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[发明专利]半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备-CN202310317554.3有效
发明人：巴兰松;张云森;李辉辉;余泳 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器及其制作方法、电子设备。该半导体结构包括：衬底、背栅、半导体层、漏极、磁性隧道结以及位于半导体层远离衬底一侧的第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极。半导体层与背栅叠层设置且绝缘；磁性隧道结位于漏极远离衬底的一侧，且与漏极接触；第一源极和第一栅极位于漏极的一侧，第二源极和第二栅极位于漏极的另一侧，且第一源极、第一栅极、第二源极和第二栅极分别在衬底上的正投影均与半导体层在衬底上的正投影交叠。本申请提供的半导体结构包括一个磁性隧道结和两个晶体管，相对于传统的MRAM存储单元，能够提升MRAM存储单元读写稳定性。
半导体结构存储器及其制作方法电子设备

[发明专利]一种用于调节水泵叶片角度的装置-CN201810027270.X有效
发明人：赵玉强;陆雪涛;高世旺;余泳;邢莉;王艮霞;李娜;杨晓春;盛康 -专利权人：安徽省水利水电勘测设计研究总院有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： F04D15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于调节水泵叶片角度的装置，包括连接底盘、支撑座、固定法兰盘、联轴器、楔形调节块、调节螺栓。连接底盘固定在电机转子主轴的上端部，连接底盘上方安装支撑座，固定法兰盘下端与联轴器连接。支撑座顶部与固定法兰盘下部分别对称开有上方楔形槽、下方楔形槽，通过安装不同厚度的楔形调节块使得调节杆相对与水泵轴产生不同轴向位移量以达到调整叶片的角度。本发明叶片固定采用刚性连接，连接牢靠，能适应大水推力下工作而不会产生垮角度的现象，在停机静止状态下调节，故调节力小，人工操作方便；本发明重量轻，不会对电机轴旋转产生不利影响，且可以推广应用于各种规格大中型水泵叶片角度的调节。
一种用于调节水泵叶片角度装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法、存储器及其制造方法-CN202210265812.3在审
发明人：肖德元;余泳;邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提出了一种半导体结构及其制造方法、存储器及其制造方法，其中，所述半导体结构包括至少一个晶体管，所述晶体管包括：沟道，所述沟道包括第一半导体层和环绕所述第一半导体层设置的第二半导体层；所述第二半导体层在所述沟道中引入应变。
半导体结构及其制造方法存储器

[发明专利]基于孪生网络的时空数据的目标识别方法及系统-CN201911166620.1有效
发明人：余泳;唐海娜;王飞;徐勇军;吴琳;孙涛 -专利权人：中国科学院计算技术研究所
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06N3/0442 文献下载
摘要：本发明提出一种基于孪生网络的时空数据的目标识别方法及系统。构建包括两个子网的孪生网络模型，获取训练样本(x1,x2,y)，x1和x2表示包括兴趣点的时空数据，y表示x1和x2是否属于相同目标；将x1和x2分别输入至孪生网络模型的子网，得到特征向量v(x1)和v(x2)，通过距离度量得到特征向量v(x1)和v(x2)间的距离，根据距离与标签y之间的损失反向传播训练孪生网络模型，得到最终网络模型；取最终网络模型的子网作为目标识别模型，将待链接目标的时空数据输入目标识别模型，得到待链接目标的时空数据的待链接向量，将已知目标的时空数据输入目标识别模型，得到已知目标的时空数据的已链接向量，根据待链接向量和已链接向量之间的相似关系，为待链接目标的时空数据链接目标。
基于孪生网络时空数据目标识别方法系统

[实用新型]抽拉式控制器安装支架-CN202223589393.3有效
发明人：余泳 -专利权人：建浩支架（昆山）有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抽拉式控制器安装支架，包括固定墙板、活动托板、滑轨机构、控制器连接板和锁固机构，所述滑轨机构包括固定滑轨和活动滑轨，所述活动滑轨能够直线滑动的安装于固定滑轨上，所述固定滑轨固定安装于固定墙板上，固定墙板上设有用于将其安装于墙面或台面上的定位机构，活动托板固定安装于活动滑轨上，控制器连接板能够托持于所述活动托板上，锁固机构能够将控制器连接板与活动托板固定锁合定位，控制器连接板上设有若干供控制器安装的安装孔位，本实用新型通过抽拉式结构能够将控制器从狭小的空间内拉出，便于控制器在狭小空间内的安装、拆卸和维修，本实用新型结构简单，安装和使用方便，有利于控制器散热。
抽拉式控制器安装支架

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子设备-CN202310753427.8有效
发明人：梁鸿刚;余泳;李玉科;李志轩 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及但不限于存储技术领域，半导体器件的制造方法包括：在第一硅基底上形成第一金属硅化物薄膜；在第二硅基底上形成第二金属硅化物薄膜；采用倒装芯片键合的方式，将所述第一硅基底的所述第一金属硅化物薄膜与所述第二硅基底的所述第二金属硅化物薄膜键合，使所述第一金属硅化物薄膜和所述第二金属硅化物薄膜形成金属硅化物层；通过刻蚀工艺，将所述金属硅化物层刻蚀形成线状的位线；使第一硅基底形成所述半导体柱；解决位线断路以及位线与半导体柱接触不良等问题，并保证半导体柱高度的均一性。
一种半导体器件及其制造方法电子设备

[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202310705736.8在审
发明人：肖德元;余泳;邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制作方法包括提供基底；于基底上形成有源柱，有源柱包括顺序连接的第一段、第二段和第三段，沿第一方向，于第二段的侧壁、第一段的顶面和第三段的底面上形成第一栅氧化层；于第一栅氧化层上形成第二栅氧化层，第二栅氧化层的长度小于第一栅氧化层的长度，第二栅氧化层靠近第三段设置，第二栅氧化层的厚度大于第一栅氧化层的厚度。本公开通过在有源柱的第二段上的不同位置形成两层不同厚度的栅氧化层，从而有效减少栅诱导漏极泄漏电流，进而提高半导体结构的性能和良率。
半导体结构制作方法

[发明专利]一种传动轴限位装置-CN201710771538.6有效
发明人：赵玉强;陆雪涛;高世旺;余泳;李娜 -专利权人：安徽省水利水电勘测设计研究总院有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： F16M9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种传动轴限位装置，包括中间轴承、支撑横梁、两个支撑部；中间轴承与支撑横梁连接；两个支撑部分别分布于中间轴承的两侧，支撑部包括预埋件、混凝土梁，上述支撑横梁通过预埋件与混凝土梁连接。本发明中，用预埋钢板代替地脚螺栓，对定位精度的要求减小，较容易施工。本发明有助于解决中间轴承定位难、固定难、对中调整难，且在运行过程中容易松动的缺点。本发明的结构整体性强，安全性能高，便于安装、拆卸，节约工时、降低施工成本且提高了中间轴承固定的牢固程度。
一种传动轴限位装置

[发明专利]一种时空轨迹数据的频繁模式增量挖掘方法和电子设备-CN202010183569.1有效
发明人：钱塘文;徐勇军;吴琳;邵泽志;余泳 -专利权人：中国科学院计算技术研究所
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G06F16/2458 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种时空轨迹数据的频繁模式增量挖掘方法和电子设备，该方法用于对船舶或者航空器的时空轨迹数据进行挖掘，该方法先对轨迹点进行聚类形成多个聚类类簇，每个聚类类簇包括聚类中心和聚类范围，每个聚类中心配有一个身份标识，提取经纬度坐标落在相应聚类类簇的聚类范围的轨迹点并将其用该聚类类簇的聚类中心的身份标识表示，得到用聚类中心的身份标识按序排列表示的经映射后的轨迹，对经映射后的轨迹进行频繁模式挖掘，具有抗干扰性强且便于识别目标的重复轨迹的特定，便于找出目标的轨迹规律，以便为相关用户提供准确的轨迹预测或者服务。
一种时空轨迹数据频繁模式增量挖掘方法电子设备

[发明专利]一种水力发电站设备运行监测系统-CN202111516865.X在审
发明人：余泳;王鑫;卓四明;李书明;韩兵;李金阳;鞠军;钮月磊;孙朝霞;高振东;边丽娟 -专利权人：南京河海南自水电自动化有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H04Q9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种水力发电站设备运行监测系统，此监控系统包括监控单元，其包括控制模块以及与控制模块电性相连的数据接收模块、显示输出模块和控制输出模块，数据接收模块将接收的数据输入给控制模块；数采单元，其包括数采控制模块以及与数采控制模块电性相连的数据汇集模块、传感器模块和数据发送模块，传感器模块的输出端与数据汇集模块的输入端相连，数据汇集模块汇集的信号经由数据发送模块输出；本发明中的数采单元通过扩展接口，采用多种不同的传感器实时动态监测各水电机组及水电站厂间设备的运行状态，经传输单元传输各监测数据至监控单元，由监控单元分析并实时处理监控数据，保障水电站运行过程的安全性。
一种水力发电站设备运行监测系统

[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202111444498.7有效
发明人：肖德元;余泳;邵光速 -专利权人：长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制作方法包括提供基底；于基底上形成有源柱，有源柱包括顺序连接的第一段、第二段和第三段，沿第一方向，于第二段的侧壁、第一段的顶面和第三段的底面上形成第一栅氧化层；于第一栅氧化层上形成第二栅氧化层，第二栅氧化层的长度小于第一栅氧化层的长度，第二栅氧化层靠近第三段设置，第二栅氧化层的厚度大于第一栅氧化层的厚度。本公开通过在有源柱的第二段上的不同位置形成两层不同厚度的栅氧化层，从而有效减少栅诱导漏极泄漏电流，进而提高半导体结构的性能和良率。
半导体结构制作方法

[发明专利]存储器及其访问方法、电子设备-CN202310395781.8在审
发明人：梁静;戴瑾;余泳;康卜文 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储器及其访问方法、电子设备，该存储器包括多个存储单元，存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管被配置为读晶体管，第二晶体管被配置为写晶体管；第一晶体管和第二晶体管沿平行于衬底的方向依次分布；第一晶体管包括第一栅极、第一半导体层、第一电极和第二电极，第二晶体管包括第二栅极、第二半导体层、第三电极和第四电极；第一半导体层与第二半导体层连接，第二栅极复用第一晶体管的背栅极，使得在读操作时，向无需访问的存储单元的第二晶体管的第二栅极施加第二电压，以调节第一晶体管的阈值电压，使得无需访问的存储单元的第一晶体管关断。采用本申请，能够将数据可靠的读出，同时能够避免或者有效降低串扰。
存储器及其访问方法电子设备

[发明专利]数据查询方法、装置、存储介质和电子设备-CN202211092928.8在审
发明人：陈曙东;余泳;马荣 -专利权人：中国科学院微电子研究所;上海翔盛悦信息技术有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F16/2452 文献下载
摘要：本申请涉及计算机技术领域，公开了一种数据查询方法、装置、存储介质和电子设备，该方法包括：接收终端的查询请求，所述查询请求指示了用户在客户端触发选取的至少一个查询标签和触发选取的目标分析模型；根据所述至少一个查询标签进行在业务数据库中进行业务数据查询，得到目标业务数据集；通过所述目标分析模型对所述目标业务数据集中的业务数据进行分析，得到所述目标业务数据集对应的分析结果，所述分析结果指示了基于所述目标业务数据集对应于所述目标分析模型所指示的目标分析参数的参数值；向所述终端返回所述目标业务数据集和所述分析结果。本方案可以提升业务数据的查询效率。
数据查询方法装置存储介质电子设备

[发明专利]一种3D存储阵列及其制备方法、电子设备-CN202211275548.8在审
发明人：戴瑾;余泳;梁静 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：3D存储阵列及其制备方法、电子设备，3D存储阵列包括：多层垂直堆叠的存储阵列，多条垂直延伸的写字线；存储阵列包括阵列分布的多个存储单元、多条读位线和多条写位线，存储单元包括：第一晶体管和水平沟道的第二晶体管，第一晶体管包括第一栅极、第一电极、第二电极和第一半导体层；第二晶体管包括第三电极、第四电极、沿垂直于衬底方向延伸的第二栅极，以及，环绕第二栅极的第二半导体层，第一栅极与第二半导体层连接；不同层相邻的存储单元的第二栅极连接同一写字线；同层同列的存储单元的第一电极连接同一读位线，第四电极连接同一写位线。本实施例提供的方案，提供一种新型的存储阵列结构设计，有利于实现结构简单且制作较容易的3D存储阵列。
一种存储阵列及其制备方法电子设备

[发明专利]存储单元阵列结构和制备方法-CN202211358553.5在审
发明人：戴瑾;梁静;余泳 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B12/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储单元阵列结构和制备方法，该存储单元阵列结构包括绝缘衬底、形成于所述绝缘衬底表面上的三维存储单元阵列，所述三维存储单元阵列包括多层存储单元，以及位于每一层的多个存储单元、多个位线和多个字线；其中，每个存储单元包括晶体管和电容器，所述电容器包括第一电极、第二电极和电容器电介质层；所述晶体管与所述电容器电连接；每个位线沿第一方向延伸，第一方向平行于所述绝缘衬底表面；位于同一层且对称分布于同一位线的两侧的存储单元共用该同一位线；垂直方向上不同层相邻位线之间的存储单元的电容器共用同一第二电极；每个字线沿第二方向延伸，第二方向垂直于所述绝缘衬底表面；垂直方向上不同层的存储单元共用同一字线。
存储单元阵列结构制备方法

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