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[发明专利]高性能MOSFET-CN201811318133.8在审
发明人： 大藤彻;蔡庆威;黄俊嘉;程冠伦;徐继兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于形成具有可调整性能的全环栅纳米片FET的方法。该方法包括在衬底上设置具有不同宽度的第一垂直结构和第二垂直结构，其中，第一垂直结构和第二垂直结构的顶部包括具有交替的第一纳米片层和第二纳米片层的多层纳米片堆叠件。该方法还包括在第一垂直结构和第二垂直结构的顶部上方设置牺牲栅极结构；在第一垂直结构和第二垂直结构上方沉积隔离层，从而使得隔离层围绕牺牲栅极结构的侧壁；蚀刻牺牲栅极结构以从第一垂直结构和第二垂直结构暴露每个多层纳米片堆叠件；从每个暴露的多层纳米片堆叠件去除第二纳米片层以形成悬置的第一纳米片层；形成金属栅极结构以围绕悬置的第一纳米片层。本发明实施例涉及高性能MOSFET。
垂直结构纳米片层纳米片牺牲栅极结构堆叠件多层悬置蚀刻金属栅极结构沉积隔离层隔离层交替的可调整暴露侧壁衬底去除全环

[实用新型]高电子迁移率晶体管器件-CN201822016567.4有效
发明人：陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙半导体制造(香港)有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管器件，由下而上依序包含硅基板、晶种层(nucleation layer)、缓冲层、第一氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层及覆盖层，其特征在于，阻障层为氮化铝铟(Al_yIn_1‑_yN)，据此，利用具有高阻障能带的氮化铝铟(Al_yIn_1‑yN)取代现有技术中阻障能带低的氮化镓铝(AlGaN)，可以使二维电子气密度增加，使得二维电子气浓度上升，减少二维电子气通道所处接口的缺陷能量，以降低组件操作时的启动电阻(R_on)，进而达到节能的目的。
二维电子气氮化铝铟氮化镓层阻障层高电子迁移率晶体管器件氮化镓铝密度增加启动电阻组件操作覆盖层硅基板缓冲层晶种层节能

[发明专利]一种有效提升高频性能的氮化镓器件制作流程-CN201710868678.5有效
发明人： 大藤彻;吴俊鹏;谢明达;叶顺闵 -专利权人：叶顺闵
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效提升高频性能的氮化镓器件制作流程，属于氮化镓制作领域。一种有效提升高频性能的氮化镓器件制作流程，包括如下步骤：A、按照传统的制程在镓化物基板上沉积第一道介电层、源极、闸极和汲极，接着沉积第二道介电层，然后在闸极处的第二道介电层的上方沉积源场板。它可以实现在闸极与源场板间创造空气间隙，空气是具有最小介电系数的材料，空气间隙可以减少闸极与源极之间的电容，以提升高频效能，提升最大的截止频率以及最大的震荡频率，且在制作氮化镓器件的过程中不需任何特殊复杂的制程，就可以在相同频率下达到高功率增益，或是在同样的功率增益下达到更高的操作频率，同时保有源场板的好处。
一种有效提升高频性能氮化器件制作流程

[实用新型]取放载盘的夹具-CN201822126254.4有效
发明人：施森荣;陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种取放载盘的夹具，用以取放载置于沉积装置中的载盘。夹具包括夹持部、支撑部、及握把架。夹持部包括传动件；支撑部是用以撑抵沉积装置的炉壁；握把架具有转轴，转轴与支撑部、夹持部机械连接，使支撑部夹设在夹持部与握把架之间，且转轴经由传动件与夹持部机械连接；当支撑部撑抵炉壁时，握把架以转轴为轴心进行转矩在Z轴轴向的旋转，使夹持部在Z轴轴向移动；并转动传动件，使夹持部达到取放宽度，以取放具有圆形凹陷空间的载盘。
夹持部取放握把转轴传动件载盘支撑夹具沉积装置机械连接炉壁本实用新型圆形凹陷轴向移动轴向转矩转动

[实用新型]半导体器件的烤箱治具-CN201821988021.9有效
发明人：施森荣;陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： F26B9/10 文献下载
摘要：一种半导体器件的烤箱治具，其特征在于，包含:多个支撑架，支撑架围绕构成矩形形状；多个层板，各层板分别设置在支撑架的顶端以及底端之间的位置，及于各层板上具有多个贯穿层板的孔洞；垫高架，设置于各层板上的第一侧边且相邻于层板的最外侧的孔洞；挡片，设置于层板上的第二侧边；以及抵持件，抵持件设置于远离挡片的另一端且位于垫高架的下方，用以调整垫高架升高的角度以及固定垫高架，据此以提高操作便利性，并使水份快速蒸发减少烘干时间，达到提高效率之目的。
支撑架孔洞半导体器件烤箱抵持件侧边挡片治具操作便利性矩形形状快速蒸发调整垫固定垫烘干底端水份升高贯穿

[发明专利]半导体器件和方法-CN201410829282.6有效
发明人：谢明达;大藤彻;蔡庆威;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了垂直全环栅(VGAA)。在实施例中，VGAA具有纳米线与第一接触焊盘和第二接触焊盘。使用栅电极来帮助限定纳米线内的沟道区。在其他实施例中使用了多个纳米线、多个底部接触件、多个顶部接触件、以及多个栅极接触件。本发明还提供了半导体器件和方法。
半导体器件方法

[实用新型]应用于有机金属化学气相沉积系统的包覆式加热装置-CN201822084242.X有效
发明人：卢彦勋;陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种应用于有机金属化学气相沉积系统的包覆式加热装置，包括:反应腔体、第一加热装置、承载盘以及第二加热装置，其中，反应腔体具有上端及底端，于反应腔体的侧边具有气体输入端用以让气体源导入至反应腔体内；第一加热装置，设置于反应腔体的上端，由反应腔体的上端提供反应腔体内部进行沉积反应时所须的第一热源；承载盘，用以承载基板；及第二加热装置，设置于反应腔体的底端，由底端朝向承载盘提供第二热源，使得承载盘吸收第二热源而将基板的温度维持在第二温度，利用第一加热装置提供反应腔体额外的能量，在承载盘上的基板可仍然维持在较低的温度来进行薄膜沉积制程，以提升在基板上所沉积的各层材料的均匀性。
反应腔体加热装置承载盘上端热源底端基板有机金属化学气相沉积包覆式反应腔沉积气体输入端薄膜沉积承载基板温度维持反应时均匀性气体源体内部侧边制程应用体内吸收

[实用新型]霍尔测量结构-CN201822034082.8有效
发明人： 大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G01N27/72 文献下载
摘要：本实用新型提供一种霍尔测量结构，包括衬底、设置于衬底上的半导体层、及设置于半导体层上的片电阻感应部、磁场感应部。半导体层具有图案，图案包括电感区、4个焊垫对应区、X字型区、及欧姆接触道，电感区位于X字型区的中心，焊垫对应区两两以电感区为中心，排布在X字型区的对角处；片电阻感应部包括4个焊垫、及待测空间，在第一平面上，每一焊垫覆盖半导体层的每一焊垫对应区；磁场感应部包括待测空间、2个测试垫、及与其中之一测试垫连接的线圈结构，线圈结构环设待测空间的周围，在第一平面上，待测空间曝露出底下的半导体层的电感区；另一测试垫、线圈结构与半导体层的欧姆接触道接触。
半导体层焊垫电感区线圈结构测试垫磁场感应欧姆接触感应部片电阻衬底霍尔测量本实用新型图案对角处环设排布覆盖

[实用新型]具有平坦化结构的化合物半导体器件-CN201821998009.6有效
发明人：吴俊鹏;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有平坦化结构的化合物半导体器件，平坦化结构包括叠设在于化合物半导体器件上的多个第一介电层与多个第二介电层，其中，通过设定平坦化工艺器中，研磨组件对于第一介电层与第二介电层的蚀刻选择比，借此，形成表面粗糙度在5‑20nm范围之间的平坦化结构。
平坦化介电层化合物半导体器件本实用新型表面粗糙度蚀刻选择比研磨组件工艺器

[实用新型]改良喷嘴头的沉积系统-CN201822053069.7有效
发明人：卢彦勋;施森荣;陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供一种改良喷嘴头的沉积系统包括反应腔室、承载部、加热器、气体分配组件、化学物质传递模块、及热交换模块。承载部配置于反应腔室内，具有与反应腔室连接的支撑基座、及用以承载衬底的载盘；加热器配置于载盘下方，用以对衬底加热；气体分配组件配置在相对于承载部上方，包括多個第一喷头主体及多個第二喷头主体，每一第一喷头主体具有延伸穿过第一喷头主体的第一气体通道及喷嘴头，每一第二喷头主体具有延伸穿过第二喷头主体的第二气体通道及喷嘴头；化学物质传递模块与第一气体信道及第二气体信道连接，以将化学物质传递至反应腔室；热交换模块连接至反应腔室的壁及气体分配组件，用于调控反应腔室及气体分配组件的温度。
喷头主体反应腔室气体分配组件喷嘴头化学物质传递承载热交换模块沉积系统气体通道气体信道延伸穿过载盘改良本实用新型加热器配置加热器衬底加热支撑基座反应腔衬底配置室内调控

[实用新型]气瓶流路监控系统-CN201822084225.6有效
发明人：施森荣;陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供一种气瓶流路监控系统包括第一监控部、第二监控部、以及桥接部；第一监控部包括连接第一气瓶的第一流入管件、第一流出管件，第二监控部包括工型管件、与连接第二气瓶的第二流入管件、第二流出管件，工型管件与反应腔连接，并且与第二流入管件、第二流出管件的一端连接；桥接部跨接在第一流出管件与工型管件之间；其中，第一气瓶内的气体流路是经由至少第一流出管件、桥接部、工型管件，从第一监控部流至第二监控部，最后流至反应腔。
监控部流出管件工型管件气瓶流入管桥接部监控系统反应腔流路本实用新型气体流路一端连接跨接

[实用新型]沉积系统-CN201822053070.X有效
发明人：卢彦勋;陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本实用新型提供一种沉积系统：包括沉积设备、控制中心、以及设置在沉积设备内的外延成长监控设备、翘曲变化监控设备与温度监控设备。沉积设备用于对晶圆进行外延成长以生成外延层；温度监控设备用于侦测沉积设备内的温度，以生成温度信息；翘曲变化监控设备用于侦测晶圆的翘曲度，以生成翘曲度信息；外延成长监控设备用于侦测外延成长工艺的情形，以生成外延成长信息；控制中心，与沉积设备、温度监控设备、翘曲变化监控设备与外延成长监控设备电性连接，接收并处理外延成长信息、翘曲度信息及温度信息。
沉积设备温度监控设备变化监控监控设备翘曲度翘曲侦测沉积系统成长信息控制中心温度信息晶圆外延成长工艺本实用新型电性连接外延层

[实用新型]器件放置载具-CN201821966788.1有效
发明人：卢彦勋;陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： B25H3/00 文献下载
摘要：一种器件放置载具，其特征在于，包含:至少四个支撑结构，四个支撑结构以矩形设置；以及多个层板，各层板设置于支撑结构，使得支撑结构与层板构成的空间可容置载具盒，据此以提高操作便利性，并提高器件放置载具的空间利用率。
支撑结构载具器件放置操作便利性空间利用率矩形设置板设置容置

[实用新型]氮化镓基半导体外延器件-CN201821966789.6有效
发明人：陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种氮化镓基半导体外延器件，由下而上依序包含基板、第一氮化镓外延层、缓冲层及第二氮化镓外延层，其中，基板为具有晶种层的基板、第一氮化镓外延层为五三比(V/III ratio)氮化镓外延层、缓冲层的五三比参数由大至小缓变的缓冲层，以及第二氮化镓外延层为五三比(V/III ratio)氮化镓外延层，据此氮化镓基半导体外延器件利用不同五三比氮化镓外延层及五三比参数由大至小缓变的缓冲层来达到高晶格质量及具有平整表面，进儿可以成长不同的氮化镓基外延结构。
氮化镓外延层缓冲层氮化镓基半导体外延器件基板缓变氮化镓基外延平整表面晶种层晶格

[实用新型]晶圆良率优化系统-CN201822053042.8有效
发明人： 大藤彻;张青洲;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆良率优化系统包括晶圆沉积器、侦测器、工艺选择器、切割器、及载盘。晶圆沉积器是用以在晶圆上沉积膜；侦测器是安装在晶圆沉积器中，用以侦测覆有膜的晶圆质量，以发出晶圆质量信号；工艺选择器是用以接收从侦测器发出的晶圆质量信号，根据晶圆质量信号产生切割距离信号；切割器是用以根据切割距离信号，切割晶圆的边缘区域；载盘是用以承载晶圆，且载盘的尺寸小于所述晶圆的尺寸，使得边缘区域经切割器切割后不会留在载盘上。
晶圆载盘切割质量信号沉积器切割器侦测器边缘区域工艺选择距离信号优化系统良率本实用新型沉积膜侦测种晶承载

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