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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]单晶提拉装置及单晶提拉方法-CN202280019090.1在审
发明人：高野清隆;镰田洋之 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明是一种单晶提拉装置，具备具有中心轴的提拉炉以及具有线圈的磁场产生装置，对熔融半导体原料施加水平磁场，其中，线圈是鞍型，设有2组相向配置的鞍型线圈的对，2组线圈对中的2条线圈轴包含在同一水平面内，当在该水平面内，将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴，将垂直于X轴的方向设为Y轴时，2条线圈轴间夹着X轴的中心角度α为90度以下，相邻的线圈彼此间夹着Y轴的线圈间角度β为20度以下。由此，提供一种单晶提拉装置、及单晶提拉方法，能通过提高磁场产生效率而减小线圈高度，能使磁场中心提高至半导体原料的熔液面附近，能得到氧浓度比现有技术更低的单晶，并能更高速地提拉无缺陷晶体。
单晶提拉装置方法

[发明专利]单晶提拉装置和单晶提拉方法-CN202180091308.X在审
发明人： 镰田洋之;高野清隆 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶提拉装置，具备：具有中心轴的提拉炉；以及设置于提拉炉周围且具有线圈的磁场产生装置，该单晶提拉装置对熔融的半导体原料施加水平磁场，抑制坩埚内的对流，其特征在于，具备主线圈和副线圈，设置有2组相对配置的线圈对作为主线圈，该主线圈的2个线圈轴包含于相同的水平面内，夹着水平面内的中心轴上的磁场线方向即X轴的2个线圈轴间的中心角度α为100度以上120度以下，并且设置有1组相对配置的超导线圈对作为副线圈，该副线圈的1个线圈轴与X轴一致，主线圈与副线圈能够独立地设定电流值。由此，提供一种单晶提拉装置和单晶提拉方法，其能够制造低氧浓度的单晶，并且能够在相同装置中高速地培育通常氧浓度的无缺陷区域单晶。
单晶提拉装置方法

[发明专利]单晶提拉装置及单晶提拉方法-CN202180020036.4在审
发明人：高野清隆;菅原孝世;镰田洋之;小内骏英;太田友彦 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。
单晶提拉装置方法

[发明专利]电阻率控制方法及n型单晶硅-CN201580046406.6有效
发明人：星亮二;镰田洋之;高野清隆 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明为一种电阻率控制方法，该方法在利用CZ法培育单晶硅时，通过掺杂物来控制所培育的单晶硅的电阻率，其特征在于，具备：初始掺杂工序，初始掺杂主掺杂物以使所述单晶硅具有规定的导电型；追加掺杂工序，培育所述单晶硅的同时，根据由(结晶化后的重量)/(初始硅原料的重量)所表示的固化率，连续性或间断性地追加掺杂具有与所述主掺杂物的导电型相反的导电型的副掺杂物；在所述追加掺杂工序中，当所述固化率为规定值α以上时，追加掺杂所述副掺杂物，在所述固化率达到所述规定值α之前不掺杂所述副掺杂物。由此，提供一种电阻率控制方法，即使在单晶硅培育中发生错位，也能够抑制收率的降低，并且能够精确地控制单晶硅的电阻率。
电阻率控制方法单晶硅

[发明专利]单晶生长装置及使用该装置的单晶生长方法-CN201580044303.6有效
发明人：星亮二;镰田洋之 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置，其特征在于，该单晶生长装置具备：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室的上部连接，提拉并收纳生长的单晶硅，所述主腔室具备硅细棒插入器，所述硅细棒插入器能够将含有掺杂剂的多个硅细棒分别独立地插入所述原料熔液而使其熔融。由此，提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。
生长装置使用方法

[发明专利]单晶硅晶圆的热处理方法-CN201580004474.6有效
发明人：星亮二;镰田洋之 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及切出所述单晶硅晶圆的单晶硅的培育条件这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。
单晶硅热处理方法

[发明专利]单晶硅晶圆的热处理方法-CN201580003982.2有效
发明人：星亮二;镰田洋之 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶圆的热处理方法，其是在氧化性气氛下对单晶硅晶圆进行热处理的方法，其特征在于，基于由进行所述热处理时的热处理温度、进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的氧浓度、以及进行所述热处理前的所述单晶硅晶圆中的Void尺寸这三者的相关关系求得的条件来进行热处理。由此，可提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其通过在氧化性气氛下的热处理，能够以低成本、高效且切实地消除单晶硅晶圆的Void缺陷及微小的氧析出核。
单晶硅热处理方法

[发明专利]单晶硅基板的缺陷浓度评价方法-CN201480066875.X有效
发明人： 镰田洋之;星亮二 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅基板的缺陷浓度评价方法，其是对通过粒子束流的照射在单晶硅基板中形成的缺陷浓度进行评价的方法，在对所述单晶硅基板的电阻率进行测定后，对该单晶硅基板照射所述粒子束流，在该照射后，再次对所述单晶硅基板的电阻率进行测定，根据所述粒子束流的照射前后的电阻率测定结果，分别求出照射前后的单晶硅基板中的载流子浓度，并计算出载流子浓度的变化率，根据该载流子浓度的变化率，对通过所述粒子束流的照射形成在所述单晶硅基板中，并由硅原子空位构成的VV缺陷的浓度进行评价。由此，提供一种能够对通过粒子束流的照射形成在单晶硅基板中的VV缺陷的浓度进行简单评价的方法。
单晶硅缺陷浓度评价方法

[发明专利]单晶硅晶片-CN201610807979.2在审
发明人：星亮二;松本克;镰田洋之;菅原孝世 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×10¹⁷原子/cm³(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
单晶硅晶片

[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法、以及单晶硅的制造方法-CN201280017986.2有效
发明人：木村明浩;星亮二;三田村伸晃;镰田洋之 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，其包含：步骤a，该步骤准备由石英玻璃所构成，且具有坩埚形状的坩埚基材；步骤b，该步骤利用直接法或火焰水解法(SOOT)制作合成石英玻璃材料；步骤c，该步骤将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，步骤d，该步骤进行热处理，通过硅石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。由此，提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法，所述石英玻璃坩埚可以防止制造单晶硅时单晶硅产生位错，并且，具有高耐热性，可以抑制生产性、成品率的降低。
石英玻璃坩埚及其制造方法以及单晶硅

[发明专利]单晶硅晶片-CN201280012318.0无效
发明人：星亮二;松本克;镰田洋之;菅原孝世 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3（ASTM’79）以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
单晶硅晶片

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