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[发明专利]包含多个选择门及不同偏压条件的存储器装置-CN201780051654.9有效
发明人： 合田晃;刘海涛;李昌炫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一些实施例包含使用串联耦合于导电线与存储器装置的第一存储器单元串之间的第一及第二选择门以及串联耦合于所述导电线与所述存储器装置的第二存储器单元串之间的第三及第四选择门的设备及方法。所述存储器装置可包括第一选择线、第二选择线、第三选择线及第四选择线以在所述存储器装置的操作期间分别将第一电压、第二电压、第三电压及第四电压分别提供到所述第一选择门、所述第二选择门、所述第三选择门及所述第四选择门。所述第一电压及所述第二电压可具有相同值。所述第三电压及所述第四电压可具有不同值。
包含选择不同偏压条件存储器装置

[发明专利]使用复制数据来改善错误校正能力-CN202211657672.0在审
发明人： J·S·麦克尼尔;K·K·姆奇尔拉;S·帕塔萨拉蒂;P·哈亚特;S·桑卡拉纳拉亚南;J·宾福特;合田晃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本公开涉及使用复制数据用于改善错误校正能力。一种系统可包含存储器装置和处理装置，所述处理装置与所述存储器装置以操作方式耦合以执行包含以下各项的操作：接收待存储于所述存储器装置上的数据；在所述存储器装置的第一存储器单元集合中存储所述数据的第一副本；以及在所述存储器装置的第二存储器单元集合中存储所述数据的第二副本。所述操作还可包含：读取所述数据的所述第一副本且确定所述第一存储器单元集合中的单元的阈值电压是否在电压分布的重叠范围内；以及读取所述数据的所述第二副本且确定所述第二存储器单元集合中的单元的所述阈值电压是否在电压分布的重叠范围内。所述操作还可包含使用所述数据的所述第二副本。
使用复制数据改善错误校正能力

[发明专利]用虚设数据来同时编程弃用字线单元-CN202211649814.9在审
发明人： J·S·麦克尼尔;K·K·姆奇尔拉;S·齐尔迪克;合田晃;J·S·帕里;V·莫斯基亚诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请案涉及用虚设数据来同时编程弃用字线单元。一种系统包含存储器装置，所述存储器装置包含存储器阵列和控制逻辑，所述控制逻辑以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包含以下各项的操作：接收用虚设数据来同时编程所述存储器阵列的一组单元的一组命令，所述组单元对应于所述多个字线的弃用字线群组；响应于接收到所述组命令，获得所述虚设数据；以及通过致使联动编程脉冲施加到所述组单元，用所述虚设数据来同时编程所述组单元。
虚设数据同时编程用字单元

[发明专利]用于缓冲器的阈值电压分布调整-CN202180049923.4在审
发明人： J·S·小麦克尼尔;N·里盖蒂;C·米科利;合田晃;K·K·姆奇尔拉;J·宾福特;G·普齐利;M·A·赫尔姆;T·A·马夸特;G·戈洛夫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种方法包含根据第一阈值电压分布集将接收到的数据依序写入到存储器装置的循环缓冲器的特定位置。所述方法另外包含响应于确定已发生触发事件，通过将所述数据的所述第一阈值电压分布集调整到第二阈值电压分布集来对所述特定位置执行修整操作。所述第二阈值电压分布集与所述第一阈值电压分布集相比可在所述第二集的相邻阈值电压分布之间具有较大读取窗口。
用于缓冲器阈值电压分布调整

[发明专利]微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法-CN202180050138.0在审
发明人： 合田晃;K·R·帕雷克;A·S·叶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：一种微电子装置包括第一裸片及附接到所述第一裸片的第二裸片。所述第一裸片包括存储器阵列区，其包括：堆叠结构，其包括垂直交替的导电结构及绝缘结构；垂直延伸的存储器胞元串，其在所述堆叠结构内；及第一接合垫结构，其垂直邻近所述垂直延伸的存储器胞元串。所述第二裸片包括：控制逻辑区，其包括控制逻辑装置，所述控制逻辑装置经配置以实现所述垂直延伸的存储器胞元串的控制操作的至少一部分；第二接合垫结构，其与所述第一接合垫结构电连通；及信号路由结构，其位于所述第一裸片与所述第二裸片之间的界面处。还描述相关微电子装置、电子系统及方法。
微电子装置相关电子系统形成方法

[发明专利]存储器设备及形成存储器设备的方法-CN201811563899.2有效
发明人：李奔奔;合田晃;雷米·M·阿卜杜勒拉哈曼;伊恩·C·拉博里安特;克里希纳·K·帕拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明涉及存储器设备及形成存储器设备的方法。一些实施例包含设备及形成此类设备的方法。所述设备中的一者包含：第一存储器单元，其定位于所述设备的第一部分中的不同层中；第二存储器单元，其定位于所述设备的第二部分中的不同层中；开关，其定位于所述设备的所述第一部分与所述第二部分之间的第三部分中；第一及第二控制栅极，其存取所述第一及第二存储器单元；额外控制栅极，其定位于所述第一控制栅极与所述第二控制栅极之间以控制所述开关；第一导电结构，其具有一厚度且垂直于所述设备的所述第一部分中的所述层延伸；第一电介质结构，其在所述第一导电结构与所述第一存储器单元的电荷存储部分之间具有第一厚度；第二电介质结构，其在所述第二导电结构与所述额外控制栅极的侧壁之间具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。
存储器设备形成方法

[发明专利]微电子装置、相关电子系统及形成微电子装置的方法-CN202180049876.3在审
发明人： A·S·叶;K·R·帕雷克;合田晃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L25/11 文献下载
摘要：一种微电子装置包括第一裸片，第一裸片包括存储器阵列区，存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交错的导电结构与绝缘结构；及存储器单元的竖直延伸串，其位于堆叠结构内。第一裸片进一步包括第一控制逻辑区，第一控制逻辑区包括包含至少字线驱动器的第一控制逻辑装置。微电子装置进一步包括第二裸片，第二裸片附接到第一裸片，第二裸片包括第二控制逻辑区，第二控制逻辑区包括第二控制逻辑装置，第二控制逻辑装置包含经配置以实现存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的至少一个页缓冲器装置。还描述了相关微电子装置、电子系统及方法。
微电子装置相关电子系统形成方法

[发明专利]用于缓冲器和快照存储器的单独分区-CN202180050394.X在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;N·里盖蒂;J·S·小麦克尼尔;合田晃;T·A·马夸特;M·A·赫尔姆;G·戈洛夫;J·宾福特;C·米科利;G·普齐利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种系统包含处理装置和触发电路系统，所述触发电路系统至少部分地基于确定已发生触发事件，发信号通知所述处理装置作出响应。所述系统可另外包含以通信方式耦合到所述处理装置的存储器装置。所述存储器装置可包含具有与其相关联的第一耐久特性和第一可靠性特性的循环缓冲器分区部分。所述存储器装置可另外包含经由保持电容器耦合到所述循环缓冲器分区部分的快照分区部分。所述快照分区部分可具有与其相关联的第二耐久特性和第二可靠性特性。所述处理装置可执行包含以下操作的操作：将接收到的数据依序写入到所述循环缓冲器分区部分；和至少部分地基于所述确定已发生所述触发事件，将数据从所述循环缓冲器分区部分写入到所述快照分区部分。
用于缓冲器快照存储器单独分区

[发明专利]存储器装置中用于检测读取干扰的牺牲串-CN202211027555.6在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;V·莫斯基亚诺;合田晃;J·S·麦克尼尔;E·N·李 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置中用于检测读取干扰的牺牲串。存储器装置中的控制逻辑确定对所述存储器装置的存储器阵列的块中的多个存储器串中的第一存储器串起始串读取操作，所述块包括多个字线，其中所述多个存储器串中的每一者包括与所述多个字线相关联的多个存储器单元，且其中所述第一存储器串被指定为牺牲串。所述控制逻辑进一步使读取电压同时施加到所述存储器阵列的所述多个字线中的每一者，且在所述读取电压施加到所述多个字线中的每一者时，感测流动通过指定为所述牺牲串的所述第一存储器串的电流电平。另外，所述控制逻辑基于流动通过指定为所述牺牲串的所述第一存储器串的所述电流电平而识别所述块上是否已发生阈值水平的读取干扰。
存储器装置用于检测读取干扰牺牲

[发明专利]存储器装置的裸片上交叉温度管理-CN202211046231.7在审
发明人： K·K·姆奇尔拉;V·莫斯基亚诺;合田晃;J·S·麦克尼尔;辉俊胜;S·帕塔萨拉蒂;J·菲兹帕特里克;P·R·哈亚特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置的裸片上交叉温度管理。存储器装置中的控制逻辑接收从存储器装置的存储器阵列读取数据的请求，所述请求包括其中存储所述数据的所述存储器阵列的段的指示，且确定与所述数据相关联的写入温度是否存储在对应于所述存储器阵列的所述段的标志字节中。响应于确定与所述数据相关联的所述写入温度存储于所述标志字节中，所述控制逻辑基于所述写入温度和在接收到读取所述数据的所述请求时的读取温度来确定所述数据的交叉温度，确定与所述存储器阵列的所述段相关联的编程/擦除循环计数，且基于所述交叉温度和所述编程/擦除循环计数来确定是否执行校正动作以校准待施加于所述存储器阵列以从所述段读取所述数据的读取电压电平。
存储器装置裸片上交叉温度管理

[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN201811002213.2有效
发明人：黄广宇;刘海涛;合田晃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请涉及存储器设备及其操作方法。一些实施例包含设备和操作所述设备的方法。所述设备中的一些包含与介电材料的第一群组交错的导电材料的第一群组、延伸穿过导电材料的第一群组和介电材料的第一群组的第一柱、沿第一柱定位的存储器单元、耦合到导电材料中的一个的导电触点，以及延伸穿过导电材料的第二群组和介电材料的第二群组的第二柱。所述第二柱包含耦合到导电区的第一部分、第二部分和第三部分，以及耦合到导电触点的第四部分。所述第二部分位于第一和第三部分之间。所述第二部分具有小于第一和第四部分中的每一个的掺杂浓度的掺杂浓度。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]针对存储器装置中的命令队列的读取时间开销和电力优化-CN202210532871.2在审
发明人：河合鉱一;S·桑卡拉纳拉亚南;E·N-H·李;合田晃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本公开涉及针对存储器装置中的命令队列的读取时间开销和电力优化。一种装置包含：存储器单元阵列，其具有耦合到所述阵列的至少一个子集的第一字线；队列；和控制逻辑。所述控制逻辑：检测从所述子集的第一页读取第一数据的第一读取命令；存取所述队列中的第二读取命令，所述第二读取命令是从所述子集的第二页读取第二数据；致使施加到所述字线的电压斜升到初始值；致使所述电压移动到目标值；引导页缓冲器从耦合到所述子集的所述第一页的第一位线感测所述第一数据；引导所述页缓冲器从耦合到所述子集的所述第二页的第二位线感测所述第二数据；和致使所述字线放电。
针对存储器装置中的命令队列读取时间开销电力优化

[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关的微电子装置及电子系统-CN202080093042.8在审
发明人： K·R·帕雷克;P·泰萨里欧;合田晃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种微电子装置包括存储器阵列区、控制逻辑区及额外控制逻辑区。所述存储器阵列区包括：堆叠结构，其包括竖直交替的导电结构与绝缘结构；及位于所述堆叠结构内的存储器单元的竖直延伸串。所述控制逻辑区下伏于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的控制操作的一部分的控制逻辑装置。所述额外控制逻辑区上覆于所述堆叠结构，且包括经配置以实现所述存储器单元的竖直延伸串的所述控制操作的额外部分的额外控制逻辑装置。还描述了形成微电子装置的方法以及额外微电子装置及电子系统。
形成微电子装置方法以及相关电子系统

[发明专利]存储器装置及形成存储器装置的方法-CN202080092053.4在审
发明人：福住嘉晃;合田晃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-20 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一些实施例包含一种形成存储器装置的方法。将组合件形成为具有延伸通过交错绝缘及导电层级的堆叠并延伸到所述堆叠下方的第一材料中的沟道结构。反转所述组合件，使得所述第一材料在所述堆叠上方，且使得所述沟道结构的第一区域在所述堆叠下方。将所述第一区域中的至少一些与控制电路系统电耦合。移除所述第一材料中的至少一些，且暴露所述沟道结构的第二区域。邻近所述沟道结构的所述经暴露第二区域形成导电掺杂半导体材料。将掺杂剂从所述导电掺杂半导体材料向外扩散到所述沟道结构中。一些实施例包含存储器装置(例如NAND存储器组合件)。
存储器装置形成方法

[发明专利]在具有堆叠存储器阵列的存储器中的驱动器放置-CN201980089136.5有效
发明人：刘海涛;卡迈勒·M·考尔道;G·S·桑胡;S·D·唐;合田晃;徐丽芳 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种存储器可具有堆叠存储器阵列，所述堆叠存储器阵列可具有存储器单元的多个层级。存储器单元的每一相应层级可共同耦合到相应存取线。多个驱动器可位于所述堆叠存储器阵列上方。每一相应驱动器可具有单晶半导体，其具有耦合到相应存取线的导电区域。
具有堆叠存储器阵列中的驱动器放置

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