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[实用新型]一种用于面料除静电工序的卷绕装置-CN202320984369.5有效
发明人： 吴长明 -专利权人：省心进出口江苏有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B65H18/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于面料除静电工序的卷绕装置，包括卷绕架，所述卷绕架上固定有电机，所述电机的输出轴末端固定连接有卷绕轴，所述卷绕轴上固定有卷绕辊，所述卷绕辊上卷绕有面料本体，所述面料本体与卷绕架之间设有多个引导机构，所述卷绕架的侧壁上固定有承托板，所述承托板的上端固定连接有储液箱，所述储液箱的上端设有进液斗，所述储液箱内设有增压泵，所述增压泵的输水端连接有输液管，所述输液管的末端连接有喷头。该用于面料除静电工序的卷绕装置通过静电消除液的喷涂与金属棒的配合进行面料静电的消除，提高了静电消除效率，保证了面料卷绕生产质量。
一种用于面料静电工序卷绕装置

[发明专利]一种特征图形处理方法、沟道结构及四氯化硅使用方法-CN202310919129.1在审
发明人：吉斌斌;吴长明;冯大贵;余鹏;孙建;周乾;李安东 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种特征图形处理方法、沟道结构及四氯化硅使用方法；于工件预设厚度的图形、图形对应的沟槽侧边构造一调整结构，即第三介质层（030），并通过改变其厚度来实现对工件特征尺寸的干预；其中，第三介质层（030）的厚度，即第三厚度的增加促使特征图形的目标线宽或关键尺寸CD（Critical Dimension），亦即第九宽度（090）获得减小的趋势；进而克服了相关技术中关键尺寸CD与参考尺寸或基准尺寸BL（BaseLine）不匹配的技术问题；同时，其沟道结构亦给出了实现上述过程的核心构造；相应地，第三介质层（030）可采用沉积的氧化层承担，而四氯化硅的使用方法在上述过程的实现中也达成了同样的发明构思；在预设的组分配比下，将进一步改进特征图形的处理效率。
一种特征图形处理方法沟道结构氯化使用方法

[发明专利]光刻方法-CN202110446871.6有效
发明人：李玉华;黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻方法，包括：在晶圆上覆盖光阻；通过掩模板对光阻进行曝光；进行显影，去除曝光区域的光阻，形成高深宽比的光阻图形，该高深宽比的光阻图形是深度和宽度的比值大于等于3的光阻图形；在光阻上覆盖收缩材料，该收缩材料填充所述光阻图形之间的沟槽和/或通孔；在烘烤设备中烘烤，烘烤设备包括放置晶圆的第一加热板和位于晶圆上方的第二加热板；去除收缩材料。本申请在光刻过程中，在显影形成高深宽比光阻图形后，在光阻图形中填充收缩材料且将晶圆放置于具有上下加热板的烘烤设备中进行烘烤，由于上下加热板的设置能够设置烘烤的加热梯度，从而能够通过加热收缩材料修正光阻图形的形貌缺陷，提高了器件的可靠性。
光刻方法

[发明专利]显影方法和显影装置-CN201911255827.6有效
发明人：王绪根;吴长明;姚振海;陈骆;韩建伟;刘冲 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一显影方法和显影装置。其中，显影方法包括使曝光后的晶圆以第一速度旋转，辅助液喷头沿径向从晶圆的边缘区域处向晶圆的中心移动，辅助液喷头在移动过程中喷出辅助液；使晶圆提高旋转速度，显影液喷头在晶圆的中心区域喷出预湿显影液；使晶圆的旋转速度提高到第二速度，保持第二速度旋转第一时间段，扩展预湿显影液和辅助液以均匀润湿晶圆表面的光刻胶；对晶圆进行显影。显影装置包括旋转机构、显影液喷头、辅助液喷头以及用于输出控制信号的控制系统，控制信号用于控制旋转机构、显影液喷头和辅助液喷头执行显影方法。本发明通过预湿过程解决相关技术中显影过程中显影图案缺陷的问题。
显影方法装置

[发明专利]一种往复式变幅变频闸门喂料定量秤-CN201710847124.7有效
发明人：张根太;张建运;吴长明 -专利权人：河南龙昌机械制造有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G01G13/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种往复式变幅变频闸门喂料定量秤，包括原料仓，原料仓下部设有喂料闸门和支架；喂料闸门包括定板、动板和往复驱动装置，定板形状为矩形且穿插在原料仓上，定板的两端固定在支架上，动板上设有漏孔，动板穿插在原料仓上并紧贴定板上端，动板一端连接往复驱动装置，往复驱动装置固定在支架上；原料仓下端设有集料仓，集料仓内穿设有两根支撑轴，两根支撑轴位于集料仓内的一端均连接有重量传感器，两个重量传感器之间设有秤斗，在集料仓外侧设有翻转动力缸和摇臂。本发明能够精确控制物料出料量，使喂料重量误差控制在±10g内。
一种往复式变幅变频闸门喂料定量

[实用新型]一种多功能复合面料贴合装置的多边机构-CN202321118902.6有效
发明人： 吴长明 -专利权人：省心进出口江苏有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B32B37/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能复合面料贴合装置的多边机构，包括底座，所述底座的上端对称固定有两个支撑板，两个所述支撑板之间固定有置物板，所述置物板的下端固定连接有气缸，所述气缸的伸缩端固定连接有置物箱，所述置物箱内设有置物腔，所述置物腔内固定固有吹风机与电源，所述置物箱的下端固定连接有压力贴合板，所述电源与吹风机、压力贴合板之间均连接有电线。该多功能复合面料贴合装置的多边机构能对面料进行有效的固定，避免贴合时受力发生位置，保证了贴合的复合面料多边贴合，提高了贴合后的复合面料质量。
一种多功能复合面料贴合装置多边机构

[实用新型]一种面料散开装置的防褶皱机构-CN202321134118.4有效
发明人： 吴长明 -专利权人：省心进出口江苏有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B65H23/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种面料散开装置的防褶皱机构，包括底座，所述底座的上端固定连接有立柱，所述立柱内设有中空槽，所述立柱的上端设有调节把手，所述调节把手的下端固定连接有调节杆，所述调节杆的下端延伸至中空槽内并与中空槽内底端侧壁转动连接，所述调节杆上螺纹连接有调节平台，所述调节平台的下端设有驱动槽，所述调节平台的侧壁上固定连接有伺服电机，所述伺服电机的输出轴末端固定连接有驱动杆。该面料散开装置的防褶皱机构在开幅散开后能有效消除皱褶，增加了面料定型收集效率，提高了面料的生产质量。
一种面料散开装置褶皱机构

[实用新型]一种石油勘探开采管道清洗装置-CN202320509748.9有效
发明人：祝成;吴长明;张海兵 -专利权人：成都市兴邦能源科技开发有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B08B9/045 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石油勘探开采管道清洗装置，属于管道清洗装置领域，包括密封壳体，密封壳体的内部设置有电机，密封壳体的前侧且在电机的输出轴上安装有安装结构，安装结构由安装基柱、安装基板、安装导杆以及调节弹簧组成，安装基板有四个且对称安装在安装基柱的上下两端，安装导杆有两个且分别位于安装基柱的上下两侧，且两个安装导杆安装在四个安装基板上，调节弹簧有四个且对称安装在两个安装导杆上，安装导杆上对称安装有两个支撑连接结构，通过设置安装结构和支撑连接结构，同时将刷洗结构安装在支撑连接结构上，使得刷洗结构能够刷洗多种直径的管道，从而可以提升该清洗装置的通用性，进而可以降低使用者的使用成本。
一种石油勘探开采管道清洗装置

[实用新型]一种石油开采石油泵固定装置-CN202320429164.0有效
发明人：祝成;魏建波;吴长明 -专利权人：成都市兴邦能源科技开发有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： F04D29/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石油开采石油泵固定装置，属于石油泵领域，包括泵体、浇筑框板以及浇筑压板，泵体底部设置有底座，底座下方设置有水泥基座，水泥基座上端面两侧位置各设置有一对定位钢板，底座两侧端面底部位置各设置有一对定位卡板，定位钢板中部对应定位卡板设置有定位卡槽，定位卡板上端面设置有压紧螺杆，浇筑框板位于水泥基座外圈位置，浇筑压板位于水泥基座上方位置，通过在底座下方设置水泥基座，利用水泥基座安装定位钢板，利用底座两侧的定位卡板配合定位钢板进行安装，并通过压紧螺杆固定，以保障石油泵的稳定性，同时利用浇筑框板与浇筑压板完成水泥基座的铺设，使石油泵能够在户外快速安装固定，进而快速投入石油开采作业。
一种石油开采固定装置

[发明专利]环形映射缺陷的改善方法-CN202310450483.4在审
发明人：宋洋航;吴长明;冯大贵;余鹏;孙建;李先宏;尚柯 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种环形映射缺陷的改善方法，提供刻蚀机台，刻蚀机台中的刻蚀腔中设有阳极板、阴极板，阳极板远离阴极板的一侧设置有射频线圈，射频线圈与第一射频发生器连接，阴极板与第二射频发生器连接，第一、二射频发生器分别用于调节等离子的密度和方向；在刻蚀机台的第一复机菜单中增加第二复机菜单，第一复机菜单为根据所需半导体器件预设的菜单，第二复机菜单包括：在刻蚀腔中通入第一刻蚀气体，调节刻蚀腔的压力、第一、二射频发生器的功率，利用第一刻蚀气体电离使得阳极板的表面致密化；执行第一、二复机菜单中的步骤。本发明使得阳极板表面的晶格变得更为细致，聚合物淀积更为牢固，刻蚀过程中聚合物不易脱落，改善了环形映射缺陷。
环形映射缺陷改善方法

[发明专利]光刻工艺中的涂胶方法-CN202110409897.3有效
发明人：刘冲;吴长明;姚振海;陈骆;王绪根;朱联合 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺中的涂胶方法，包含：步骤一，将晶圆放置于载台上并固定，载台旋转带动所述晶圆进行第一速度区间的旋转，同时滴胶喷嘴在晶圆的圆心处从晶圆上方向下进行滴胶；步骤二，滴胶达到设计量之后，然后将载台旋转速度调整至第二速度区间，同时继续向晶圆表面滴涂光刻胶；所述第二速度区间大于第一速度区间；步骤三，将所述滴胶喷嘴从晶圆圆心处向外偏移，同时将晶圆转速调整至第三速度区间，继续滴胶，此时滴胶位置偏离晶圆圆心；所述第三速度区间小于第一、第二速度区间；步骤四，滴胶结束，将晶圆转速调整至第四速度区间，使光刻胶胶膜干燥；本工艺方法在晶圆中心区域能保持良好的涂胶形貌，膜厚均一性得到显著改善。
光刻工艺中的涂胶方法

[发明专利]超高深宽比图形的光刻工艺方法-CN202110011356.5有效
发明人：程宇;纪明岐;朱至渊;李玉华;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高深宽比图形的光刻工艺方法，对光刻图形采用以双重曝光技术为基础，同时采用单次曝光对焦增强技术对图形进行曝光，最后形成超高深宽比的图形。本发明通过双重曝光技术及单次曝光对焦增强技术的叠加效应，结合强力曝光后烘烤，将两次曝光的投影叠加在一起，最终形成了超高深宽比的光刻图形。
高深图形光刻工艺方法

[发明专利]抗疲劳铜合金及其制备方法-CN202211649209.1在审
发明人：岳学明;朱张泉;吴长明;王伟;陈钘娣 -专利权人：浙江海亮股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明公开了抗疲劳铜合金及其制备方法，属于铜合金领域，在保持较高的抗压强度的基础上，合金还具有较强的抗疲劳性能，本发明的抗疲劳铜合金，以质量％计含有0.05％～0.095％的镍(Ni)、0.05％～0.095％的锡(Sn)、0.005％～0.1％的铁(Fe)、0.001％～0.1％的铝(Al)、0.015％～0.04％的磷(P)和不大于0.05％杂质，余量为铜(Cu)。
疲劳铜合金及其制备方法

[发明专利]CIS器件的隔离沟槽制作方法-CN202110270108.2有效
发明人：沈宇栎;吴长明;冯大贵;王玉新;余鹏;杜闫 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种CIS(CMOS Image Sensor，CMOS图像传感器)器件的隔离沟槽制作方法。CIS器件的隔离沟槽制作方法包括以下步骤：提供所述CIS器件的基底层，所述基底层包括相对的上表面和下表面；在所述基底层的上表面上制作形成硬质掩模层；通过光刻刻蚀工艺，使得所述硬质掩模层定义出所述隔离沟槽的图案；对所述基底层依次进行多次刻蚀循环，每次所述刻蚀循环包括依次进行的以下步骤：基于所述图案，预刻蚀所述基底层，形成刻蚀窗口；基于所述刻蚀窗口，对所述基底层进行深度刻蚀，形成沟槽段；使得沟槽段的表层形成聚合物层；通入刻蚀气体，预备下一刻蚀循环的刻蚀环境。该方法可以解决采用相关技术所制作的CIS器件容易产生信号串扰的问题。
cis 器件隔离沟槽制作方法

[发明专利]铝填孔的工艺方法-CN202110458509.0有效
发明人：陈思彤;钱佳成;刘秀勇;陈正嵘;李志国;吴长明 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝填孔的工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底表面形成层间膜。步骤二、将孔形成区域的层间膜去除形成位于层间膜中的第一开口。步骤三、在第一开口的内侧面形成由第二介质层组成的内侧墙，内侧墙在第一开口内围成第二开口；全面刻蚀工艺使内侧墙的顶角圆化，使第二开口的形貌为有利于铝填充的弧形开口形貌。步骤四、以层间膜和内侧墙为掩膜对第二开口底部的半导体衬底进行刻蚀形成第三开口。步骤五、在孔中填充铝层。本发明能提高铝填孔的填充能力，增加工艺窗口，提高填充质量。
铝填孔工艺方法

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