专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于动态图像识别的人工智能系统-CN201710177574.X有效
  • 向勇;兰洵;吴露 - 成都零一智慧科技有限公司
  • 2017-03-23 - 2023-06-23 - G07C9/00
  • 本发明公开了一种基于动态图像识别的人工智能系统,其特征在于:主要由微处理器,均与微处理器相连接的储存模块、图像信号处理单元、蜂鸣器、显示屏、驱动器和电源,以及与图像信号处理单元相连接的图像采集器组成。本发明的图像信号处理单元能对图像采集器所采集的图像信号进行快速、准确的处理,使信号更稳定、更准确;本发明的微处理器能根据图像信号处理单元所传输的信号进行分析和比对,该微处理器并能通过分析和比对结果输出准确的控制信号,从而确保本发明输出的控制信号的准确性,有效的消除了门禁给人们带来的安全隐患。
  • 一种基于动态图像识别人工智能系统
  • [发明专利]一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法-CN202111165312.4有效
  • 兰洵;李扬 - 西安奕斯伟材料科技股份有限公司
  • 2021-09-30 - 2023-05-05 - C30B15/20
  • 本发明实施例公开了一种氮掺杂单晶硅棒的制备方法及氮掺杂单晶硅棒,所述制备方法包括:基于基准氮掺杂单晶硅棒切割成样品硅片后,选取多个待检测硅片,并评估所述多个待检测硅片的缺陷区域分布;基于所述多个待检测硅片的缺陷区域分布,确定所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置;在当前氮掺杂单晶硅棒的制备过程中,在所述基准氮掺杂单晶硅棒中各缺陷区域分布的位置处按照设定的各缺陷区域对应的目标提拉速率进行提拉以制备得到所述当前氮掺杂单晶硅棒。
  • 一种掺杂单晶硅制备方法
  • [发明专利]一种太阳能电池分选设备-CN201911214738.7有效
  • 马丁格林;林应斌;芶富均;兰洵 - 徐州日托光伏科技有限公司
  • 2019-12-02 - 2022-03-22 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种太阳能电池分选设备,包括安装箱,所述安装箱顶端一侧设置有操作箱,所述安装箱顶端另一侧设置有大料仓,所述大料仓前表面设置有分选箱,所述分选箱底端位于安装箱顶端表面,所述分选箱两侧均设置有出料导槽,所述安装箱一侧底端设置有第一气源管,所述第一气源管一端分别设置有密封垫以及第二固定环,所述第二接头贯穿第二固定环,所述密封垫一侧分别设置有第一固定环以及第一接头,所述第一接头贯穿第一固定环,所述第一固定环一侧开设有密封槽,所述第二固定环外侧设置有连接套;通过在第二接头与第一接头连接处外侧加装连接套,便于了工作人员将第一气源管与第二气源管对接,提升了工作人员组装分选设备的工作效率。
  • 一种太阳能电池分选设备
  • [发明专利]氮掺杂P型单晶硅制造方法-CN202111153124.X在审
  • 徐鹏;兰洵 - 西安奕斯伟材料科技有限公司
  • 2021-09-29 - 2022-01-04 - C30B15/04
  • 本发明实施例公开了一种氮掺杂P型单晶硅制造方法,包括:将高掺杂氮单晶与多晶硅投入坩埚并加热拉晶炉,得到第一硅熔体;向所述第一硅熔体加入高掺杂硼单晶,得到第二硅熔体;在所述第二硅熔体中以直拉法拉制氮掺杂P型单晶硅。根据本发明的氮掺杂P型单晶硅制造方法,使得氮和硼在较低的炉室温度下完全融入硅熔体,解决了炉室温度高,加热时间久的技术问题。同时,改变高掺杂硼单晶和高掺杂氮单晶的熔融顺序,以抑制氮化硼(BN)的形成导致拉晶失败的情况发生。
  • 掺杂单晶硅制造方法
  • [发明专利]一种切割装置和晶棒的切割方法-CN201910340131.7有效
  • 兰洵;全铉国;陈光林 - 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
  • 2019-04-25 - 2021-12-24 - B28D5/00
  • 本发明提供一种切割装置和晶棒的切割方法,切割装置包括:承载台,用于承载待切割的晶棒,承载台上设置有用于旋转和/或偏转晶棒的调整机构;检测机构,用于检测晶棒的晶向偏角;切割机构,用于切割晶棒;移动机构,用于移动承载台;控制机构,用于根据检测结果控制调整机构调整晶棒至预设晶向偏角,移动机构移动承载台使晶棒至预设位置后,控制切割机构切割晶棒。根据本发明的切割装置,通过调整机构来调节晶棒的晶向偏角,根据检测结果调整晶棒至预设晶向偏角,使得硅块的切割面与物理晶向保持垂直,再控制切割机构切割晶棒,提高切割质量,提高硅块切割成硅片时硅片表面的质量,确保在切割硅块时硅块的晶向偏角在控制范围内。
  • 一种切割装置方法

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