专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310462716.2有效
  • 郭帅;刘忠明;赵彬 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-04-26 - 2023-09-19 - H10B43/35
  • 本公开提供了一种半导体结构及其形成方法,涉及半导体技术领域。该形成方法包括:提供衬底,在衬底上形成叠层结构;在叠层结构内形成沟道孔;在沟道孔内形成第一半导体层;对第一半导体层进行离子掺杂,以使第一半导体层内的离子掺杂浓度沿第一方向递减,第一方向为垂直于第一半导体层的侧壁且由第一半导体层的侧壁指向沟道孔的侧壁方向;在第一方向上减薄第一半导体层,以形成第一沟道层。本公开提供的形成方法可以控制第一沟道层内的离子掺杂浓度,进而控制流经器件的电流大小,提高了器件的性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110417769.3有效
  • 于业笑;曹新满;张家云;陈龙阳;刘忠明;方嘉;武宏发 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-04-19 - 2023-08-29 - H10B12/00
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤:提供衬底,所述衬底内具有位线接触区,所述衬底上具有位线材料层以及覆盖于所述位线材料层表面的掩模层,所述掩模层中具有若干刻蚀沟槽;沿所述刻蚀沟槽刻蚀所述位线材料层,形成多条位线以及位于相邻所述位线之间的分隔槽;于所述分隔槽内形成覆盖所述位线表面的活性层,所述活性层至少背离所述位线的一侧具有疏水性;清洗所述分隔槽;除去所述活性层,暴露所述位线。本发明防止了因清洗液的冲刷导致的位线倾斜或者坍塌,提高了位线结构的稳定性。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]一种海参蛋白肽原浆的制造方法-CN202310387016.1在审
  • 江新辉;江铭福;刘忠明;江敏;平少华;蓝登杭;刘海霞;温海兰 - 福建大众健康生物科技有限公司
  • 2023-04-12 - 2023-08-11 - C12P21/06
  • 本发明公开了一种海参蛋白肽原浆的制造方法,包括第一步:冷消杀、第二步:生物酶解、第三步:添加蛋白辅料、第四步:生物发酵、第五步:升温灭活和第六步:均质过滤罐装,本发明设计科学合理,采取生物酶技术与生物发酵技术,规避了高温蒸煮消毒和化学水解工艺路线,形成环境友好、绿色环保的工艺特点,全部保存了有效营养物质不被破坏,发挥了生物酶解温和快速的特点,采取生物酶解与生物发酵一体化连续进行的方式,既通过生物酶解发酵技术去除水产品普遍的腥味问题,又规避了化学水解法对产品及环境的破坏和压力,整个工艺设计充分体现出生物技术的优势,简化了操作程序,使工艺过程流畅,节约能源,提高工作效率。
  • 一种海参蛋白原浆制造方法
  • [实用新型]一种建筑玻璃幕墙的连接结构-CN202320442658.2有效
  • 刘忠明 - 淮厦集团有限公司
  • 2023-03-10 - 2023-08-11 - E04B2/88
  • 本实用新型涉及建筑技术领域,具体为一种建筑玻璃幕墙的连接结构,包括玻璃幕墙本体、竖梁和横梁,玻璃幕墙本体的顶面设置有竖梁和横梁,竖梁的顶端设置有安装柱,安装柱的外表面固定安装有四组连接杆,四组连接杆的一端均固定安装有固定柱,四组连接杆的对应一侧外表面均与对应连接板的对应一端固定,四组固定柱的内部均开设有放置槽,四组放置槽的顶端内壁均固定安装有电动推杆,四组电动推杆的输出端均固定安装有安装块,四组安装块的底端均固定安装有固定杆。四组玻璃吸盘的设置可对玻璃幕墙本体进行吸附固定,又因为四组玻璃吸盘是以安装柱为中心,呈中心对称设置,故四组玻璃吸盘可最大限度的对玻璃幕墙本体进行吸附固定。
  • 一种建筑玻璃幕墙连接结构
  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310850465.5在审
  • 于业笑;马宏;刘忠明 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-07-12 - 2023-08-08 - H10B12/00
  • 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括衬底和第一位线立柱;第一位线立柱位于衬底上,其包括沿衬底的厚度方向依次叠置的第一介电层、第一绝缘层及第一接触层,第一绝缘层与衬底相邻;其中,第一绝缘层具有第一预设厚度,且第一预设厚度关联于第一介电层、第一绝缘层及第一接触层的厚度和;第一绝缘层的顶面沿第一方向的长度与第一绝缘层的底面沿第一方向的长度比为第一目标值;第一方向、第一绝缘层的顶面和底面均与厚度方向垂直;以改善位线立柱的垂直程度,并减小寄生电容,提升存储结构的整体性能。
  • 半导体结构及其制备方法

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