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[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910682289.2在审
发明人： 周艮梅;金子貴昭 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆的正面具有第一衬垫；提供第二晶圆，所述第二晶圆的正面具有第二衬垫，所述第二衬垫与所述第一衬垫一一对应；将所述第一晶圆的正面和第二晶圆的正面进行对准，并进行键合，以使每个第一衬垫与对应的第二衬垫电连接；其中，每个第一衬垫的表面的面积小于对应的第二衬垫的表面的面积。本发明方案可以降低第一衬垫与第二衬垫的接触面积，从而使得在第一晶圆相对于第二晶圆存在较小程度的对准偏差时，不会影响接触面积，有助于拓宽对准容忍度。
晶圆图像传感器对准对准偏差电连接容忍度键合

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201811474967.8在审
发明人： 周艮梅;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；金属层间介质层，位于所述半导体衬底的正面，所述金属层间介质层内形成有金属互连结构；反射金属层，位于所述金属层间介质层的表面；滤镜结构，位于所述半导体衬底的背面；其中，所述反射金属层的反射面朝向所述光电二极管，用于将入射至所述反射面的光线反射回光电二极管。本发明方案可以提高光线的吸收量，增加图像传感器的灵敏度。
图像传感器衬底金属层间介质层光电二极管半导体反射金属层金属互连结构光线反射反射面灵敏度吸收量滤镜入射反射背面

[发明专利]用于等离子体损伤检测的半导体器件及其检测方法、形成方法-CN201811443886.1在审
发明人： 周艮梅;管斌;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于等离子体损伤检测的半导体器件及其检测方法、形成方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；金属层间介质层，所述金属层间介质层内形成有成对的第一金属互连结构与第二金属互连结构，以及成对的第三金属互连结构与第四金属互连结构；TSV刻蚀沟槽；第一测量衬垫、第二测量衬垫、第三测量衬垫和第四测量衬垫；其中，所述的第一测量衬垫与第二测量衬垫用于测量所述第一金属互连结构与第二金属互连结构之间的电容，所述第三测量衬垫与第四测量衬垫用于测量所述第三金属互连结构与第四金属互连结构之间的电容。本发明方案可以确定所述等离子体刻蚀工艺对所述半导体器件的损伤，有助于提高半导体器件的品质。
金属互连结构半导体器件测量衬垫金属层间介质层等离子体损伤检测第二测量第一测量成对的电容测量等离子体刻蚀刻蚀沟槽衬底半导体损伤

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201811178557.9在审
发明人： 周艮梅;金子貴昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底；多个像素器件，位于所述半导体衬底内；多个具有不同滤光颜色的滤光器，设置于所述半导体衬底的表面；其中，每个滤光器与位于其下的像素器件之间设置有光吸收薄膜，且具有不同滤光颜色的滤光器下方的光吸收薄膜具有不同的透光率，所述滤光颜色的光线波长越长，所述光吸收薄膜的透光率越低。本发明方案有助于产生足够的光电子，提高所述图像传感器的灵敏度。
图像传感器滤光颜色光吸收滤光器衬底薄膜半导体像素器件透光率光线波长灵敏度光电子

[发明专利]形成图像传感器的方法及图像传感器-CN201810964887.4在审
发明人： 周艮梅;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种形成图像传感器的方法，包括：在半导体衬底中于光电二极管周围形成沟槽；在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的侧壁和底壁中的至少一个的至少部分的覆盖层，所述覆盖层具有P型掺杂剂，并且所述覆盖层中的P型掺杂剂的浓度高于位于所述覆盖层周围的所述半导体衬底的部分中的P型掺杂剂的浓度，其中，所述覆盖层不填满所述沟槽；以及使得所述覆盖层中的所述P型掺杂剂向所述半导体衬底中扩散，从而在所述半导体衬底中形成覆盖所述沟槽的侧壁和底壁中的至少一个的至少部分的P型扩散区。本公开还涉及一种图像传感器。本公开能够减小图像传感器的暗电流。
覆盖层图像传感器衬底半导体侧壁底壁光电二极管暗电流减小填满覆盖扩散

[发明专利]图像传感器及其形成方法、成像系统-CN201810208206.1在审
发明人：穆钰平;周艮梅;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法、成像系统，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括并列的可见光传感区域、红外传感区域以及伪传感区域，其中，所述伪传感区域位于所述可见光传感区域以及所述红外传感区域之间；介质层，所述介质层位于所述半导体衬底表面；可见光区金属互联结构以及红外区金属互联结构，所述可见光区金属互联结构位于所述可见光传感区域的介质层内，所述红外区金属互联结构位于所述红外传感区域的介质层内；光隔离结构，位于所述伪传感区域的介质层内。本发明方案可以在同一半导体衬底内集成可见光图像传感器以及红外线图像传感器，且减少面积，降低成本。
传感区域介质层金属互联结构图像传感器可见光红外传感衬底半导体成像系统可见光区红外区红外线图像传感器可见光图像传感器半导体衬底表面光隔离结构并列

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810181210.3在审
发明人：穆钰平;黄晓橹;周艮梅 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，其中图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管及深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构位于所述光电二极管之间；在所述半导体衬底表面形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述光电二极管和所述深沟槽隔离结构；在所述层间介质层上形成无定型碳层；刻蚀所述无定型碳层至露出所述层间介质层表面，形成凹槽；在所述无定型碳层表面、凹槽侧壁及底部形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成金属层；刻蚀所述金属层和所述绝缘层至露出所述层间介质层表面，形成分立排列的金属栅格；去除所述无定型碳层。所形成的金属栅格的关键尺寸在足够小时，不会发生坍塌情况。
层间介质层无定型碳层深沟槽隔离结构光电二极管图像传感器绝缘层金属栅格金属层衬底分立刻蚀半导体半导体衬底表面绝缘层表面凹槽侧壁介质层去除坍塌覆盖

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810381052.6在审
发明人： 周艮梅;穆钰平;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括若干相互分离的像素区；在相邻像素区之间的基底表面形成阻挡结构，所述阻挡结构的底部尺寸大于顶部尺寸，且所述阻挡结构的侧壁与底部呈锐角；在各所述像素区的基底表面形成滤色镜，所述滤色镜覆盖阻挡结构的侧壁。所述方法形成的图像传感器的性能较好。
阻挡结构图像传感器基底表面滤色镜像素区侧壁基底相邻像素锐角覆盖

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810094429.X在审
发明人：穆钰平;周艮梅;黄晓橹;陈世杰;吕相南 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其形成方法，其中，图像传感器的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括多个分立的感光区以及位于相邻感光区之间的隔离区，各感光区衬底中分别具有感光元件，所述第二面暴露出所述感光元件；在隔离区衬底中形成沟槽，所述第一面暴露出所述沟槽；对所述沟槽底部和侧壁进行掺杂处理，在所述沟槽底部和侧壁的衬底中形成掺杂区；形成所述掺杂区之后，在所述沟槽中形成隔离结构。所述方法形成的图像传感器的暗电流较小。
衬底图像传感器感光区感光元件掺杂区第二面隔离区侧壁隔离结构暗电流面暴露分立掺杂暴露

[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法-CN201810151071.X在审
发明人： 周艮梅;穆钰平;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种图像传感器，其包括：第一光电二极管，用于转换第一波段的光，所述第一光电二极管的第一部分由第一半导体材料形成，所述第一光电二极管的第二部分由第二半导体材料形成；以及第二光电二极管，用于转换第二波段的光，所述第二光电二极管由第二半导体材料形成，其中，所述第一波段的至少部分波长大于所述第二波段的波长，所述第一半导体材料的能带隙小于所述第二半导体材料的能带隙。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能够提高量子效率以及减少光的串扰。
半导体材料光电二极管图像传感器波段能带隙波长量子效率转换串扰

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