|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 427个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]量子计算机用半导体装置的制造方法-CN202180046661.6在审
-
大槻刚;竹野博
-
信越半导体株式会社
-
2021-05-26
-
2023-03-28
-
B82Y40/00
- 本发明是一种量子计算机用半导体装置的制造方法，量子计算机用半导体装置具备：半导体基板、在所述半导体基板上形成的量子计算机用元件、以及在所述半导体基板上形成且连接于所述量子计算机用元件的周边电路，量子计算机用半导体装置作为量子计算机使用，量子计算机用半导体装置的制造方法的特征在于，包含以下工序：在所述半导体基板上形成所述量子计算机用元件以及所述周边电路；通过向所述半导体基板中的至少量子计算机用元件形成部以及周边电路形成部照射粒子束，从而使半导体基板中的载流子惰性化。由此，提供一种能够制造3HD特性优异的量子计算机用半导体装置的、量子计算机用半导体装置的制造方法。
- 量子计算机半导体装置制造方法
- [发明专利]检测设备和检测方法-CN201780015683.X有效
-
近藤忠夫;中村寿人
-
信越半导体株式会社;射线研究株式会社
-
2017-02-20
-
2023-03-28
-
H01L21/66
- 检测设备（1）包括照射装置（3）、光电二极管（4）和评价部（5）。照射装置（3）对衬底（W）的外表面照射激光。激光通过衬底（W）的外表面而反射的光射入光电二极管（4），该光电二极管（4）检测该光射入的第1位置（P1）。评价部（5）有计算部和检测部。计算部根据第1位置（P1）和在激光通过平坦的衬底（W）的外表面而反射时光射入光电二极管（4）中的第2位置（P2）来计算衬底（W）的外表面的倾斜度。检测部根据计算部计算的倾斜度，检测形成于衬底（W）的表面上的缺陷。由此，提供可根据对象物外表面的倾斜度，检测形成于该对象物外表面上的缺陷的检测设备和检测方法。
- 检测设备方法
- [发明专利]半导体晶圆的清洗方法-CN201880019193.1有效
-
五十岚健作;阿部达夫
-
信越半导体株式会社
-
2018-03-05
-
2023-03-28
-
H01L21/304
- 本发明为一种半导体晶圆的清洗方法，该方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中，且从所述氢氟酸槽拉出之后，将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗，其特征在于，至少从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆完全浸渍于所述臭氧水为止，以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。由此，提供在将半导体晶圆浸渍于氢氟酸而清洗后浸渍于臭氧水进行清洗的方法中，能够防止微粒等异物的残留及已除去的异物的再附着的半导体晶圆的清洗方法。
- 半导体清洗方法
- [发明专利]硅晶圆的评价方法及硅晶圆的制造方法-CN201880055612.7有效
-
五十岚健作;阿部达夫
-
信越半导体株式会社
-
2018-08-20
-
2023-03-14
-
H01L21/66
- 本发明为一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，其包含：预先对所述硅晶圆进行表面缺陷测定的预表面缺陷测定工序；对所述硅晶圆交替地重复利用臭氧水的氧化处理、及在不完全去除形成于所述硅晶圆表面的氧化膜的条件下利用氢氟酸的氧化膜去除处理的清洗工序；及对该清洗工序后的所述硅晶圆进行表面缺陷测定，测定相对于所述预表面缺陷测定工序中测定的缺陷而增加的增加缺陷的增加缺陷测定工序，该评价方法中，交替地重复所述清洗工序与所述增加缺陷测定工序多次，基于各清洗工序后的所述增加缺陷的测定结果来评价所述硅晶圆。由此，提供一种硅晶圆的评价方法，该评价方法能够仅对排除了起因于结晶的缺陷及在清洗等中产生的颗粒等的、起因于抛光等加工的缺陷进行评价。
- 硅晶圆评价方法制造
- [发明专利]基板晶圆的制造方法及基板晶圆-CN202180035510.0在审
-
多贺稜;田中佑宜
-
信越半导体株式会社
-
2021-03-17
-
2023-01-31
-
H01L21/304
- 本发明是一种基板晶圆的制造方法，包含如下步骤：准备具有第一主面及第二主面的晶圆；在第二主面上形成平坦化树脂层；将平坦化树脂层作为基准面而吸附保持，在该状态下，作为第一加工，对第一主面进行研削或研磨；从晶圆去除平坦化树脂层；将经第一加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第二加工，对第二主面进行研削或研磨；将经第二加工的第二主面吸附保持，在该状态下，作为第三加工，对第一主面进一步进行研削或研磨；以及将经第三加工的第一主面吸附保持，在该状态下，作为第四加工，对第二主面进一步进行研削或研磨，获得基板晶圆；在第一加工和/或第三加工中，以使晶圆具有中凹状或中凸状的厚度分布的方式进行加工。由此，能够提供一种可制造具有翘曲且纳米形貌良好的基板晶圆的基板晶圆的制造方法。
- 基板晶圆制造方法
- [发明专利]半导体基板的热氧化膜形成方法-CN202180035761.9在审
-
大槻刚;阿部达夫
-
信越半导体株式会社
-
2021-03-10
-
2023-01-31
-
H01L21/316
- 本发明涉及一种半导体基板的热氧化膜形成方法，其具有下述工序：相关关系获取工序，其中，预先准备由清洗而形成的化学氧化膜的构成各不相同的多个半导体基板，在相同的热氧化处理条件下进行热氧化处理从而形成热氧化膜，求出化学氧化膜的构成与热氧化膜的厚度的相关关系；清洗条件确定工序，其中，根据在相关关系获取工序中得到的相关关系，以使形成于半导体基板的热氧化膜的厚度为规定厚度的方式确定化学氧化膜的构成，并同时确定形成具有确定出的化学氧化膜的构成的化学氧化膜的清洗条件；基板清洗工序，其中，在所确定的清洗条件下对半导体基板进行清洗；热氧化膜形成工序，其中，对于进行了清洗的所述半导体基板，在与相关关系获取工序中的热氧化处理条件相同的条件下，对半导体基板进行热氧化处理，在所述半导体基板表面形成热氧化膜。由此，能够再现性良好地将热氧化膜形成为如预期的膜厚。
- 半导体氧化形成方法
- [发明专利]晶圆的制造方法-CN201880016747.2有效
-
中谷友哉
-
信越半导体株式会社
-
2018-02-27
-
2023-01-03
-
H01L21/304
- 本发明提供一种晶圆的制造方法，该方法包含晶圆周缘部的倒角加工、主要面的研磨或双面磨削加工、蚀刻加工、主要面的镜面抛光加工以及倒角部的镜面抛光加工的各步骤，其中，倒角部的截面形状由以下所构成：与第一主要面连续的第一倾斜部、与第一倾斜部连续且曲率半径R1的第一圆弧部、与第二主要面连续的第二倾斜部、与第二倾斜部连续且曲率半径R2的第二圆弧部、以及连接第一圆弧部及第二圆弧部的端部，其中，在倒角加工中，将R1及R2加工为与产品晶圆中的R1及R2的目标值范围内相比更小，在倒角部的镜面抛光加工中，将R1及R2加工为在产品晶圆中的R1及R2的目标值范围内。由此，提供能够抑制由于蚀刻产生的倒角截面形状的圆周方向参差的晶圆的制造方法。
- 制造方法
|
