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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110113379.7在审
发明人： 唐龙娟;胡昌杰;张冬平;韩秋华;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底上形成有核心层；形成保形覆盖所述核心层和基底的侧墙材料层；去除所述核心层和基底顶部的侧墙材料层，剩余的所述侧墙材料层作为初始侧墙层，所述初始侧墙层覆盖所述核心层的侧壁；对所述初始侧墙层的顶部进行轮廓修饰处理，形成侧墙层，且所述侧墙层的相对侧壁相互对称；形成所述侧墙层后，去除所述核心层；去除所述核心层后，以所述侧墙层为掩膜刻蚀所述基底，形成目标图形。可以改善刻蚀气体收集角度问题，从而能够获得形貌较好的目标图形，进而提高了半导体的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010724642.1在审
发明人：郑二虎;唐龙娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层，基底包括图形稀疏区和图形密集区；在目标层上形成分立的核心层；形成保形覆盖核心层和目标层的侧墙材料层；在图形稀疏区中，在相邻核心层之间的侧墙材料层上形成牺牲层；刻蚀位于核心层顶部以及牺牲层露出的目标层上的侧墙材料层，保留核心层侧壁的侧墙材料层作为掩膜侧墙；去除核心层；以掩膜侧墙为掩膜刻蚀目标层，形成目标图形。本发明通过牺牲层起到伪核心层的功能，以增加图形稀疏区的图形密度，在刻蚀侧墙材料层时，使得图形稀疏区和图形密集区的刻蚀环境相接近，从而改善刻蚀负载效应，进而提高目标图形的尺寸均一性，使得半导体结构的性能得以提高。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202010420695.4在审
发明人：赵振阳;唐龙娟;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底：位于衬底上的若干鳍部结构，若干所述鳍部结构沿平行于衬底表面方向平行排列；位于鳍部结构上的第一保护层；位于第一保护层表面的第二保护层。所述半导体结构性能得到了提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010270724.3在审
发明人：张海洋;唐龙娟;杨晨曦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成若干核芯层，相邻所述核芯层之间具有第一开口和第二开口，所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度；在待刻蚀层上和若干所述核芯层上形成第一牺牲材料层；在所述第一开口内的所述第一牺牲材料层上形成第二牺牲层，在第一开口内形成牺牲结构；形成牺牲结构之后，去除所述核芯层；去除核芯层之后，在牺牲结构侧壁形成侧墙，形成侧墙之后，去除所述牺牲结构。所述方法简化了工艺流程，节省了生产成本。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710037803.8有效
发明人： 唐龙娟;王彦;潘亚武 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构、以及覆盖栅极结构侧壁且暴露出栅极结构顶部表面的初始介质层，所述栅极结构包括栅极本体和位于栅极本体顶部表面的第一掩膜层；去除第一掩膜层；刻蚀部分初始介质层，使初始介质层形成第一介质层，第一介质层的顶部表面低于栅极本体的顶部表面；去除第一掩膜层后，在第一介质层上形成覆盖栅极结构的第二介质层；平坦化所述第二介质层直至暴露出栅极本体的顶部表面。所述方法使半导体器件的性能提高。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201611061525.1有效
发明人：韩秋华;唐龙娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，包括位于衬底上的一个或多个半导体鳍片；位于鳍片上的栅极结构；位于鳍片中在栅极结构至少一侧的有源区；以及至少覆盖有源区的层间电介质层；在层间电介质层和栅极结构之上形成硬掩模层；利用图案化的掩模通过刻蚀形成在有源区上方的穿过硬掩膜层并延伸到层间电介质层的一部分中的第一接触孔；在第一接触孔的侧壁上形成侧壁电介质层，以部分填充第一接触孔。由于采用非自对准工艺生成上半部分接触孔并在孔壁上形成侧壁电介质层，以侧壁电介质层作为掩模刻蚀生成下半部分接触孔，能够有效避免接触件与栅极之间发生的漏电，并且使得栅极之间的电容较小。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201610744164.4有效
发明人：张海洋;唐龙娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部；形成横跨鳍部且覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面的栅极结构；去除栅极结构两侧部分厚度的鳍部；对栅极结构两侧的剩余鳍部进行定向氧化工艺，氧化部分厚度的剩余鳍部形成氧化层；完成定向氧化工艺后，在栅极结构两侧的氧化层上形成应力层；在应力层内形成源漏掺杂区。本发明通过定向氧化工艺，只氧化部分厚度的剩余鳍部，避免被栅极结构覆盖的鳍部所述暴露在外的鳍部侧壁受到氧化影响，因此后续无需采用额外的刻蚀工艺去除鳍部侧壁上的氧化层，从而避免所述额外的刻蚀工艺对剩余鳍部上的氧化层甚至器件沟道区产生刻蚀损伤，进而避免发生源漏掺杂区的底部穿通现象。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201610738883.5有效
发明人：张海洋;唐龙娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部；形成横跨鳍部且覆盖部分鳍部顶部表面和侧壁表面的栅极结构；去除栅极结构两侧部分厚度的鳍部，剩余鳍部为子鳍部；子鳍部顶部低于鳍部顶部，使被栅极结构覆盖的鳍部具有暴露在外的侧壁表面，所述侧壁表面为鳍部侧壁；在鳍部侧壁上形成保护层；形成保护层后对子鳍部进行氧化处理，将部分厚度子鳍部转化成氧化层；在氧化层上形成应力层；在应力层内形成源漏掺杂区。本发明在保护层的作用下，避免在鳍部侧壁上形成氧化层。因此无需采用额外工艺去除鳍部侧壁上的氧化层，从而可以避免所述额外工艺对子鳍部上的氧化层甚至器件沟道区产生刻蚀损伤等不良影响。
半导体结构制造方法

[发明专利]图案化的方法以及半导体器件的制作方法-CN201710386698.9在审
发明人： 唐龙娟;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化的方法以及半导体器件的制作方法，包括在一基底上形成一光阻图案；以光阻图案作为掩模，通过刻蚀工艺在基底中形成所需图案，且在刻蚀工艺中至少通入含碳‑氧的气体。在刻蚀工艺中通入含碳‑氧的气体能够将光阻图案更加精确的转移至基底中形成所需图案，即能够提高图案化的精度，有助于提高半导体器件的性能。
半导体器件光阻图案刻蚀工艺图案化基底图案掩模制作

[发明专利]GAA结构MOSFET的形成方法-CN201610365164.3在审
发明人： 唐龙娟;王彦;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种GAA结构MOSFET的形成方法，包括提供半导体衬底；在半导体衬底中形成多组目标沟槽，各组目标沟槽沿半导体衬底表面法线方向向下延伸，多组目标沟槽的形成步骤包括在半导体衬底中形成一组初始沟槽；对一组初始沟槽进行各向异性湿法刻蚀，使一组初始沟槽对应形成一组目标沟槽；形成一组目标沟槽后，沿着一组初始沟槽向下刻蚀半导体衬底，形成下一组初始沟槽；重复形成初始沟槽和各向异性湿法刻蚀的步骤直至形成多组目标沟槽，目标沟槽两侧具有目标沟槽凸起；然后刻穿每一组目标沟槽中相邻目标沟槽凸起之间的半导体衬底，形成纳米线。所述方法使得GAA结构MOSFET的电学性能差异降低。
gaa 结构 mosfet 形成方法

[发明专利]一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法-CN201010196477.3有效
发明人：郑新和;唐龙娟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法，包括步骤：Ⅰ、对GaN样品台面进行第一次刻蚀，形成台阶状的样品结构；Ⅱ、在台阶上方的p区或n区的台面上制作微结构掩模层并进行第二次台面刻蚀形成纳米柱阵列，同时露出与台阶下方台面相一致的n区或p区；Ⅲ、对带纳米柱阵列的GaN样品旋涂填充物，使之平面化；Ⅳ、在对应于纳米柱阵列的平面化GaN样品表面制作电流扩展层；Ⅴ、在电流扩展层表面及台阶下方台面上沉积金属，制作n/p电极。本发明基于传统工艺作出调整，能有效避免台阶下方电极区粗糙，使淀积的金属粘附性增强，不易剥落；提高了电学连接的稳定性和器件的可靠性；同时该制作方法还具有简单快捷，普适性强的特点。
一种氮化物纳米阵列结构太阳能电池制作方法

[发明专利]一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法-CN201010196480.5有效
发明人：郑新和;唐龙娟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：先对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；再在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；继而进行第二次台面刻蚀，同时刻蚀形成纳米阵列结构。本发明通过两步刻蚀来形成n区(或p区)的台面，由于仅在相对偏高的上台面制作微结构掩模，可以避免刻蚀过程中下台面的电极区产生粗糙的尖峰状凸起，方法简单快捷，普适性强。通过电极区粗糙度的改善，可以增强后续淀积的金属电极的附着，使之不易剥落，提高器件的可靠性，同时也便于后续其它工艺(如键合等)的进行。
一种改善绝缘衬底纳米阵列结构器件制作方法

[发明专利]采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法-CN200910081983.5无效
发明人： 唐龙娟;杨晋玲;解婧;李艳;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法，该方法包括：步骤1：对衬底进行清洗；步骤2：在衬底上淀积二氧化硅薄膜；步骤3：在淀积有薄膜的衬底上涂敷光刻胶，进行光刻；步骤4：对光刻胶进行减薄处理；步骤5：高温坚膜；步骤6：对光刻后的衬底进行DRIE干法刻蚀。本发明只需要一次光刻、刻蚀工艺就能获得倾斜的二氧化硅侧壁形貌，方法简单快捷，普适性强。
采用光刻刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构方法

[发明专利]采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法-CN200910081224.9无效
发明人：李艳;杨富华;唐龙娟;朱银芳 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源，方法简单快捷，普适性强，可淀积2微米以上的薄膜，薄膜应力小，抗腐蚀性能好。
采用 13.56 mhz 射频功率源淀积氮化薄膜方法

[实用新型]适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片-CN200920106986.5无效
发明人：杨晋玲;周美强;周威;唐龙娟;朱银芳;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片，该光学窗口片包括：光学玻片(101)；蒸镀在光学玻片(101)正面的正面增透膜(102)；以及蒸镀在光学玻片(101)背面的背面增透膜(103)。该光学窗口片使用高强度、低折射率的材料制成，双面平行且双面镀增透膜，减小了激光共聚焦测量装置的测量光束透过光学窗口片进行位移测量时的系统误差，可以满足对密闭环境腔室内的样品进行非接触式光学测量的需求。
适用于激光聚焦测量装置光学窗口

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