专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910435461.4有效
  • 刘继全 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-05-23 - 2023-05-26 - H01L21/033
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:在所述掩膜层内形成第一开口,所述第一开口沿第一方向贯穿第一区上的掩膜层,且所述第一开口暴露出若干所述待刻蚀层的第一区表面;分别在第二区的掩膜层表面形成牺牲层,且所述牺牲层内具有第二开口,所述第二开口沿第一方向贯穿所述牺牲层;在所述第一区的第一开口内、第二开口内、牺牲层侧壁和顶部表面、以及掩膜层表面形成初始牺牲膜,且所述初始牺牲膜填充满所述第一开口和第二开口;回刻蚀所述初始牺牲膜,直至暴露出牺牲层顶部表面和掩膜层表面为止,在所述第一开口内形成第一分割段,在所述第二开口内形成第二初始分割段,在牺牲层侧壁表面形成牺牲侧墙。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111392098.6在审
  • 刘继全 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-11-23 - 2023-05-23 - H01L21/768
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,所述基底包括第一介电层,所述第一介电层中形成有贯穿所述第一介电层的第一互连结构;在所述第一互连结构的顶部形成盖帽层;形成所述盖帽层之后,在所述第一介电层和盖帽层的顶部形成应力缓冲层;在所述应力缓冲层的顶部形成第二介电层;形成所述第二介电层之后,在所述第一互连结构的顶部形成贯穿所述第二介电层、应力缓冲层和盖帽层的第二互连结构,所述第二互连结构的底部与所述第一互连结构的顶部电连接。所述应力缓冲层降低了所述第一互连结构和盖帽层、与所述第二介电层之间出现分层或者出现空隙的概率,进而提高了所述半导体结构的性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [外观设计]显示屏幕面板的量子信息数据采集和处理的图形用户界面-CN202230537208.2有效
  • 钱泳君;刘继全;王风云;李杨;李芳婷;安雪碧;宋红岩;章丽 - 合肥量芯科技有限公司
  • 2022-08-17 - 2023-05-16 - 14-04
  • 1.本外观设计产品的名称:显示屏幕面板的量子信息数据采集和处理的图形用户界面。2.本外观设计产品的用途:显示信息和实验结果及运行程序。3.本外观设计产品的设计要点:在于本外观设计产品显示屏幕面板中显示的图形用户界面的界面内容。4.最能表明设计要点的图片或照片:主视图。5.图形用户界面的用途:量子纠缠、量子信息等领域实验教学的实验数据采集和处理的内容进行可视化展示。6.图形用户界面的人机交互方式:点击。7.图形用户界面的变化状态说明:主视图是开机界面,依次点击主视图中“量子纠缠仿真实验室”、“光学器件校准”、“纠缠源特性测量”、“扩展实验模块”图标后依次进入界面变化状态图1、界面变化状态图3、界面变化状态图5、界面变化状态图10;点击界面变化状态图1左侧菜单栏中的“偏振片”、“波片”、“干涉曲线”、“S值计算”、“保真度计算”、“系统控制”、“单光子干涉”、“双光子干涉”图标后依次进入界面变化状态图2、界面变化状态图3、界面变化状态图5、界面变化状态图6、界面变化状态图7、界面变化状态图8、界面变化状态图10、界面变化状态图11,不同界面分别对应不同实验内容的实验数据采集和处理页面;点击界面变化状态图3中的“四分之一波片”图标后进入界面变化状态图4;点击界面变化状态图8中右上角的悬浮按钮,进入界面变化状态图9;点击界面变化状态图9中的“保真度计算”按钮,进入界面变化状态图12,点击界面变化状态图12中右下角的“版权所有”左边按钮,进入界面变化状态图13,用于显示在无外置硬件键盘的情况下使用数字键盘进行点击输入。8.其他需要说明的情形其他说明:该显示屏幕面板可用于手机、电脑、平板。
  • 显示屏幕面板量子信息数据采集处理图形用户界面
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111277423.4在审
  • 刘继全 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-10-29 - 2023-05-05 - H01L23/48
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:衬底,衬底包括第一区和第二区;位于衬底上的第一介质结构;位于第一介质结构上的第二刻蚀停止层,第二刻蚀停止层内具有第一开口;位于第一开口内和第二刻蚀停止层上的第二介质层;位于第一介质结构和第二介质层内的第二开口;位于第二介质层内的第三开口;位于第二开口内的第二导电插塞;位于第三开口内的第三导电插塞。由于选择性金属生长工艺中采用金属不易扩散,进而在形成第二导电插塞和第三导电插塞之前不需要再形成阻挡层。另外,第二开口为整体结构,使得位于第一介质结构内的第二导电插塞和位于第二介质层内的第二导电插塞的连接性更好,进而降低了第二导电插塞自身内部的接触电阻。
  • 半导体结构及其形成方法

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