专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于TSV硅转接基板堆叠的集成封装结构及制造方法-CN202210116516.7在审
  • 张辽辽;吴道伟;唐磊;刘建军;姚华 - 西安微电子技术研究所
  • 2022-02-07 - 2022-05-13 - H01L23/48
  • 本发明公开了一种基于TSV硅转接基板堆叠的集成封装结构及制造方法,属于集成电路封装技术领域,包括:TSV硅转接基板、TSV硅基腔体转接基板、转接基板间互连结构、TSV硅转接基板外接焊球、第一底部填充结构、第二底部填充结构、微电子芯片和芯片与转接板互连结构;TSV硅基腔体转接基板通过转接基板间互连结构与TSV硅转接基板连接,且微电子芯片通过芯片与转接板互连结构分别与二者连接,第一底部填充结构位于TSV微电子芯片与TSV硅转接基板中间,第二底部填充结构位于两基板中间,该多芯片集成封装结构,缩小了系统封装尺寸、提高了互联密度、缩短了互连距离、降低了传输延时、提高了带宽、提升了电源效率。
  • 基于tsv转接堆叠集成封装结构制造方法
  • [发明专利]一种硅基组件的互连测试夹具及互连测试方法-CN202210095052.6在审
  • 潘鹏辉;吴道伟;姚华;唐磊;薛宇航 - 西安微电子技术研究所
  • 2022-01-26 - 2022-04-29 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种硅基组件的互连测试夹具及互连测试方法,属于先进电子封装技术领域,硅基组件的互连测试夹具包括真空吸附孔、X轴限位挡块、Y轴限位挡块和测试区域Z平面调节器,实现三维调节被测件,解决了不同硅基组件的夹持和兼容性问题,规避了碎片风险,达到了测试夹具通用和方便使用的目的;互连测试方法利用隔离技术进行直流和交流特性测试,通过减少生成电流分支来减小测试误差,确保了量测值的精准性;实现了微系统组件层级的测试,在功能性能测试前即可检测出大部分故障组件,提高了最终功能性能测试直通率,避免了后续质量隐患和资源浪费,有效提升了网络的测试覆盖率。
  • 一种组件互连测试夹具方法
  • [发明专利]一种晶圆的多层堆叠键合方法-CN202111264686.1在审
  • 张宁;吴道伟;霍瑞霞 - 西安微电子技术研究所
  • 2021-10-28 - 2022-02-15 - H01L21/50
  • 本发明公开了一种晶圆的多层堆叠键合方法,属于半导体集成封装技术领域。键合顺序:第一层、第二层晶圆正面工艺‑第一层、第二层晶圆键合‑一侧晶圆减薄及背面工艺‑另一侧晶圆减薄及背面工艺‑第三层晶圆正面工艺及第二层与第三层晶圆键合‑第三层晶圆减薄及背面工艺,为薄晶圆的多层键合提出了解决方案。本发明方法不需要额外增加载片就能进行多层晶圆的键合,根据键合晶圆自身相互的承载作用,逐层增加键合晶圆的层数,规避了因临时键合胶变性难解开而裂片的风险。此外,对比单芯片堆叠,本发明方法显著提高了组装效率,是一种高效的多层晶圆级同质或异质高密度集成方法,应用前景和市场潜力非常广阔,具有重要的战略意义和社会效益。
  • 一种多层堆叠方法
  • [发明专利]一种晶圆解键合方法-CN202010604859.9有效
  • 吴道伟;张宁;霍瑞霞;刘建军 - 西安微电子技术研究所
  • 2020-06-29 - 2022-02-11 - H01L21/683
  • 一种薄晶圆解键合方法,包括以下步骤:步骤一、将硅晶圆外圈发生胶变性或胶溢出的硅刻蚀去除;步骤二、将硅晶圆与载片解键合。步骤一所述的刻蚀去除方法包括在晶圆侧制备掩模层,所述的掩模层材料采用正性或负性光刻胶,通过曝光及显影过程去除硅晶圆边缘的光刻胶;再通过干法刻蚀工艺对硅晶圆的外圈直接进行刻蚀。针对薄晶圆临时键合胶变性以及“胶挤出”问题,本发明采用了一种解键合前处理方法,通过掩模制备、刻蚀去边等前处理工艺将晶圆外圈发生胶变性或胶溢出的硅刻蚀去除,再进行解键合制程,解决了由于临时键合胶变性导致的无法顺利进行解键合的问题,规避了碎片风险。
  • 一种晶圆解键合方法
  • [发明专利]一种无空白区域的晶圆上硅通孔的制作方法-CN202010183688.7有效
  • 张宁;吴道伟;严秋成 - 西安微电子技术研究所
  • 2020-03-16 - 2021-11-30 - H01L21/768
  • 本发明一种无空白区域的晶圆上硅通孔的制作方法,包括步骤1,使用刀具或激光去除所述晶圆划片道下方的金属及其它介质层,槽口的深度尺寸大于或等于金属与其它介质层的总厚度尺寸;步骤2,在步骤1得到的晶圆表面沉积一层氧化硅,氧化硅层的厚度尺寸与划片道和开槽的总深度尺寸满足如下关系,D1‑D2=‑3~6μm,其中D1为氧化硅层的厚度尺寸,D2为划片道和开槽的总深度尺寸;步骤3,先使氧化硅层的表面平坦,再将TSV区域露出,最后按照设定的尺寸依次进行氧化硅和TSV的刻蚀。本发明避免了采用传统光刻、刻蚀工艺去除金属及表面其它介质层的繁琐,为无空白区域的晶圆上制作TSV提供了一种简单的解决方案。
  • 一种空白区域晶圆上硅通孔制作方法
  • [外观设计]晾衣架-CN202030729456.8有效
  • 吴道伟 - 吴道伟
  • 2020-11-30 - 2021-08-31 - 07-05
  • 1.本外观设计产品的名称:晾衣架。2.本外观设计产品的用途:用于晾衣架。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。5.仰视图不常见,省略仰视图。
  • 晾衣架
  • [外观设计]儿童折叠裤架-CN202030365592.3有效
  • 吴道伟 - 吴道伟
  • 2020-07-08 - 2021-01-08 - 06-08
  • 1.本外观设计产品的名称:儿童折叠裤架。2.本外观设计产品的用途:用于晾晒儿童衣物。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
  • 儿童折叠
  • [发明专利]一种晶圆级纳米尺度计量标准器及其制造方法-CN202010568534.X在审
  • 饶张飞;吴道伟;张宁;金红霞;秦凯亮 - 西安微电子技术研究所
  • 2020-06-19 - 2020-09-22 - G01B21/00
  • 本发明公开了一种晶圆级纳米尺度计量标准器及其制造方法,属于纳米几何量计量标准器制造领域。一种晶圆级纳米尺度计量标准器及其制造方法,在现有电子束光刻制备标准样片的基础上,通过光刻工艺在6寸、8寸或12寸的晶圆上制作与标准样片所对应的槽图形,之后等离子体干法刻蚀对槽图形区域进行刻蚀,刻蚀工艺气体为SF6和C4F8,起到刻蚀、钝化循环交替,其中,SF6用于刻蚀,C4F8用于钝化,配合刻蚀温度和压强,在兼顾刻蚀效率的同时得到垂直且侧壁光滑的高质量槽;然后通过点胶、对准后将标准片嵌合贴装至晶圆上。本发明的制备方法,所得晶圆级纳米尺度计量标准器可满足集成电路产线工艺测量设备的在线校准需求。
  • 一种晶圆级纳米尺度计量标准及其制造方法
  • [外观设计]伸缩晾衣架-CN201930243946.4有效
  • 吴道伟 - 吴道伟
  • 2019-05-18 - 2020-06-05 - 07-05
  • 1.本外观设计产品的名称:伸缩晾衣架。2.本外观设计产品的用途:用于晾晒衣物,是一种日常生活用品。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片:主视图。5.无设计要点,省略仰视图。
  • 伸缩晾衣架

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