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[发明专利]基于爆米花基多孔炭材料电极的制备方法及其用途-CN202110941735.4在审
发明人：余静;蒙日桂;吴秉寰 -专利权人：扬州大学
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C02F1/469 文献下载
摘要：本发明公开了基于爆米花基多孔炭材料电极的制备方法及其用途，其先将玉米粒进行微波膨化至焦碳状；然后将微波后爆米花炭片与化学活化剂研磨混合，随后在氮气的气氛下进行气化反应形成爆米花多孔炭；再将产物研磨成粉末状，并用盐酸洗涤爆米花多孔炭，接着用去离子水清洗爆米花多孔炭至电中性，将爆米花多孔炭置于烘箱内烘干；取爆米花多孔炭、导电炭黑和聚偏氟乙烯置于N‑甲基吡咯烷酮中完全混合，得电极浆液；用涂膜器将电极浆液均匀涂覆在泡沫镍表面，在真空干燥箱中烘干，得到爆米花基多孔炭材料电极。该爆米花基多孔炭材料电极安装于电容去离子装置中，作为脱盐用的电极使用；本发明降低了电极制备成本，采用反应物绿色健康。
基于爆米花基多材料电极制备方法及其用途

[发明专利]一种图像传感器装置及其制造方法-CN201410495034.2有效
发明人：张海芳;黄河;刘煊杰;冯霞;吴秉寰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器装置及其制造方法。所述图像传感器装置包括：玻璃衬底；形成在所述玻璃衬底上的金属支柱；以及与所述金属支柱连接的子组件，其中所述金属支柱与所述子组件的连接衬垫连接。在本发明中，用金属材料作为玻璃和子组件之间的连接支柱，相比有机材料，金属材料能够得到更好的均一性，且在工艺实现上更容易控制，在后续CVD膜层生长中也不会出现现有技术中的有机材料排气而导致的剥离问题，进而显著提高了产品的质量。
一种图像传感器装置及其制造方法

[发明专利]一种PVD系统工艺参数的优化方法-CN201410101122.X有效
发明人：陈怡骏;华宇;游宽结;吴秉寰;胡凯 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供一种PVD系统工艺参数的优化方法，所述方法包括根据预沉积薄膜的厚度，得到预沉积所述薄膜所需的总沉积时间；将所述总沉积时间分为若干步，每步沉积后有冷却步骤，组成了若干个沉积/冷却循环；根据所述薄膜沉积过程中的沉积温度的上升趋势，在所述沉积温度上升慢的步骤中设定较短的冷却时间，在所述沉积温度上升较快的步骤中设定较长的冷却时间。根据本发明的PVD系统工艺参数的优化方法，改善冷却效果，控制沉积薄膜由于温度高而引起的晶粒长大问题，改善WTW厚度控制，进而提高产品性能和良品率。
一种 pvd 系统工艺参数优化方法

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201310424885.3有效
发明人：王冲;吴秉寰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其形成方法。在所述半导体器件的外延层内，包括红光像素单元、绿光像素单元和蓝光像素单元，在所述绿光像素单元和蓝光像素单元内设置第一阻挡层，所述第一阻挡层位于绿光像素单元内的第二电子收集区域下方；在蓝光像素单元内设置第二阻挡层，所述第二阻挡层位于蓝光像素单元的第三电子收集区域下方。所述第一阻挡层和第二阻挡层可有效阻止各像素单元内的电子扩散至相邻的像素单元内，并被相邻的像素单元的电子吸收层吸收，从而避免出现造成电学串扰现象。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]芯片、其制备方法、及包括其的图像传感器-CN201410339966.8在审
发明人：刘煊杰;吴秉寰;黄河 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片、其制作方法及包括其的图像传感器。其中，芯片包括：第一芯片，设置有光电二极管以及与光电二极管相连接的第一互连金属结构；第二芯片，设置有晶体管以及与晶体管相连接的第二互连金属结构；第一芯片和第二芯片通过第一互连金属结构和第二互连金属结构连接。由于上述第一芯片中感光二极管的周围不存在晶体管结构，使得感光二极管的有效感光面积以及填充因子得到增加，进而提高了图像传感器的量子转换效率。同时，该芯片还能增加晶体管的集成度，进而使得图像传感器具有更低的功耗。
芯片制备方法包括图像传感器

[发明专利]一种半导体器件的制造方法和半导体器件-CN201410190712.4在审
发明人：冯霞;黄河;刘煊杰;张海芳;吴秉寰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过采用无机键合部件替代有机材料将半导体衬底与辅助基板键合，可以避免在后续的CVD工艺中出现气体释放的问题，从而避免对CVD膜层的生长造成干扰以及CVD膜层剥离现象的发生，因此，可以提高半导体器件的良率。本发明的半导体器件，相对于现有技术具有更高的良率。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]晶圆的分割方法-CN201410131256.6在审
发明人：郭亮良;邱慈云;吴秉寰;刘煊杰;江博渊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种晶圆的分割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干芯片区域和位于相邻芯片之间的切割道区域，所述晶圆上具有介质层；刻蚀切割道区域上的介质层和部分厚度的晶圆，在介质层和晶圆中形成若干沟槽；在所述介质层上形成胶带层，所述胶带层封闭所述沟槽开口；进行膨胀工艺，将所述晶圆沿切割道区域分裂成若干芯片。本发明的分割方法通过刻蚀工艺和膨胀工艺的结合，可以在切割道宽度较小的情况下实现晶圆的分割，分割进度较高，并且分割的成本较低，相比较于激光切割工艺节省了大约28%的制作成本。
分割方法

[发明专利]晶圆级芯片封装方法-CN201310697678.5在审
发明人：何作鹏;赵洪波;向阳辉;吴秉寰;陈怡骏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种晶圆级芯片封装方法，该封装方法包括：提供晶圆和基底，所述晶圆具有第一表面和第二表面，所述晶圆的第一表面具有导电结构；将所述晶圆的第一表面与所述基底粘结；沿所述晶圆的第二表面，在所述晶圆内形成沟槽；对所述晶圆和基底进行烘烤，所述烘烤的温度为第一温度；烘烤之后，在所述晶圆第二表面以及沟槽内形成低温氧化物层，形成所述低温氧化物层的温度为第二温度，所述第二温度小于第一温度。所述封装方法能够避免低温氧化物层从晶圆表面剥落的问题。
晶圆级芯片封装方法

[发明专利]晶圆级封装方法-CN201310675699.7在审
发明人：何作鹏;赵洪波;向阳辉;吴秉寰;陈怡骏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆级封装方法，包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括第一表面和第二表面，在所述半导体晶圆的第一表面形成凹槽；在所述半导体晶圆以及所述凹槽的底部和侧壁形成粘附辅助层；在所述粘附辅助层上形成隔绝层；沿着所述凹槽刻蚀所述隔绝层和粘附辅助层，去除所述凹槽底部的隔绝层和粘附辅助层，露出所述半导体晶圆；在所述隔绝层、所述凹槽的侧壁，以及所述凹槽底部裸露的半导体晶圆上形成金属互连线层；之后，在所述金属互连线层上形成焊盘、钝化层、焊球等结构，完成晶圆级封装。上述技术方案中，在半导体晶圆上形成一层粘附辅助层，之后，在于所述粘附辅助层上方形成所述隔绝层，从而有效提高所述隔绝层和半导体晶圆的结合强度。
晶圆级封装方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201310543011.X在审
发明人：冯霞;张海芳;刘煊杰;吴秉寰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有器件面和与所述器件面相对的背面，所述半导体衬底内具有介质层和金属衬垫层；沿所述半导体衬底的背面向器件面的方向，对所述半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底内形成通孔，且所述通孔暴露出介质层的表面；形成覆盖所述半导体衬底背面、通孔侧壁和介质层的绝缘层，且所述绝缘层位于介质层表面的厚度最薄；采用各向异性刻蚀工艺，刻蚀去除位于通孔底部的绝缘层和介质层，暴露出金属衬垫层的表面。本发明避免刻蚀去除介质层的工艺对通孔的侧壁造成损伤，改善通孔侧壁的粗糙度，从而提高半导体器件的可靠性，避免发生漏电问题。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种半导体器件的选择性刻蚀方法及BSI图像传感器制作方法-CN201310312586.0在审
发明人：王冲;吴秉寰;罗仕洲;奚民伟;常延武;史爽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本申请提供了一种选择性刻蚀方法及BSI图像传感器的制作方法。该选择性刻蚀方法包括以下步骤：用HNA溶液（HF-HNO₃-CH₃COOH）刻蚀掺杂型硅，反应预定时间后形成亚硝酸根离子浓度为C₁的刻蚀液；用该刻蚀液选择性刻蚀待刻蚀的半导体器件，其中，刻蚀待刻蚀半导体器件所需的亚硝酸根离子初始浓度为C₀，刻蚀液的C₁大于C₀，且HNA溶液为氢氟酸、硝酸及醋酸形成的混合溶液。由于本申请提供的选择性刻蚀方法具有刻蚀速率均匀的优点，将其应用到半导体器件，尤其是BSI图像传感器的选择性刻蚀时，可实现刻蚀后半导体器件的厚度均匀性。
一种半导体器件选择性刻蚀方法 bsi 图像传感器制作方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201110152388.3有效
发明人：刘煊杰;吴秉寰;谢红梅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有CMOS器件，在所述半导体衬底的上表面形成有氟硅玻璃层；在所述氟硅玻璃层上形成富硅材料层；以及在所述富硅材料层上形成MEMS器件。本发明通过在CMOS器件制作完成后，MEMS器件制作之前形成富硅材料层可以有效地解决在工艺温度超过400℃，并且保温时间较长的热处理过程中，氟聚集形成气泡而导致结构空洞和表面粗糙不平的问题，进而有效地避免了给后续工艺以及器件的性能带来的影响。
半导体器件制作方法

[发明专利]MEMS器件及其制作方法-CN201110034096.X有效
发明人：陈晓军;吴秉寰;黄河 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了MEMS器件及其制作方法，所述器件包括：位于半导体衬底上的第一层间介质层；位于所述第一层间介质层内的空腔；位于所述空腔上方的第一层间介质层内且与所述开口组合相连通的开口组合，所述开口组合包括侧壁不对齐的第一开口和第二开口，且所述第一开口和第二开口之间形成突台，所述突台被所述第二开口暴露出；悬置于所述空腔内且能与空腔进行相对运动的MEMS活动电极；第二层间介质层，位于所述第一层间介质层上；位于所述第二层间介质层内且与开口组合相连通的第三开口，且所述第三开口的位置不超过所述突台的位置；将所述第三开口填满的第三层间介质层。本发明获得的MEMS器件能够正常工作，提高了MEMS器件的可靠性。
mems 器件及其制作方法

[发明专利]承载晶圆的制作方法和承载晶圆-CN200910197669.3有效
发明人：金明伦;吴秉寰;刘煊杰;傅焕松;陈宇涵 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种承载晶圆的制作方法，包括：在晶圆表面沉积氮化硅；通过光刻工艺在沉积有氮化硅的晶圆上定义出待刻蚀区域，所述待刻蚀区域为除边缘区域以外的区域；刻蚀掉所述待刻蚀区域上的氮化硅；去除晶圆上剩余的光刻胶，并刻蚀掉所述待刻蚀区域上的指定厚度的硅衬底；去除晶圆上剩余的氮化硅。本发明同时公开了一种承载晶圆。应用本发明所述的承载晶圆，能够对生产晶圆起到很好的保护作用。
承载制作方法

[发明专利]根据氮化硅薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法-CN200710170549.5有效
发明人：汪丽燕;张苗;王科;万兴;王辉炎;吴秉寰;陈进财 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种根据薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法，此方法采用薄膜的薄膜应力重复性和再现性数据作为薄膜沉积机台校准机械手的核定标准，因为薄膜应力对于机械手的状态反应相当灵敏。特别是在其他和薄膜应力有关的参数均不可反应薄膜应力不稳定的情况时，利用本发明的方法可以将薄膜应力控制在稳定的范围之内。
根据氮化薄膜应力校准沉积机台机械手位置方法

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