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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110417769.3有效
发明人：于业笑;曹新满;张家云;陈龙阳;刘忠明;方嘉;武宏发 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底内具有位线接触区，所述衬底上具有位线材料层以及覆盖于所述位线材料层表面的掩模层，所述掩模层中具有若干刻蚀沟槽；沿所述刻蚀沟槽刻蚀所述位线材料层，形成多条位线以及位于相邻所述位线之间的分隔槽；于所述分隔槽内形成覆盖所述位线表面的活性层，所述活性层至少背离所述位线的一侧具有疏水性；清洗所述分隔槽；除去所述活性层，暴露所述位线。本发明防止了因清洗液的冲刷导致的位线倾斜或者坍塌，提高了位线结构的稳定性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体存储器及其形成方法-CN202110294504.9有效
发明人：于业笑;刘忠明;方嘉;陈龙阳;武宏发 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器及其形成方法。所述半导体存储器的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括存储区域以及位于所述存储区域外部的外围区域，所述存储区域具有多个位线接触部和多个电容接触部、所述外围区域具有外围栅极接触部和外围电路接触部；形成多条位线、并同时形成外围栅极；形成位线隔离层、并同时形成外围栅极隔离层；形成与所述电容接触部接触的第一电容导电层、并同时形成与所述外围电路接触部接触的第一外围导电层；于所述位线隔离层内形成第一空气隙、并同时于所述外围栅极隔离层内形成第二空气隙。本发明简化了半导体存储器的制造步骤，并极大的降低了位线和外围栅极的寄生电容。
半导体存储器及其形成方法

[发明专利]存储器件、半导体结构及其形成方法-CN202110501882.X在审
发明人：陈龙阳;刘忠明;武宏发;吴公一 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器件、半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该形成方法包括：提供衬底，衬底具有阵列区；在阵列区上形成多个间隔分布的位线结构，每个位线结构上均形成有覆盖层，覆盖层的侧壁依次形成有第一绝缘层和第二绝缘层，相邻两个位线结构的第二绝缘层之间填充有导电接触层；对导电接触层及第二绝缘层进行蚀刻处理，以使导电接触层及第二绝缘层的顶部均低于覆盖层的表面并高于位线结构的表面；对第一绝缘层进行选择性蚀刻，以使第一绝缘层的顶部与导电接触层及第二绝缘层的顶部齐平；对导电接触层进行回蚀刻处理，以在相邻两个位线结构的覆盖层之间形成电容接触孔。本公开的形成方法可降低短路风险，提高产品良率。
存储器件半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202210700296.2在审
发明人： 武宏发;夏军;孙耀;杨丽辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，其中，半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在衬底的表面形成第一介质层；基于第一掩膜层定义的第一图案刻蚀第一介质层，暴露衬底的部分表面；在第一介质层的表面和暴露出的衬底的部分表面形成保护层；在保护层的表面形成第二介质层；基于第二掩膜层定义的第二图案刻蚀第二介质层和保护层，形成多个第一接触孔，第一接触孔暴露衬底的目标区域，第二图案在衬底上的投影与第一图案在衬底上的投影重合。本公开的半导体结构的形成方法中，通过保护层对刻蚀后的第一介质层进行形状保护，防止二次刻蚀对第一介质层形成过度损耗，解决了接触孔的关键尺寸变大的问题。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202110334039.7在审
发明人：刘忠明;陈龙阳;武宏发 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体器件的衬底上形成间隔的多个位线结构，多个位线结构沿第一方向延伸；在多个位线结构之间形成牺牲层；将半导体器件置于蚀刻装置的反应腔室中；向反应腔室中释放碳源气体，并提供交变电场，使碳源气体解离生成等离子体碳源；控制等离子体碳源沉积至位线结构的顶面，形成碳保护层；蚀刻牺牲层以及部分衬底，形成存储节点接触孔；去除碳保护层。本发明的半导体器件的制造方法，在蚀刻形成存储节点接触孔后，由于碳保护层的保护，位线结构并未受到损坏，尺寸不会出现偏差，保证了半导体器件的尺寸精度，并且提高了半导体器件的良率。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202210717850.8在审
发明人： 武宏发;夏军;孙耀;佟璐;薛晖 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一介质层，覆盖衬底的表面；在第一介质层的表面形成阻挡层，在阻挡层的表面形成第二介质层；基于图形化的掩膜层依次刻蚀第二介质层、阻挡层以及第一介质层，形成接触孔，其中，在刻蚀过程中，阻挡层的刻蚀速率小于第二介质层的刻蚀速率。本公开的半导体结构的形成方法中，解决了接触孔的底部的关键尺寸变大的问题，从而形成比较符合设计要求的关键尺寸的接触孔。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202210717860.1在审
发明人： 武宏发;夏军;孙耀;金永跃;李昊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，其中，半导体结构的形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一介质层；在第一介质层的顶面形成掺杂层，掺杂层的靠近第一介质层的一侧的掺杂离子浓度大于掺杂层的远离第一介质层的一侧的掺杂离子浓度；在掺杂层的表面形成第二介质层；基于图形化的掩膜层采用相同的等离子刻蚀工艺依次刻蚀第二介质层、掺杂层和第一介质层，暴露基底的表面的目标区域，形成多个接触孔。本公开的半导体结构的形成方法中，通过以在垂直于基底，且距离基底由远及近的方向上，形成硬度逐渐减小的掺杂层，以降低掺杂层中形成的孔的深宽比，有利于改善甚至消除刻蚀不足的现象。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN202210700271.2在审
发明人： 武宏发;夏军;孙耀;崔静思 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，其中，半导体结构的形成方法包括：提供半导体基底，在半导体基底的表面形成介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀介质层，在介质层中形成具有第一深度的第一通孔，第一通孔的底部尺寸大于参考关键尺寸；在第一通孔的底壁和侧壁形成牺牲介质层；采用第二刻蚀工艺刻蚀牺牲介质层和位于牺牲介质层下方的介质层，形成接触孔，接触孔暴露半导体基底的部分表面。本公开的半导体结构的形成方法中，不仅可以消除高深宽比的接触孔出现的刻蚀不足的现象，同时还解决了接触孔的底部的关键尺寸变大的问题，以形成比较符合设计要求的关键尺寸的接触孔。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法以及半导体结构-CN202011173598.6在审
发明人：陈龙阳;武宏发;吴公一 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，其中，半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括相邻排列的接触区和虚拟区，基底上形成有分立排布的第一位线结构和第一介质层，第一位线结构与第一介质层围成分立的电容接触开口；形成填充电容接触开口的第一牺牲层；在虚拟区中，去除部分高度的第一位线结构、部分高度的第一介质层和部分高度的第一牺牲层，形成位于第二位线结构、第二介质层和第二牺牲层顶部的第一开口；形成填充第一开口的绝缘层在接触区中，去除第一牺牲层，形成第二开口；形成位于第二开口中的电容接触结构，本发明实施例避免了随着关键尺寸的微缩，电容接触垫的导线短路问题。
半导体结构形成方法以及

[发明专利]半导体结构的形成方法以及半导体结构-CN202011176293.0在审
发明人：陈龙阳;武宏发;吴公一 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，其中，半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括相邻排列的接触区和虚拟区，基底上形成有分立排布的位线结构和介质层，且介质层的延伸方向与位线结构的延伸方向相交，位线结构与介质层围成分立的电容接触开口；形成填充电容接触开口的牺牲层；在接触区中，去除牺牲层，形成第二开口；形成填充第二开口的底导电层；在虚拟区中，去除部分高度的牺牲层，形成第一开口；形成填充第一开口的绝缘层；形成位于第二开口中的电容接触结构，本发明实施例避免了随着关键尺寸的微缩，电容接触垫的导线短路问题。
半导体结构形成方法以及

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