专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]CDMA网络数据业务质量监控的方法及装置-CN201010596185.9无效
  • 于卫;李壮志;唐晓莉;陈仕波 - 中兴通讯股份有限公司
  • 2010-12-20 - 2011-04-20 - H04W24/00
  • 本发明涉及一种CDMA网络数据业务质量监控的方法及装置,其中方法包括:采集各接口数据;对采集的数据进行解码并合成KPI指标;对合成的KPI指标进行预统计并将预统计数据以图形方式展示;在预定时间内,当KPI基线偏离预设的基线门限时,进行告警。本发明通过对CDMA网络R-P接口、PI接口以及彩信中心等接口进行数据采集,并对各接口采集的数据进行解码分析、预处理,尤其是对历史数据的统计形成的KPI基线,可以实时对所有厂商设备的数据业务指标进行统计与监控,从而实现了对CDMA网络数据业务质量的实时监控;同时还可对预处理数据进行报表展示,以便用户进行TOPN访问量分析,提高用户的感知度。
  • cdma网络数据业务质量监控方法装置
  • [发明专利]一种集成微带环行器及其制备方法-CN201010227245.X无效
  • 钟智勇;刘爽;张怀武;唐晓莉;荆玉兰;贾利军;白飞明;苏桦 - 电子科技大学
  • 2010-07-15 - 2011-01-12 - H01P1/387
  • 一种集成微带环行器,属于电子技术领域。包括微波介质基片上的金属底电极、纳米线铁磁复合介质、绝缘层和微带环行器Y结;所述纳米线铁磁复合介质由铁磁金属纳米线和三氧化二铝复合而成,其中三氧化二铝具有纳米级多孔结构,而铁磁金属纳米线是经电镀工艺填充于三氧化二铝的纳米孔洞中。制备时,先在微波介质基片上沉积金属底电极和金属铝膜,然后对金属铝膜进行二次阳极氧化处理,再通过电镀工艺在三氧化二铝的纳米孔洞中填充铁磁金属纳米线,最后制作环形器所需Y结。本发明采用铁磁金属与多孔三氧化二铝复合的纳米线铁磁复合介质作为微带环形器的自偏置磁性介质,可提高微带环形器的工作频率、缩小其体积和减轻其重量;同时,所述微带环形器的制备工艺可与微波集成电路工艺相兼容。
  • 一种集成微带环行器及其制备方法
  • [发明专利]一种传输线电磁噪声抑制器及其制备方法-CN201010218948.6无效
  • 钟智勇;刘爽;张怀武;唐晓莉;苏桦;白明飞;金立川 - 电子科技大学
  • 2010-07-07 - 2010-12-08 - H05K9/00
  • 一种传输线电磁噪声抑制器及其制备方法,属于电子技术领域。产品包括介质基片,往上依次是微带传输线或共面波导传输线、绝缘层、过渡层和磁性薄膜,所述磁性薄膜具有非均匀的厚度。制备方法是首先在介质基片上制备传输线,然后沉积绝缘层,再利用胶体球掩模方法和薄膜沉积工艺制备过渡层和磁性薄膜。本发明依据铁磁共振理论和双磁子自旋散射模型,将常规传输线电磁噪声抑制器中均匀厚度的磁性薄膜变成非均匀厚度的磁性薄膜,从而大幅提高了传输线电磁噪声抑制器的工作带宽。本发明提供的传输线电磁噪声抑制器,具有更宽的工作带宽,能够满足宽频带范围内对电磁噪声进行抑制的需求;其制备方法工艺简单、能够与微波集成电路工艺兼容。
  • 一种传输线电磁噪声抑制器及其制备方法
  • [发明专利]一种LTCC叠层双馈圆极化微带贴片天线-CN201019087048.X无效
  • 苏桦;张怀武;成军平;唐晓莉;钟智勇;荆玉兰 - 电子科技大学
  • 2010-04-14 - 2010-10-13 - H01Q13/08
  • 一种LTCC叠层双馈圆极化微带贴片天线,属于天线技术领域,具体涉及一种低剖面微带贴片天线。包括两层辐射金属贴片、一层接地金属层和馈电层,该四层功能层由三层介质LTCC陶瓷介质基板相间隔,馈电层由Wilkins功分器和90度相移微带线构成。两层辐射金属贴片和接地金属层的几何中心采用金属接地针互连,馈电层上90度相差的双馈点通过金属馈电针与上层辐射金属贴片相连。两层辐射金属贴片各自的两条边上分别具有两个矩形调频电极。本发明不仅能够更好地兼顾了微带贴片天线低剖面、宽频带以及圆极化的性能要求,同时还能方便地对天线频带进行适量的调节。
  • 一种ltcc叠层双馈圆极化微带天线
  • [发明专利]一种双交换偏置场型自旋阀的制备方法-CN201019087050.7无效
  • 唐晓莉;张怀武;荆玉兰;苏桦;钟智勇 - 电子科技大学
  • 2010-04-14 - 2010-10-06 - H01L43/12
  • 一种双交换偏置场型自旋阀的制备方法,属于磁性材料与元器件技术领域。首先采用薄膜沉积工艺并在外磁场作用下,制备双交换偏置场型自旋阀,其中交换偏置场大小不同,方向相同;然后通过振动样品磁场强度测试计测两个交换偏置场的大小;最后施加介于两个交换偏置场之间大小、方向相反的外磁场,同时在形成较小交换偏置场的铁磁层膜面沿交换偏置场方向施加脉冲电流;根据所施加的外磁场H和脉冲电流的大小的不同,即可改较小的偏置场的大小和方向,从而获得不同的双交换偏置场型自旋阀。本发明利用自旋转移效应来调制双交换偏置场型自旋阀中较小的交换偏置场的大小和方向,简化了制备步骤,增加了该种双交换偏置自旋阀应用的灵活性。
  • 一种交换偏置自旋制备方法
  • [发明专利]一种CP构架的磁性随机存储器及其信息读取方法-CN201010146346.4无效
  • 唐晓莉;张怀武;荆玉兰;苏桦;钟智勇 - 电子科技大学
  • 2010-04-14 - 2010-09-29 - G11C7/06
  • 一种CP构架的磁性随机存储器及其信息读取方法,属于磁性材料与元器件领域。所述CP构架的磁性随机存储器包括两个相同的CP构架的磁性随机存储器阵列和一个比较器,一个阵列为主磁性随机存储器阵列A1,另一个阵列为存储信息已知的参考磁性随机存储器阵列A2,A1的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的一个输入端;A2的每列位线分别通过一个编译码开关接所述比较器的另一个输入端。信息读取时,通过比较器输出电平的高低来判断主磁性随机存储器阵列A1中读取单元的信息是否与参考磁性随机存储器阵列A2中相应存储单元所存储的信息一致的方式来读取信息。本发明可在存储密度不变的前提下消除漏电流影响,保证存储单元信息读出的准确率。
  • 一种cp构架磁性随机存储器及其信息读取方法
  • [发明专利]一种电子陶瓷材料的高低温循环烧结方法-CN201010185881.0无效
  • 苏桦;张怀武;唐晓莉;钟智勇;荆玉兰 - 电子科技大学
  • 2010-05-28 - 2010-09-29 - C04B35/64
  • 一种电子陶瓷材料的高低温循环烧结方法,属于电子陶瓷材料技术领域。首先将烧结对象升温至高温点T1并保温较短的时间t1,然后将烧结对象迅速降温至低温点T2并保温较长的时间t2;再将烧结对象升温至高温点T1并保温较短的时间t1,然后将烧结对象迅速降温至低温点T2并保温较长的时间t2;如此循环数次。高温点T1的选择应确保升温到T1时电子陶瓷材料已获得超过70%的理论密度,低温点T2的选择应确保晶界的迁移过程已基本停止,而晶界扩散过程仍然能够进行。本发明克服了现有电子陶瓷材料烧结方法在兼顾高致密化和均匀大晶粒微观结构方面的不足,能够更好地兼顾电子陶瓷材料高致密化和均匀大晶粒生长的要求,最终获得致密化、均匀大晶粒的电子陶瓷材料。
  • 一种电子陶瓷材料低温循环烧结方法
  • [发明专利]一种惠斯通电桥式自旋阀磁传感器的制备方法-CN200910167729.7有效
  • 唐晓莉;苏桦;张怀武;钟智勇;荆玉兰 - 电子科技大学
  • 2009-09-23 - 2010-03-17 - G01R33/09
  • 一种惠斯通电桥式自旋磁阀传感器的制备方法,属于磁性材料与元器件技术领域,涉及自旋阀磁传感器的制备方法。首先在同一基片上制备四个形状和大小相同的自旋阀单元,每个自旋阀单元的初始钉扎场方向一致;然后制备导线及电极;最后利用自旋转移效应改变自旋阀结构的钉扎场方向,即在两个相间隔的自旋阀单元的两端电极之间施加一大于105A/cm2的脉冲电流,脉冲电流的作用时间大于10毫秒,同时施加一强度大于初始钉扎场强度、且方向相反的外磁场。本发明具有工艺简单、易控的特点,所制备的产品成品率比现有的方法更高,同时具有更好的稳定性和传感性能。
  • 一种斯通电桥自旋传感器制备方法
  • [发明专利]一种带状线型铁氧体移相器-CN200910059352.3无效
  • 苏桦;张怀武;杨许文;唐晓莉;薛钢;贾利军;荆玉兰;钟智勇 - 电子科技大学
  • 2009-05-20 - 2009-11-11 - H01P1/19
  • 一种带状线型铁氧体移相器,属于微波通讯器件技术领域。包括:矩形立方体旋磁铁氧体材料(1),其内部开有前后贯通的空腔,以形成闭合磁回路,其外表面印刷有银电极;矩形介质基板(2),其表面具有两条相互平行的磁化电流导线(3)和一条移相用弯曲式微带线;矩形介质基板内嵌于旋磁铁氧体材料的空腔中,矩形介质基板周围与旋磁铁氧体材料之间填充绝缘胶。器件工作时,通过磁化电流导线施加磁化电流使旋磁铁氧体磁化,去掉磁化电流后旋磁铁氧体工作于剩磁状态;在移相用弯曲式微带线的两个端电极之间连接微波信号,就会产生非互易的差相移。本发明可显著缩小铁氧体移相器的体积和质量,有利于实现移相器与其它有源/无源器件或组件的集成。
  • 一种带状线型铁氧体移相器
  • [发明专利]基于LTCC技术的带状线式铁氧体移相器-CN200910059359.5有效
  • 苏桦;张怀武;杨许文;唐晓莉;薛钢;贾利军;荆玉兰;钟智勇 - 电子科技大学
  • 2009-05-20 - 2009-10-14 - H01P1/19
  • 基于LTCC技术的带状线式铁氧体移相器,属于微波通讯器件技术领域。整个移相器由两层矩形旋磁铁氧体基片包夹两层矩形陶瓷介质基片形成,两层陶瓷介质基片之间夹有两条平行的磁化电流导线和一条移相用弯曲式微带线;铁氧体基片在宽度方向上超过陶瓷介质基片的两边相互连通,形成封闭的磁回路。器件工作时,铁氧体基片表面的环带形银电极接地,通过磁化电流导线施加脉冲磁化电流使旋磁铁氧体回路磁化,去掉磁化电流后使旋磁铁氧体基片工作于剩磁状态;在移相用弯曲式微带线的两个端电极之间连接微波信号,就会产生非互易的差相移。本发明与现有的铁氧体移相器相比,体积和质量都可以显著的缩小,更利于实现移相器与其它有源/无源器件和组件的集成。
  • 基于ltcc技术带状线铁氧体移相器
  • [发明专利]具有背腔电极的微带贴片陶瓷天线-CN200910059215.X无效
  • 苏桦;唐晓莉;张怀武;任赞;荆玉兰;钟智勇 - 电子科技大学
  • 2009-05-08 - 2009-09-30 - H01Q1/38
  • 具有背腔电极的微带贴片陶瓷天线,属于天线技术领域,涉及微带贴片陶瓷天线。包括陶瓷基板(2)、辐射贴片(1)、反射底板(4),以及同轴连接器;还包括一个背腔电极,所述背腔电极由附着在陶瓷基板(2)四周侧壁表面的电极和附着在陶瓷基板(2)上表面四周边缘的电极构成;整个背腔电极与反射底板(4)相连通,但与辐射贴片(1)之间绝缘间隔。本发明通过增加与天反射底板相连的背腔电极,间接地增大了反射底板的面积,使更多的电磁能量向上辐射,从而在不增大天线体积和剖面厚度的前提下,较显著的提升陶瓷贴片天线的增益。本发明可克服常规微带贴片陶瓷天线在兼顾高增益和小型化、低剖面方面的不足,从而兼具高增益和小型化、低剖面的优点。
  • 具有电极微带陶瓷天线

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