专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法-CN201610173054.7有效
  • 唐晓莉;杨鸿洁;苏桦;钟智勇;张怀武 - 电子科技大学
  • 2016-03-23 - 2018-05-18 - H01L43/08
  • 一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法,属于磁性材料与元器件技术领域。采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下,依次在基片上沉积第一反铁磁层/第一铁磁层/第一非磁性层/第二铁磁层/第二非磁性层/第三铁磁层/第二反铁磁层作为巨磁电阻薄膜,第三铁磁层和第二反铁磁层的溅射气压为0.004‑0.08Pa,溅射功率为30‑50W,第三铁磁层的厚度为8‑12nm,第二反铁磁层的厚度为10‑18nm。本发明在超低气压下溅射巨磁电阻薄膜探测层中的铁磁层和反铁磁层,在不减薄铁磁层厚度的条件下,使铁磁层FM2/反铁磁层AF2产生不同大小的交换偏置场,进而在不损失巨磁电阻变化率的条件下实现对巨磁电阻薄膜线性区域的调整。
  • 一种调节磁电薄膜线性区域方法
  • [发明专利]一种直径可调铋纳米线阵列的制备方法-CN201611216995.0有效
  • 金立川;方觉;张怀武;肖勇;洪彩云;唐晓莉;钟智勇 - 电子科技大学
  • 2016-12-26 - 2018-04-06 - H01L31/0352
  • 一种直径可调铋纳米线阵列的制备方法,属于材料技术领域。所述直径可调的铋纳米线阵列,自下而上依次为半导体基片、铋纳米线阵列、锡纳米液滴,所述锡纳米液滴位于铋纳米线顶端;所述铋纳米线阵列的直径通过锡纳米液滴的大小进行调节,长度通过生长时间调节。本发明方法可实现在半导体衬底上制备大面积的直径在20~300nm范围可调的铋纳米线阵列,且得到的铋纳米线阵列在250~800nm光波长范围的吸收率大于80%,在高效光电转换器件和光电探测器领域具有重要的应用价值;并且本发明提供的直径可调铋纳米线阵列的制备方法简单易行,能够与半导体工艺兼容。
  • 一种直径可调纳米阵列制备方法
  • [发明专利]一种复合体系LTCC材料及其制备方法-CN201710149955.7在审
  • 唐晓莉;杜祥裕;苏桦;张怀武;荆玉兰;李元勋 - 电子科技大学
  • 2017-03-14 - 2017-07-14 - C04B35/16
  • 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域,具体涉及一种复合体系LTCC材料及其制备方法。该复合体系LTCC材料,其化学通式为Li2x(Zn0.95Co0.05)2‑xSiO4‑yLMZBS(0.125≤x≤0.375,y为1~2wt%);由斜方六面体结构的(Zn,Co)2SiO4为主晶相,正交晶系结构的Li1.6Zn1.2SiO4为次晶相组成的复合陶瓷材料。于900~950℃低温烧结,介电常数εr为6.1~6.5;Q×f值在130,000GHz以上,最高达到230,602GHz;谐振频率温度系数τf为‑41~‑22ppm/℃。生产原料便宜,工艺工程简单,方便操作,成本低。在作为LTCC微波介质基板或器件材料时,可以显著降低微波器件或模块的损耗。
  • 一种复合体系ltcc材料及其制备方法
  • [发明专利]一种多级阻变存储器单元及其制备方法-CN201410133503.6有效
  • 唐晓莉;马国坤;苏桦;钟智勇;张怀武;荆玉兰 - 电子科技大学
  • 2014-04-03 - 2017-06-13 - H01L45/00
  • 本发明的目的在于提供了一种多级阻变存储器单元及其制备方法,包括从下往上依次设置的基片、底电极、阻变层、顶电极;其特征在于,所述底电极与阻变层之间还设置有隔离层。本发明通过增加纳米级隔离层,使阻变存储器的存储窗口提高到105量级以上,达到多级存储所需的首要条件;并且采用电化学活性材料作为顶电极,利用电化学活性材料的漂移特性实现不同电压激励下不同的电阻状态,达到多级存储的目的。同时,隔离层的加入减小了氧离子移动过程中的耗散,有效的保护了底电极,增大了器件的稳定性。另外,该多级阻变存储器单元的制备方法工艺简单、易控制。
  • 一种多级存储器单元及其制备方法
  • [实用新型]一种输煤称重系统-CN201620970310.0有效
  • 黎明;马瑞;宋龙;张政委;孔亮;张峰;唐晓莉;陈群 - 河南华润电力首阳山有限公司
  • 2016-08-29 - 2017-05-17 - B65G21/00
  • 本实用新型公开了一种输煤称重系统,包括前后设置于皮带轮输煤线路内的第一皮带秤装置、第二皮带秤装置,及统计皮带秤装置单位时间内输煤量的主控装置,主控装置包括用于比较判断第一皮带秤装置与第二皮带秤装置二者在预设时刻差值的预设时间段内输煤量的校验模块。采用这种输煤称重系统,通过在输煤线路上一前一后设置两个皮带秤装置,两组装置可以互为备用,两个皮带称装置可以分别称重,避免等发现其中有一组称重装置出现故障时,存在一段时间的错误计量数据而难以补救,提高了系统检测准确的实时性,也就提高了称重系统的可靠性。综上,本实用新型提供的技术方案有效地解决了对输煤皮带称重系统的准确度进行判断困难等的技术问题。
  • 一种称重系统
  • [发明专利]一种可实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法-CN201510013300.8有效
  • 苏桦;沈洁;唐晓莉;荆玉兰;李元勋;钟智勇;张怀武 - 电子科技大学
  • 2015-01-09 - 2017-05-10 - H01L41/12
  • 本发明提出了一种多铁异质结及基于该多铁异质结实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法,属于电子材料技术领域。本发明多铁异质结采用廉价的含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷作为压电基片,在其一面涂覆银胶作为电极,另一面抛光后镀或者粘接具有磁致伸缩特性的磁性薄膜,所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后,再经过极化和老化处理后得到的。通过对该多铁异质结施加特定的电压脉冲,在去掉外加电压后,可在磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态,达到了稳定的非易失性磁矩调控效果。该调控方法操作简便,易实现,调控效果良好,在非易失性电场脉冲调制磁性器件领域有广泛的应用空间。
  • 一种实现磁性薄膜磁矩非易失性取向调制方法
  • [发明专利]一种可实现三态非易失性调制的电感及其调制方法-CN201510013106.X有效
  • 唐晓莉;张肇吉;苏桦;荆玉兰;钟智勇;张怀武 - 电子科技大学
  • 2015-01-09 - 2017-02-22 - H01F37/00
  • 本发明提出了一种三态非易失性电压脉冲调制的电感及其实现三种不同电感量的调制方法,属于电子器件技术领域。可实现三态非易失性调制的电感包括含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片、金属电极、非晶软磁合金带材磁性薄膜和漆包线,所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后,再经过极化和老化处理得到。通过对PZT基片的上下电极施加电压脉冲,在去掉外电压后,可在非晶软磁合金带材磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态,从而实现电感量的调控。该调控方法操作简单,性能优良,能耗低,在各种需要通过电感实现的滤波、调谐、阻抗匹配等功能电子电路系统中有广阔的应用前景。
  • 一种实现三态非易失性调制电感及其方法
  • [发明专利]一种微米级磁通聚集薄膜及其制备方法-CN201610770315.3在审
  • 钟智勇;张怀武;廖宇龙;金立川;文天龙;唐晓莉;白飞明 - 电子科技大学
  • 2016-08-30 - 2016-11-23 - H01F10/14
  • 一种微米级磁通聚集薄膜及其制备方法,属于磁传感器技术领域。本发明将等厚度的坡莫合金薄膜与掺铬的坡莫合金薄膜交替重复形成微米级的磁通聚集薄膜,由于掺铬的坡莫合金薄膜与未掺杂的坡莫合金薄膜之间存在磁化强度梯度差△M,该磁化强度梯度差△M会产生垂直于膜面的退磁场而使薄膜的磁矩平行于膜面,这样即使多层薄膜的厚度达到微米级,也不会出现磁矩向面外分布,即不会产生面外各向异性,使得薄膜具有良好的磁通聚集性能。本发明坡莫合金薄膜与掺铬的坡莫合金薄膜之间的晶格匹配,在形成多层薄膜时不会产生应力而恶化薄膜的软磁性能;本发明采用两种磁性层交替形成磁通聚集薄膜,保证了磁通聚集薄膜的饱和磁化强度不降低。
  • 一种微米级磁通聚集薄膜及其制备方法

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