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[发明专利]SOI晶圆的制造方法-CN201880038871.9有效
发明人：阿贺浩司 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有对SOI晶圆实施牺牲氧化处理而对SOI层进行减厚调节的工序，其特征在于，实施牺牲氧化处理的SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布，通过使用立式热处理炉，组合非旋转氧化及旋转氧化进行牺牲氧化处理的热氧化，由此以抵消SOI层的单侧流动形状的膜厚分布的方式，在SOI层的表面形成具有单侧流动形状的膜厚分布的热氧化膜，去除该形成的热氧化膜，从而制造具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层的SOI晶圆。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其通过对具有单侧流动形状的SOI层膜厚分布的SOI晶圆实施牺牲氧化处理，使SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层。
soi 制造方法

[发明专利]接合型晶圆的制造方法-CN202310217186.5在审
发明人：石崎顺也;秋山智弘 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种接合型晶圆的制造方法，其能够减少因BCB(苯并环丁烯)的热固性不良而产生的外延层的不良部分。本发明的接合型晶圆的制造方法是隔着苯并环丁烯将含P(磷)的外延晶圆与待接合晶圆接合的接合型晶圆的制造方法，该制造方法的特征在于，使用具备起始基板与外延层的外延晶圆作为所述外延晶圆，所述起始基板具有第一面及与所述第一面相反一侧的第二面，所述外延层形成在所述起始基板的所述第一面上且含有磷，将在外延生长过程中绕至所述外延晶圆的所述起始基板的所述第二面而于该面析出的析出物后，进行所述苯并环丁烯的热固化。
接合型晶圆制造方法

[发明专利]单晶提拉装置和单晶提拉方法-CN202180091308.X在审
发明人：镰田洋之;高野清隆 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶提拉装置，具备：具有中心轴的提拉炉；以及设置于提拉炉周围且具有线圈的磁场产生装置，该单晶提拉装置对熔融的半导体原料施加水平磁场，抑制坩埚内的对流，其特征在于，具备主线圈和副线圈，设置有2组相对配置的线圈对作为主线圈，该主线圈的2个线圈轴包含于相同的水平面内，夹着水平面内的中心轴上的磁场线方向即X轴的2个线圈轴间的中心角度α为100度以上120度以下，并且设置有1组相对配置的超导线圈对作为副线圈，该副线圈的1个线圈轴与X轴一致，主线圈与副线圈能够独立地设定电流值。由此，提供一种单晶提拉装置和单晶提拉方法，其能够制造低氧浓度的单晶，并且能够在相同装置中高速地培育通常氧浓度的无缺陷区域单晶。
单晶提拉装置方法

[发明专利]硅晶圆的边缘形状的评价方法及评价装置、硅晶圆、及其筛选方法及制造方法-CN201880053033.9有效
发明人：樱田昌弘;小林诚;小林武史;金谷晃一 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶圆的边缘形状评价方法，定义径向基准(L1)、径向基准(L2)、交点(P1)、高度基准面(L3)、h1[μm]、h2[μm]、点(Px3)、直线(Lx)、角(θx)、点(Px0)、δ[μm]、点(Px1)、半径(Rx[μm])作为晶圆截面的形状参数，此时测量硅晶圆的边缘形状，设定h1、h2及δ的形状参数值，基于边缘形状的测量数据，按照定义计算Rx及θx的形状参数，根据计算出的Rx及θx判定硅晶圆的边缘形状而进行评价。由此，提供能够预先防止在例如使用光阻材的成膜处理中发生生成膜破裂的问题的、硅晶圆的边缘形状的评价方法。
硅晶圆边缘形状评价方法装置及其筛选制造

[发明专利]外延晶圆的制造方法-CN202180088195.8在审
发明人：铃木克佳 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延晶圆的制造方法，是在单晶硅晶圆上形成单晶硅层的外延晶圆的制造方法，包含以下工序：通过氢氟酸将所述单晶硅晶圆表面的自然氧化膜去除；在已去除所述自然氧化膜的所述单晶硅晶圆的表面形成氧原子层；以及在形成有所述氧原子层的所述单晶硅晶圆的表面上使所述单晶硅层外延生长，其中，使所述氧原子层的氧的平面浓度为1×1015atoms/cm2以下。由此，提供一种能够将氧原子层稳定且简便地导入至外延层，且具有优质的单晶硅外延层的外延晶圆的制造方法。
外延制造方法

[发明专利]晶圆清洗处理装置及晶圆清洗方法-CN201980007004.3有效
发明人：五十岚健作;阿部达夫 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆清洗处理装置，其将晶圆保持于配置在腔体内且能够旋转的台座之上，一边使所述晶圆旋转一边通过药液对所述晶圆进行清洗处理，其特征在于，所述腔体具备向腔体内供给气体的供气部及将气体排出的排气部；所述晶圆清洗处理装置包括：杯部，能够上下移动，配置为围绕保持所述晶圆的台座，且捕捉从旋转的晶圆甩飞的清洗后的药液；以及遮蔽板，配置于该杯部的外侧，从所述腔体的内壁向内侧延伸且为具有中央孔的形状。由此，提供一种在杯部上升及下降时使气体的流路不大幅变化且将腔体内的压力维持于固定的晶圆清洗处理装置及晶圆清洗方法。
清洗处理装置方法

[发明专利]单晶的制造方法-CN201980072061.X有效
发明人：永井直树;渡边一德;铃木聪;儿玉义博 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种基于FZ法的单晶的制造方法，其利用感应加热线圈对原料晶棒进行加热熔融而形成悬浮区域，并使上侧的原料晶棒及下侧的单晶棒相对于感应加热线圈一边旋转一边相对地下降，使悬浮区域移动来生长单晶棒，其特征在于，具有：测量工序，当在结晶生长途中停止生长并结束单晶的制造时，测量剩余的原料晶棒的重量；判定工序，计算利用剩余的原料晶棒能够制造的单晶主体部的理论成品率，并确定能够再制造的单晶的最大直径，或确定不制造单晶；以及再制造工序，在确定了能够再制造的单晶的最大直径的情况下，再制造单晶。由此，提供一种单晶的制造方法，其在使结晶生长在途中停止的情况下，通过有效利用剩余的原料晶棒而抑制了成品率降低。
制造方法

[发明专利]复合寿命的控制方法-CN201880084042.4有效
发明人：竹野博 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供一种复合寿命的控制方法，其通过进行由利用FZ法培养的掺氮硅单晶准备硅单晶基板的工序；实施热处理的热处理工序A；对硅单晶基板照射粒子束的粒子束照射工序；及对硅单晶基板进行热处理的热处理工序B，从而控制硅单晶基板的载流子的复合寿命，该方法的特征在于，在热处理工序A中，根据在准备工序中准备的硅单晶基板的氧浓度Co，使硅单晶基板中的氮向外扩散，从而调节硅单晶基板的氮浓度Cn，然后，进行粒子束照射工序。由此，能够确实地减小起因于掺氮FZ硅单晶基板的复合寿命的偏差，能够以高精度控制复合寿命。
复合寿命控制方法

[实用新型]剥离系统及制造系统-CN202222549967.8有效
发明人：石崎顺也;山田雅人;小川敬典 -专利权人： 信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型包括一种剥离系统及制造系统。接合型晶片的剥离系统从接合型晶片剥离支撑体。接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合，接合型晶片的剥离系统具有机构，所述机构将从激光振荡器振荡产生的激光照射至接合型晶片，由此来使固化型接合材和/或与固化型接合材接触的元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使固化型接合材和/或元件结构部的表面分解，从而使元件结构部与支撑体分离。本实用新型的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。
剥离系统制造

[发明专利]碳浓度测定方法-CN201880053331.8有效
发明人：木村明浩 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明为一种碳浓度测定方法，其特征在于，按照FZ单晶的原料种类，制作并准备表示通过PL法测得的测定值与碳浓度的关系的标准曲线，选择与测定用半导体试样的原料为相同种类的原料的标准曲线，使用该选择的标准曲线，由所述测定用半导体试样的通过PL法测得的测定值求出碳浓度。由此，提供一种在基于光致发光(PL)法的半导体试样的碳浓度的测定中，即使原料的种类不同，也能够正确地测定碳浓度的碳浓度测定方法，所述半导体试样由通过浮区(FZ)法制备的硅单晶(FZ单晶)形成。
浓度测定方法

[发明专利]外延晶片的制造方法-CN201880060125.X有效
发明人：岩本亮辅;大西理 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种外延晶片的制造方法，准备背面经研磨的硅半导体基板，将所准备的基板洗净后，将多片基板作为1批次放入到基板保管部2。使基板保管部2的气氛中的NO2和NO3的合计浓度为140 ng/m3以下的方式进行管理。将保管于基板保管部2中的基板逐片搬送到反应炉5而使硅外延层气相生长。因此，能够抑制依存于自基板洗净后经过时间的背面晕圈的产生，制造高品质的外延晶片。
外延晶片制造方法

[发明专利]线锯装置及晶圆的制造方法-CN201880077941.1有效
发明人：水岛一寿;大高敏昭;榎本辰男;清水裕一 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种线锯装置，其具备：多个金属线引导部；金属线列，由卷绕于所述多个金属线引导部并沿轴向往返移动的金属线形成；喷嘴，向所述金属线供给冷却剂或浆料；工件保持部，将经由梁而粘接有工件的工件板悬挂并保持；以及工件进给机构，将所述工件按压至所述金属线列，其特征在于，还具备对形成所述金属线列的所述多个金属线引导部的轴的平行度进行调整的机构。由此，提供对切断后的工件的金属线移动方向的翘曲进行控制，并能够制造具有任意的翘曲形状的晶圆的线锯装置及晶圆的制造方法。
装置制造方法

[发明专利]贴合式SOI晶圆的制造方法-CN201780024927.0有效
发明人：若林大士;目黑贤二;二井谷美保 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种贴合式SOI晶圆的制造方法，包含下列步骤：于基底晶圆堆积多晶硅层；研磨多晶硅层得到研磨面；于接合晶圆形成绝缘膜；透过绝缘膜将多晶硅层的研磨面与接合晶圆予以贴合；将接合晶圆薄膜化，其中用100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆而堆积多晶硅层步骤中，更包含于基底晶圆的堆积多晶硅层表面上先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积是通过升温至1000℃以上规定温度为止，且在规定温度下供给多晶硅层原料气体而进行，更进一步在升温至规定温度为止之际中也供给多晶硅层原料气体。由此，得以保持高生产率并抑制多晶硅层的单晶化。
贴合 soi 制造方法

[发明专利]单晶制造装置-CN202180080412.9在审
发明人：三原佳祐;柳濑和也;三田村伸晃;高野清隆 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明的第一方式提供一种单晶制造装置，其特征在于，具有：主腔室；提拉腔室；配置为与硅熔液对置的热屏蔽部件；以包围提拉中的单晶硅的方式配置在热屏蔽部件上的整流筒；配置为围住提拉中的单晶硅且包含朝向硅熔液延伸的部分的冷却筒；以及嵌合于冷却筒的内侧的冷却辅助筒，冷却筒的延伸的部分具有面向硅熔液的底面，冷却辅助筒至少具有围绕冷却筒的底面的第一部分和围绕整流筒的上端部的第二部分。由此，能够提供与现有技术相比能够制造碳浓度更低的单晶的装置。
制造装置

[发明专利]隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法、控制方法以及单晶硅的制造方法-CN202180079826.X在审
发明人：菅原孝世;今井崇希;秋叶雅弘;北川胜之 -专利权人： 信越半导体株式会社
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本发明是一种隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法，当利用切克劳斯基法一边对坩埚内的原料熔液施加磁场一边提拉单晶硅时，设置位于原料熔液面上方的隔热部件，并测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离，其特征在于，在所述隔热部件下端面形成贯通孔，当实测所述隔热部件下端面与所述原料熔液面之间的距离并用定点观测机观测了所述贯通孔的反射到所述原料熔液面的镜像的位置后，在所述单晶硅提拉过程中，用所述定点观测机测量所述镜像的移动距离，并根据实测值与所述镜像的移动距离来计算隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离。由此，能够提供一种可以高精度地测量隔热部件下端面与原料熔液面之间的距离的测量方法。
隔热部件端面原料液面之间距离测量方法控制方法以及单晶硅制造