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[发明专利]用于制造包括包含聚集体的界面区域的半导体结构的方法-CN202180084342.4在审
发明人：格维塔兹·戈丹;I·拉杜;F·佛内尔;J·维迪兹;迪迪埃·朗德吕 -专利权人：法国原子能和替代能源委员会;索泰克公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：a)提供由半导体材料制成的工作层；b)提供由半导体材料制成的载体衬底；c)在工作层的待接合的自由面上和/或在载体衬底的待接合的自由面上淀积厚度小于50nm的膜，该膜由与工作层和载体衬底的半导体材料不同的半导体材料构成；d)形成中间结构，形成中间结构的步骤包括：沿着沿主平面延伸的键合界面分别直接接合工作层的待接合的自由面和载体衬底的待接合的自由面，中间结构包括源自在步骤c)淀积的一个或更多个膜的封装膜；e)在高于或等于临界温度的温度对中间结构进行退火，以引起封装膜的分段并且形成半导体结构，该半导体结构包括位于工作层与载体衬底之间的界面区域，所述界面区域包括：‑工作层与载体衬底之间的直接接触区域；以及‑聚集体，该聚集体包括膜的半导体材料并且沿着垂直于主平面的轴线的厚度小于或等于250nm；直接接触区域和聚集体在主平面中是相邻的。
用于制造包括包含聚集体界面区域半导体结构方法

[发明专利]用于转移有用层的方法-CN201780049093.9有效
发明人： 迪迪埃·朗德吕;纳迪娅·本默罕默德;O·科农丘克;F·马赞;D·马西;S·勒博;F·里厄托尔 -专利权人：索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将有用层(3)转移到支撑体(4)上的方法，该方法包括以下步骤：通过将轻核素注入到第一衬底(1)中来形成脆化平面(2)，以便在该平面与所述第一衬底(1)的表面之间形成有用层(3)；将所述支撑体(4)施加到所述第一衬底(1)的所述表面上以便形成待破裂组件(5)；脆化热处理所述待破裂组件(5)；引发破裂波并沿着所述脆化平面(3)将其传播到所述第一衬底(1)中。根据本发明，所述破裂波是在所述脆化平面(2)的中心区域中引发的，并且该波的传播速度被控制为具有足够的速度。因此，所述破裂波与在其引发和/或传播期间发出的声振动的相互作用被限制到所述有用层(3)的周边区域。
用于转移有用方法

[发明专利]用于薄层转移的供体衬底及相关转移方法-CN202180081095.2在审
发明人： V·拉里;S·勒博;L·勒凡-若丹;F·米莱西;卢多维克·埃卡尔诺;格维塔兹·戈丹;迪迪埃·朗德吕 -专利权人：法国原子能和替代能源委员会;索泰克公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种供体衬底(100)，用于将第一材料制成的单晶薄层(1)转移到受体衬底(2)上，所述供体衬底(100)具有正面(100a)和背面(100b)，并且包括：‑包埋脆性平面(30)，其限定了供体衬底(100)的上部(101)和下部(102)，‑在所述上部(101)中的所述正面(100a)侧的第一层(10)，与所述包埋脆性平面(30)相邻的第二层(20)，以及插入到所述第一层(10)和第二层(20)之间的停止层(15)，所述第一层(10)由第一材料构成，所述停止层(15)由能够相对于所述第一材料提供选择性蚀刻的第二材料形成，‑非晶化子部(101'、101”、101”')，通过离子植入变为非晶形，其厚度严格小于所述上部(101)的厚度，并且至少包含所述第一层(10)；所述第二层(20)至少包括与所述包埋脆性平面(30)相邻的单晶亚层(22)。本发明还涉及一种转移供体衬底(100)制成的单晶薄层(1)的方法的两种实施例。
用于薄层转移供体衬底相关方法

[发明专利]包括导电结合界面的半导体结构和关联的生产方法-CN202180048657.3在审
发明人： F·阿利伯特;迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;埃里克·圭奥特;格维塔兹·戈丹;J·维迪兹;F·佛内尔 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构(100)，其包括由单晶半导体材料制成并沿着主平面(x,y)延伸的有用层(10)、由半导体材料制成的支撑基板(30)以及在有用层(10)和支撑基板(30)之间的界面区域(20)，支撑基板平行于主平面(x,y)延伸，该结构(100)的特征在于界面区域(20)包括结节(21)：‑其为导电的，它们包含与有用层(10)和支撑基板(30)形成欧姆接触的金属材料；‑其沿着垂直于主平面(x,y)的轴线(z)具有小于或等于30nm的厚度；‑其为分离的或毗连的，分离结节(21)通过有用层(10)和支撑基板(30)的直接接触区域(22)彼此分离。本发明还涉及一种用于制造该结构(100)的方法。
包括导电结合界面半导体结构关联生产方法

[发明专利]具有收集器装置的热处理系统-CN201710939859.2有效
发明人： 迪迪埃·朗德吕;奥列格·科农丘克;S·西蒙 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有收集器装置的热处理系统(100)，所述热处理系统(100)包括能够接收多个基板(10)的腔室(2)、位于所述腔室(2)的远侧部分中的进气路径(5)以及位于所述腔室(2)的近侧部分中的用于气体和/或在热处理期间产生的挥发性物质的出口路径(6)。所述热处理系统(100)在所述腔室(2)的所述近侧部分中包括收集器装置(200)，所述收集器装置限定与所述出口路径(6)连通的隔室，并且其中所述气体和所述挥发性物质旨在循环，以便促进所述挥发性物质在所述收集器装置(200)的内表面上沉积(7)。
具有收集装置热处理系统

[发明专利]用于制备薄层的工艺-CN202180022608.2在审
发明人： F·马赞;F·里厄托尔;M·考伊格;H·格兰佩克斯;迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备薄层(1)的工艺，该工艺包括以下步骤：弱化步骤(S2)，该弱化步骤用于在供体基板(2)的中央部分(2c)中形成弱化区(3)，该弱化区(3)不延伸到供体基板(2)的外围部分(2p)中；接合步骤(S3)，该接合步骤将供体基板(2)的主面(2a)接合至受体基板(5)以便形成待分割组件；以及分离步骤(S4)，该分离步骤分离待分割组件，该分离步骤包括热处理，所述热处理导致薄层(1)仅从供体基板(2)的中央部分(2c)处释放。该工艺在分离步骤之后还包括拆开步骤(S6)，该拆开步骤包括处理待分割组件，以便将供体基板(2)的外围部分从受体基板(5)拆开。
用于制备薄层工艺

[发明专利]具有用于俘获污染物的装置的竖炉-CN201780062463.2有效
发明人： 迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及竖炉，该竖炉包括：·腔室，该腔室旨在容纳装料柱(3)；·新鲜气体入口通道，该新鲜气体入口通道被定位在腔室的上端处，·装料柱(3)，该装料柱包括上部(3b)和用于支承多个基板的中部(3a)，该竖炉特征在于该竖炉还包括俘获装置(100)，该俘获装置由能够俘获存在于新鲜气体中的全部或一些污染物的至少一种材料形成；俘获装置(100)包括圆形部件(101)，该圆形部件被定位在装料柱(3)的上部(3b)上，圆形部件(101)包括规则分布在圆形部件(101)的上表面上的叶片(102)，以增大俘获装置(100)与新鲜气体的接触面积。
具有用于俘获污染物装置

[发明专利]基材亲水性结合的方法-CN202080050959.X在审
发明人： V·拉里;F·里厄托尔;J-M·哈特曼;F·弗内尔;迪迪埃·朗德吕;O·科诺查克;卢多维克·埃卡尔诺 -专利权人：索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将第一基材(S1)与第二基材(S2)亲水性结合的方法，所述方法包括：‑使第一基材(S1)与第二基材(S2)接触，以在第一基材的主表面与第二基材的主表面之间形成结合界面，‑施加适合于封闭所述结合界面的热处理，所述方法的特征在于，其包括：在进行接触的步骤之前，在第一基材和/或第二基材的主表面上沉积由非金属材料制成的结合层(12)，所述非金属材料对氢气可透过并且在热处理的温度下的屈服强度低于位于结合界面处的第一基材(S1)和第二基材(S2)的材料中的至少一种，所述层的厚度为1nm至6nm，并且热处理在低于或等于900℃，并且优选低于或等于600℃的温度下进行。
基材亲水性结合方法

[发明专利]复合结构及相关制造方法-CN202210146142.3在审
发明人：帕斯卡·昆纳德;I·拉杜;迪迪埃·朗德吕;E·德斯邦内特斯 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合结构及相关制造方法，所述复合结构是包括异质结构(5)的用于声波装置的复合结构(9)，其包括：具有第一面和第二面的压电材料的有用层(2)，第一面布置在支撑基材(1)上的第一结合界面处，所述支撑基材(1)具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数，复合结构(9)的特征在于，其包括功能层(6)，所述功能层(6)的整个表面布置在有用层(2)的第二面上的第二结合界面处并且具有比有用层(2)的热膨胀系数低的热膨胀系数。
复合结构相关制造方法

[发明专利]用于将块从供体衬底转移到受体衬底的方法-CN202080025046.2在审
发明人： 迪迪埃·朗德吕;布鲁诺·吉瑟兰 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及将块(9)从供体衬底(1)转移到受体衬底(20)的方法，该方法包括以下步骤：‑布置面向供体衬底的自由表面(3)的掩模(2)，掩模(2)具有使供体衬底的自由表面(3)暴露的一个或更多个开口(4)，这些开口根据确定的图案(10)分布，以便形成供体衬底的自由表面的至少一个暴露区域以及由掩模覆盖的至少一个区域(5)，‑通过穿过掩模(2)的离子植入形成弱化面(7)，该弱化面在供体衬底(1)中与至少一个暴露区域竖向对齐地定位，该弱化面(7)在供体衬底的厚度中界定相应表面区域(8)，‑形成块(9)，块相对于供体衬底的与各个相应弱化面(7)竖向对齐地定位的自由表面(3)凸起，块包括相应表面区域(8)，‑在已去除掩模(2)后，借助位于结合界面处的各个块(9)将供体衬底(1)结合到受体衬底(20)，‑沿着定位的各个弱化面(7)分离供体衬底(1)，以便将各个相应块(9)转移到受体衬底(20)。
用于供体衬底转移受体方法

[发明专利]将有用层转移到载体衬底的方法-CN202080016649.6在审
发明人： 迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结构进行退火，以增加埋置弱化面的弱化程度，转移方法的特征在于：‑在退火步骤d)中，将预定应力施加到埋置弱化面达一定时间段，预定应力选择为当达到给定弱化程度时引发分裂波；‑在该时间段结束处，已经达到给定弱化程度，预定应力导致分裂波被引发并且沿埋置弱化面自维持传播，造成将有用层转移到载体衬底。
有用转移载体衬底方法

[发明专利]用于碎裂多个晶圆组件的系统-CN202080020793.7在审
发明人： 迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于碎裂多个晶圆组件(1)的系统，各个组件(1)的晶圆之一包括脆化面并且各个组件(1)包括周边侧槽，该装置包括：‑托架(8)，用于保持所述多个组件中的组件(1)沿着存放轴线彼此间隔开且平行；‑分离装置(12)，用于在设置在分离装置的碎裂区域(13)中的组件(1)的周边槽(6)中施加分离力，所述分离力旨在将组件(1)的晶圆彼此分离以在脆化面(3)上引发晶圆的碎裂；以及驱动装置，其被配置为沿着用于将托架(8)与分离装置相对存放的所述轴线移动，以将托架(8)的组件(1)依次放置在分离装置的碎裂区域(13)中。
用于碎裂多个晶圆组件系统

[发明专利]用于待碎裂组件的保持装置-CN202080020794.1在审
发明人： 迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于待碎裂组件(1)的保持装置(100)，其被设计为沿着待碎裂组件(1)的上部(7)和下部(8)之间限定的碎裂平面(4)分离，该保持装置(100)包括：至少两个凸耳(9)，其被配置为保持待碎裂组件(1)悬浮在基本上水平的保持位置，所述凸耳(9)旨在位于上部(7)和下部(8)之间，抵靠上部的周边倒角(10)；支撑件(15)，其位于凸耳(9)下方并远离凸耳(9)，以在待碎裂组件(1)分离时通过重力接纳下部(8)，并将下部保持在与由凸耳(9)保持的上部(7)相距一定距离处。
用于碎裂组件保持装置

[发明专利]用于平滑结构体表面的方法-CN201710023799.X有效
发明人： 迪迪埃·朗德吕;奥列格·科农丘克;C·大卫 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及包括在热处理期间使绝缘体上硅结构体的表面暴露于惰性或还原性气体流和高温的使所述绝缘体上硅结构体平滑的方法，所述方法包括：在第一温度和由第一流速限定的第一气体流下的第一热处理步骤；值得注意的是，所述方法包括：在低于第一温度的第二温度和由低于第一流速的第二流速限定的第二气体流下的第二热处理步骤。
用于平滑结构体表方法

[发明专利]将有用层转移到载体衬底的方法-CN202080016748.4在审
发明人： 迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;纳迪娅·本默罕默德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种将有用层转移到载体衬底上的方法，包括以下步骤：a)提供包括埋置弱化面的施主衬底，有用层由施主衬底的正面和埋置弱化面来界定；b)提供载体衬底；c)由施主衬底的正面将施主衬底沿接合界面结合到载体衬底以形成接合结构；d)对接合结构进行退火，以对接合结构施加弱化热预算并且使埋置弱化面达到限定的弱化程度，所述退火达到最高保持温度；e)通过对接合结构施加应力来在埋置弱化面中引发分裂波，分裂波以自维持的方式沿埋置弱化面传播以造成有用层转移到载体衬底。步骤e)中的引发发生在接合结构正经历限定所述接合结构的热区域和冷区域的热梯度、应力局部施加在冷区域中时，并且热区域经历的温度低于最高保持温度。
有用转移载体衬底方法

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