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- [发明专利]外延生长装置和保持部件-CN201780005034.1有效
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小林武史
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信越半导体株式会社
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2017-01-18
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2022-07-19
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H01L21/205
- 气相生长装置（1）包括基座（3）；升降销（5）和支承环（6）。基座（3）具有贯穿表面与背面的通孔（3b），能够围绕轴线（O）而旋转。升降销（5）插入通孔（3b）中。支承环（6）包括环部（6a）和板状部件（6b），在环部（6a）和板状部件（6b）之间，夹持并保持升降销（5）。环部（6a）位于轴线（O）周围。板状部件（6b）包括与环部（6a）连接的连接部（6b1），从连接部（6b1）沿环部（6a）延伸，并以连接部（6b1）为基点，施加朝向环部（6a）的力。由此，提供具有通过维持与升降销的位置关系能够保持升降销的保持部件的外延生长装置及其保持部件。
- 外延生长装置保持部件
- [发明专利]多输入多输出方式系统的测试装置以及测试方法-CN201711224243.3有效
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小林武史
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安立股份有限公司
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2017-11-29
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2021-05-04
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H04B17/391
- 本发明能够以较小的电路规模、较少的耗电量来实现对于一种系统的测试装置，所述系统组合了多载波、MIMO方式以及波束成形处理。本发明中，对于由层频域信号生成部(31)输出的R层量的各载波的调制信号，窗函数运算部(32)进行窗函数的频率特性的卷积运算。另一方面，对于由衰落设定部(51)输出的各路径的传播路径特性，波束成形等价运算部(52)进行与波束成形处理等价的运算处理，且对于其运算结果，傅立叶变换部(53)进行傅立叶变换。运算部(54)进行两个运算结果Ht、Fsym的乘法运算，求出由各接收天线接收的信号的频谱信息，将其通过基于时间区域信号生成部(33)的傅立叶逆变换处理来转换成时间区域的信号，并通过位移加法运算部(34)挪动窗函数的长度量来进行加法运算，从而生成各接收天线的接收信号。
- 输入输出方式系统测试装置以及方法
- [发明专利]温度测试装置及温度测试方法-CN202010708349.6在审
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小林武史;丸尾友彦;名古康彦
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安立股份有限公司
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2020-07-22
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2021-02-26
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G01R29/10
- 本发明提供一种温度测试装置及温度测试方法，在OTA测试环境下测定被测对象的发送特性或接收特性的温度依赖性时，能够抑制由绝热框体引起的测定结果的劣化。温度测试装置具备：测试用天线(6)，与天线(110)之间发送或接收用于测定DUT(100)的发送特性或接收特性的无线信号；绝热框体(70)，包围包括静区(QZ)在内的空间区域(71)并由绝热材料构成；以及测定装置(20)，进行DUT(100)的发送特性或接收特性的测定，绝热框体(70)在从测试用天线(6)发送来的无线信号的电波入射到静区(QZ)之前穿过的区域，具有与入射到静区(QZ)的无线信号的电波的行进方向垂直的平板状部分(70a)。
- 温度测试装置方法
- [发明专利]立式热处理装置及热处理方法-CN200980131526.0有效
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小林武史
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信越半导体股份有限公司
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2009-07-21
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2011-07-13
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H01L21/324
- 本发明是一种立式热处理装置，至少具备：反应管；用以保持基板的热处理用晶舟；用以加热基板的加热器；用以将环境气体导入反应管内的气体导入管；与气体导入管连接的气体供给管；形成在反应管下方所设置的凸缘体或反应管上且被气体导入管插通的进气口部；其特征在于：气体导入管与气体供给管的连接是在反应管外经由接头而进行的，该接头具有至少配备有凸缘部的金属制短管，该金属制短管的凸缘部经由O型环与设置于进气口部的凸缘部连接，由此连接形成的贯穿孔，其被气体导入管插通，并利用接头来连接气体供给管。由此，能提供一种不会在基板上产生模糊不清，能防止气体导入管的破损且能容易地将气体导入管与气体供给管连接的立式热处理装置。
- 立式热处理装置方法
- [发明专利]纵型热处理用晶舟及使用此晶舟的硅晶片的热处理方法-CN200980112346.8有效
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小林武史
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信越半导体股份有限公司
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2009-04-09
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2011-03-23
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H01L21/22
- 本发明是纵型热处理用晶舟，具备载置被处理基板的支撑辅助构件，该支撑辅助构件分别可装卸地装设在晶舟主体的支撑部上，支撑辅助构件具有：导引构件，被装设在支撑部上；板状基板支撑构件，被处理基板被载置于基板支撑构件上；导引构件，在顶面形成孔；基板支撑构件，被插嵌于导引构件的孔中被安置；被处理基板的载置面的高度位置比导引构件的顶面的高度位置高；基板支撑构件由碳化硅等构成；导引构件由石英等构成。提供纵型热处理用晶舟及使用此晶舟的硅晶片的热处理方法，当将硅晶片等被处理基板载置在配备有支撑辅助构件的纵型热处理用晶舟上，并使用氩气等进行热处理时，能一并抑制铁污染被转印至硅晶片上及硅晶片背面的粗糙化此两种情况。
- 热处理用晶舟使用晶片方法
- [发明专利]晶圆的制造方法-CN200480023198.X无效
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小林武史
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信越半导体股份有限公司
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2004-08-04
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2006-09-20
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C30B29/06
- 一种晶圆的制造方法，至少包含以下的步骤，BMD形成步骤，对硅晶锭状态的硅单结晶进行处理，在内部形成内部微小的缺陷(BMD；Bulk MicroDefect)；以及晶圆加工步骤，将形成有内部微小缺陷(BMD)的硅晶锭加工成晶圆。藉此，可以提供一种晶圆的制造方法，可以缩短在制造晶圆时为了赋予IG(本体内吸气；Intrinsic Gettering)能力的热处理、以及能够大量地生产高IG能力的晶圆。而且，亦可以具有对加工后的晶圆进行热处理的热处理步骤，或是在晶圆上形成磊晶层的磊晶成长步骤，藉此，可以提升具有优良吸气效果的退火晶圆或磊晶晶圆的生产力。
- 制造方法
- [发明专利]一种热处理用立式晶舟-CN200480020071.2有效
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小林武史
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信越半导体股份有限公司
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2004-07-13
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2006-08-23
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H01L21/324
- 一种热处理用立式晶舟10，具有顶板1、底板2、以及固定于该顶板与底板之间的支柱构件，并于该支柱构件形成有多个槽8，在各槽之间形成有支撑部，用以水平地支撑晶圆状的被处理体，其中所述支柱构件具有圆弧状的横剖面，圆筒状地配置有两支以上的支柱构件3、4，这些支柱构件与形成有所述槽且内侧呈圆弧状的支撑部6整体形成，所述晶圆状被处理体从所述支柱构件的槽插入，通过圆弧状的各支撑部沿着下面周边部支撑着。借此，可以提供一种热处理用立式晶舟，能够有效果地防止在热处理中的晶圆等产生滑动，且材料费用低廉，且可较容易地制造得到。
- 一种热处理立式
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