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[发明专利]用于正面型图像传感器的衬底和制造这种衬底的方法-CN201880006335.0有效
发明人：沃尔特·施瓦岑贝格;奥列格·科农丘克;卢多维克·埃卡尔诺;C·米绍 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于正面型图像传感器的衬底，所述衬底依次包括支撑半导体衬底(1)、电绝缘层(2)以及被称为有源层的半导体层(3)，其特征在于，所述有源层(3)是硅锗的外延层，所述有源层的锗含量小于10％。本发明还涉及制造这种衬底的方法。
用于正面图像传感器衬底制造这种方法

[发明专利]具有收集器装置的热处理系统-CN201710939859.2有效
发明人：迪迪埃·朗德吕;奥列格·科农丘克;S·西蒙 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有收集器装置的热处理系统(100)，所述热处理系统(100)包括能够接收多个基板(10)的腔室(2)、位于所述腔室(2)的远侧部分中的进气路径(5)以及位于所述腔室(2)的近侧部分中的用于气体和/或在热处理期间产生的挥发性物质的出口路径(6)。所述热处理系统(100)在所述腔室(2)的所述近侧部分中包括收集器装置(200)，所述收集器装置限定与所述出口路径(6)连通的隔室，并且其中所述气体和所述挥发性物质旨在循环，以便促进所述挥发性物质在所述收集器装置(200)的内表面上沉积(7)。
具有收集装置热处理系统

[发明专利]用于平滑结构体表面的方法-CN201710023799.X有效
发明人：迪迪埃·朗德吕;奥列格·科农丘克;C·大卫 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及包括在热处理期间使绝缘体上硅结构体的表面暴露于惰性或还原性气体流和高温的使所述绝缘体上硅结构体平滑的方法，所述方法包括：在第一温度和由第一流速限定的第一气体流下的第一热处理步骤；值得注意的是，所述方法包括：在低于第一温度的第二温度和由低于第一流速的第二流速限定的第二气体流下的第二热处理步骤。
用于平滑结构体表方法

[发明专利]用于温度补偿表面声波器件或体声波器件的衬底-CN201680079260.X有效
发明人： M·波卡特;T·巴尔格;帕斯卡·昆纳德;I·拉杜;E·德斯邦内特斯;奥列格·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。
用于温度补偿表面声波器件或体衬底

[发明专利]测量多层半导体结构体的层中的厚度变化的方法-CN201680055505.5有效
发明人： 奥列格·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2016-10-03 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G01B11/30 文献下载
摘要：本发明涉及测量多层半导体结构体的第一层的厚度变化的方法，其包括：‑用图像采集系统采集所述结构体的表面的至少一个区域的图像，所述图像通过在所述结构体的表面的所述区域上反射准单色光通量而获得；‑处理所述采集的图像以便由表面的所述区域反射的光的强度变化来确定所述第一层的厚度变化的映射图，所述处理包括将该图像的每个像素的强度与预先确定的标定曲线相比较，所述标定曲线界定采集的图像的像素强度与所述第一层的局部厚度之间的关系，所述标定曲线针对结构体与第一层不同的给定厚度的第二层确定；其中，所述准单色光通量的波长被选择为与相对于所述第二层的反射率的灵敏度的最小值相对应；所述方法的特征在于，其还包括：‑测量所述结构体的表面的所述至少一个区域中的第二层的厚度；‑如果测量厚度不同于标定曲线中所考虑的第二层的厚度，对厚度变化的映射图应用校正曲线，其中，所述校正曲线针对第二层的所述测量厚度界定第一层的厚度与校正因子之间的关系，以应用于第一层的厚度变化的映射图，从而确定第一层的厚度变化的校正映射图。
第一层厚度变化标定曲线结构体映射图测量图像多层半导体结构单色光通量校正曲线采集界定像素反射图像采集系统强度变化校正因子预先确定反射率灵敏度波长校正应用

[发明专利]半导体结构及其制造方法、使用该半导体结构的器件-CN201910541192.X在审
发明人： 奥列格·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：半导体结构及其制造方法、使用该半导体结构的器件。本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该半导体结构包括半导体层和金属层，所述方法包括以下步骤：a)提供包括缺陷和/或位错的半导体层，b)移除在缺陷和/或位错的一个或多个位置处的材料，从而在半导体层中形成凹坑，c)钝化凹坑，其中钝化凹坑包括使用电介质材料完全填充凹坑的步骤，以使半导体层表面的、远离凹坑的完整部分被暴露；以及d)直接在半导体层上方并且直接在钝化的凹坑上方设置金属层，从而形成半导体‑金属结，其中半导体层选自应变硅、锗或SiGe中的任一种，并且其中金属层选自Al、Au、Pt、铬、钯、钨、钼或其硅化物、多晶或非晶材料及其合金或组合中的任一种。
半导体结构凹坑半导体层金属层钝化位错制造半导体层表面电介质材料非晶材料硅化物金属结位置处应变硅多晶移除填充半导体合金暴露

[发明专利]转移有用层的方法-CN201510177940.2有效
发明人：迪迪埃·朗德吕;奥列格·科农丘克;N·本穆罕默德;D·马西;F·马赞;F·里厄托尔 -专利权人：索泰克公司;原子能和替代能源委员会
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种转移有用层的方法，具体涉及将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，所述方法包括以下主要步骤：‑以在脆化面(2)和第一基板(1)的表面之间形成有用层(3)的方式，通过在第一基板(1)中植入轻物质而形成脆化面(2)；‑将支撑体(4)施加到第一基板(1)的表面上，以形成待断裂组件(5)，所述组件具有两个暴露侧(S1,S2)；‑对所述待断裂的组件(5)进行热脆化处理；‑沿着脆化面(2)在所述第一基板(1)中引发破裂波并且其自身维持传播。所述待破裂组件(5)的所述侧(S1,S2)中的至少一侧在接触区上方与吸收元件(6a,6b)紧密接触，所述吸收元件(6a,6b)适于捕获和耗散在破裂波的引发和/或传播过程中发出的声振动。
转移有用方法

[发明专利]具有改善的单晶材料使用效率的伪衬底-CN201380045848.X有效
发明人：法布里斯·勒泰特;奥列格·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造伪衬底(109)的方法，该方法包括以下步骤提供单晶锭(101)，提供操作衬底(102)，从单晶锭(101)切取薄切片(105)，以及将薄切片(105)附接至操作衬底(102)，以形成伪衬底(109)。依据本发明，薄切片(105)的厚度大致等于或小于临界厚度，低于该临界厚度切片(105)在单独取用时不再是机械稳定的。本发明进一步涉及半导体结构体(109)。
具有改善材料使用效率衬底

[发明专利]用于处理结构的工艺-CN201480010335.X有效
发明人： 奥列格·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于处理结构的方法，所述结构从其后侧到其前侧包括载体基板(4)、绝缘层(3)和有用层(2)，有用层(2)具有自由表面(S)，所述结构放置在包含化学物种(6)的大气中，化学物种(6)能够与有用层(2)发生化学反应；该处理方法值得注意的是，由脉冲激光束(8)对有用层(2)进行加热，光束(8)扫过自由表面(S)，光束(8)的波长与中心波长相差最多加上或者减去15nm，中心波长被选择为使得结构(1)的反射率相对于绝缘层(3)的灵敏度为零。
用于处理结构工艺

[发明专利]用于制造绝缘体上半导体基板的方法-CN201380060390.5有效
发明人： C·古德尔;奥列格·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及制造多个绝缘体上半导体结构(200)的方法，该绝缘体是厚度小于50nm的二氧化硅层(202)，每个结构(200)包括放置在二氧化硅层(202)上的半导体层(203)，该制造方法包括对多个结构(200)进行热处理的步骤，该热处理步骤被设计为部分地分解二氧化硅层(202)，该热处理步骤是在非氧化性气氛中进行的，并且该非氧化性气氛的压强小于0.1巴。
用于制造绝缘体上半导体方法

[发明专利]用于测量多层半导体结构的层的厚度变化的方法-CN201380056335.9有效
发明人： 奥列格·科农丘克;D·杜塔尔特尔 -专利权人：索泰克公司;意法半导体集团(克罗尔2)
申请日： 2013-09-19 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于测量多层半导体结构的层的厚度变化的方法，其特征在于，该方法包括借助图像获取系统来获取所述结构的表面的至少一个图像，所述图像是通过从所述结构的表面反射近乎单色光通量而获得的；对获取的所述至少一个图像进行处理，以基于从所述表面反射的光的强度的变化来确定待测量的所述层的厚度的变化，并且近乎单色光通量的波长被选择成与所述结构的除了必须测量厚度变化的层之外的层的反射率的敏感度的最小值相对应，所述层的反射率的敏感度等于如下二者的比值两个多层结构的反射率之差，所考虑的层针对这两个多层结构具有给定的厚度差；以及所述给定的厚度差，在这两个多层结构中，其它层的厚度相同。本发明还涉及一种实施所述方法的测量系统。
用于测量多层半导体结构厚度变化方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201180075548.7在审
发明人： 奥列格·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造包括半导体层(5)和金属层(7)的半导体结构的方法，以改进器件的击穿电压性质并减少漏电流，所述方法包括以下步骤：a)提供包括缺陷和/或位错的半导体层；b)移除在缺陷和/或位错的一个或多个位置处的材料，从而在半导体层中形成凹坑(13a-13d)，c)钝化凹坑(13a-13d)，以及c)在半导体层(5)上方提供金属层(7)。本发明还涉及对应的半导体结构。
制造半导体器件方法

[发明专利]用于射频或电力应用的电子器件和制造这种器件的工艺-CN201180050082.5有效
发明人：迪迪埃·朗德吕;卢恰娜·卡佩罗;E·德斯邦内特斯;克里斯托夫·菲盖;奥列格·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于射频或电力应用的电子器件，该电子器件包括：位于支承基板上用于支承电子元件的半导体层，其中，所述支承基板（1）包括热导率为至少30W/m K的底层（12）和厚度为至少5μm的表面层（13、14），所述表面层（13、14）具有至少3000Ohm.cm的电阻率和至少30W/m K的热导率。本发明还涉及用于制造这种器件的两种工艺。
用于射频电力应用电子器件制造这种器件工艺

[发明专利]能使位错移位的制造和处理绝缘体上半导体型结构体的方法及相应结构体-CN200980142148.6无效
发明人： 奥列格·科农丘克;埃里克·圭奥特;法布里斯·格雷蒂;迪迪埃·朗德吕;克里斯泰勒·维蒂佐 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明主要涉及一种制造和处理连续包含载体基板(1)、氧化物层(3)和半导体材料的薄层(2)的绝缘体上半导体型结构体的方法，根据所述方法：1)在所述薄层(2)上形成掩模，以界定未被掩模覆盖的所述层的表面上的暴露区域(20)；2)进行热处理，以促使氧化物层(3)的至少部分氧透过薄层(2)扩散，引起对应于所需图案的氧化物层(3)的区域(30)中氧化物的受控去除；所述方法特征在于，所述载体基板(1)和薄层(2)相对于彼此的设置使得它们的晶格在平行于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“扭转角”的角，并在垂直于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“倾角”的角，其特征还在于使用厚度低于的薄层(2)。
能使位错移位制造处理绝缘体上半导体结构方法相应

[发明专利]包括基片上覆锗层的结构体的制造方法-CN200980114593.1无效
发明人：尼古拉斯·达瓦尔;奥列格·科农丘克;埃里克·圭奥特;塞西尔·奥尔内特;法布里斯·拉勒门特;克里斯托夫·菲盖;迪迪埃·朗德吕 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及包括支持基片(1)上覆锗层(3)的结构体的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤：(a)形成包括所述支持基片(1)、氧化硅层(20)和所述锗层(3)的中间结构体(10)，所述氧化硅层(20)与所述锗层(3)直接接触，(b)在中性或还原性气氛中于规定的温度下对所述中间结构体(10)施加规定时间的热处理，从而使来自所述氧化硅层(20)的至少一部分氧通过所述锗层(3)扩散。
包括基片上覆锗层结构制造方法

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