储器系统 raid 存储系统

[发明专利]非易失性存储器存储系统-CN201710260714.X有效
发明人：吴银珠;尹弼相;孔骏镇;孙弘乐;陈东燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器存储系统。非易失性存储器存储系统包括多个存储器单元和存储器控制器，存储器控制器被配置为基于多个读取电压向非易失性存储器装置传输读取命令。非易失性存储器装置基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对N个电平之中的第一电平执行第一读取操作，对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数，根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述N个电平之中的第一电平或第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平。
非易失性存储器存储系统

[发明专利]存储器装置和包括该存储器装置的存储器系统-CN202111211055.3在审
发明人：金成来;李明奎;李起准;孔骏镇;宋英杰;张晋熏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：公开存储器装置和包括该存储器装置的存储器系统。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括布置成多个行的存储器单元；ECC引擎，被配置为：检测响应于读取命令和读取地址而从存储器单元阵列读取的第一数据中的错误，输出第一错误发生信号，并且纠正第一数据中的错误；行故障检测器，被配置为输出故障行地址，故障行地址指示所述多个行之中的故障行；以及标志生成器，被配置为：接收读取地址、第一错误发生信号和故障行地址，并且生成解码状态标志或故障行标志，解码状态标志指示错误是否被检测到以及错误是否被纠正，故障行标志指示包括在读取地址中的读取行地址为故障行地址。
存储器装置包括系统

[发明专利]使用非线性滤波方案的存储器系统及其读取方法-CN201710022359.2有效
发明人：陈东燮;尹弼相;孙弘乐;孔骏镇;沈荣燮;韩真晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。
使用非线性滤波方案存储器系统及其读取方法

[发明专利]使用低密度奇偶校验码的解码器及存储控制器-CN201710590347.X有效
发明人：金成来;孔奎烈;李起准;孔骏镇;孙弘乐;慎钒揆;郑宪华 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本申请提供一种解码器和包括该解码器的存储控制器。该解码器包括：通道映射器，其配置为基于硬判决信息和软判决信息生成多个通道接收值；强错误检测器，其配置为使用多个校验节点消息和通道接收值确定强错误是否发生，并且根据确定结果校正通道接收值以产生经校正的通道接收值；变量节点单元，其配置为使用校验节点消息和经校正的通道接收值产生多个变量节点消息；以及校验节点单元，其配置为使用变量节点消息产生校验节点消息。变量节点单元包括多个变量节点，并且校验节点单元包括多个校验节点。
使用密度奇偶校验码解码器存储控制器

[发明专利]低密度奇偶校验解码器、包括其的存储设备和方法-CN201710462821.0有效
发明人：金志烨;申东旻;慎钒揆;孔骏镇;孙弘乐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：低密度奇偶校验(LDPC)解码器可以包括可变节点处理单元和校验节点处理单元。校验节点处理单元包括存储校验节点值的存储器元件。存储器元件通过两个或更多个路径互连，并且每个路径可以包括存储器元件的全部或部分循环排列以发送校验节点值。
密度奇偶校验解码器包括存储设备方法

[发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统-CN202111209052.6在审
发明人：安成基;柳睿信;孔骏镇;李恩爱;崔志显 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)电路以及控制ECC电路的控制逻辑电路。存储器单元阵列包括存储器单元以及正常单元区域和奇偶校验单元区域。在正常模式下，ECC电路接收主数据，对主数据执行ECC编码以生成奇偶校验数据，并且将主数据和奇偶校验数据存储在正常单元区域和奇偶校验单元区域中。在测试模式下，ECC电路接收包括至少一个错误比特的测试数据，将测试数据存储在正常单元区域和奇偶校验单元区域之一中，并且对主数据和奇偶校验数据之一以及测试数据执行ECC解码以将解码结果数据提供给外部装置。
半导体存储器装置包括系统

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