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[发明专利]铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法-CN202211691595.0在审
发明人：代千;龚赤坤;覃文治;李宛励;陈庆敏;梁丕刚;舒域鑫;谢和平;潘旭;谢骞;王国胜;郝昕;周小燕;刘源;田洪军;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法，基于吸收倍增分离盖革雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、铟铝砷作为能带渐变材料、磷化铟作为倍增层材料，采用Zn保护环掺杂区结合凹槽扩散主结的新型PN结制备方法，缓解传统无保护环的两次扩散主结中存在的雪崩电场对雪崩区外吸收的载流子的虹吸效应，解决雪崩区内外电场控制问题，结合厚铝膜对雪崩区外的1.06μm和1.55μm波长入射光子的强吸收，有效遮蔽雪崩区外入射光，解决雪崩区外吸收载流子扩散至雪崩区问题，从光生载流子扩散路径和光子吸收路径两方面，解决雪崩区外的载流子吸收和扩散导致的光生电流发生响应拖尾的问题。
铟镓砷盖革雪崩探测器区外吸收抑制结构制备方法

[发明专利]一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构-CN202211707653.4在审
发明人：潘旭;刘绍斌;柯尊贵;陈剑;代千;覃文治;谢骞 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，包括在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层。该缓冲层结构适用于半导体衬底上制备高In组分的InGaAs红外探测器，特别是波长大于1.7μm的InxGa1‑xAs(x0.53)探测器的制备，提高了制备高In组分InGaAs探测器在衬底选择上的自由度和结构选择上的多样性。由于纺锤型缓冲层呈现上下对称的结构，所以缓冲层中的应力状态可以更有效的阻止穿透位错等缺陷往缓冲层以上的器件有源区蔓延，有望提高吸收层的结晶质量，改善器件性能。纺锤型缓冲层思想对于其他较大失配材料体系的生长同样具有借鉴意义，具有很好的通用性，减小了失配材料生长对于衬底的束缚。
一种用于 in 组分 ingaas 探测器纺锤缓冲结构

[发明专利]一种二维半导体材料光电探测器及其制备方法-CN202211690373.7在审
发明人：郝昕;王超;王泽高;罗国凌;姚梦麒;柯尊贵;代千 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维半导体材料光电探测器，其包括导电基片(1)、形成在导电基片(1)表面的电介质(2)、形成在电介质(2)表面两端的一对电极(3)；一对电极(3)之间及其表面上形成第一二维半导体材料分区(4)和第二二维半导体材料分区(5)，第一二维半导体材料分区(4)覆盖其中一个电极(3)和该其中一个电极(3)相邻区域，第二二维半导体材料分区(5)覆盖另一个电极(3)和该另一个电极(3)相邻区域；第一二维半导体材料分区(4)和第二二维半导体材料分区(5)中注入离子，形成载流子浓度不同的两个二维半导体材料分区。本发明适配现有硅COMS工艺，易于大规模生产，且易于调控探测器的载流子浓度，提升探测器的成品率及性能。
一种二维半导体材料光电探测器及其制备方法

[发明专利]铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法-CN202211691594.6在审
发明人：代千;陈蔚;刘期斌;李宛励;舒域鑫;陈庆敏;梁丕刚;黄海华;姚梦麒;庞树帅;邓杰;杨瑞雨;罗国凌;陈剑;王鸥;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷雪崩探测器表面陷光结构制备方法，基于吸收倍增分离雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、磷化铟作为倍增层材料制备台面型的铟镓砷雪崩探测器，采用一种新型的具有倒金字塔正四面锥形槽结构紧密排布的表面陷光结构。本发明减少了InGaAs表面对近红外激光反射率，实现了1064nm波长的近红外吸收增强，解决了传统铟镓砷雪崩探测器在1064nm波段量子效率较低的问题。
铟镓砷雪崩探测器表面结构制备方法

[发明专利]铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法-CN202211690411.9在审
发明人：代千;李宛励;袁菲;谢修敏;刘绍斌;梁丕刚;舒域鑫;陈庆敏;孔繁林;路小龙;梁晨宇;袁鎏;郑博仁;柯尊贵;郭雨航;李潇;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法，采用表面浅层Zn扩散工艺，在铟镓砷盖革雪崩二极管表面的i InP顶层上直接进行浅层Zn扩散，制备Zn掺杂自淬灭环结构，作为铟镓砷盖革雪崩二极管自身的被动淬灭电阻。本发明解决自由模式光子计数用铟镓砷盖革雪崩二极管存在的后脉冲高、死时间长的问题，通过实现低寄生效应的原位被动淬灭，有效提升铟镓砷盖革雪崩二极管的最大计数率，满足单光子计数探测需求。
铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法

[发明专利]一种基于Sagnac光纤环路产生三光子偏振纠缠GHZ态的系统-CN201911311292.X有效
发明人：徐强;谢修敏;张伟;代千;陈剑;胡卫英;周强;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Sagnac光纤环路产生三光子偏振纠缠GHZ态的系统，该方法使用Sagnac光纤环路，基于光纤中的三阶非线性光学过程‑自发四波混频原理，包括：连续激光泵浦光源、密集波分复用器、掺铒光纤放大器、可变光衰减器、耦合器、功率计、滤波器、偏振控制器、可调延时线、Sagnac环、偏振分析仪、单光子探测器。本发明产生三光子偏振纠缠GHZ态的各部分组件，均可来自通讯波段商用化的成熟器件，这有利于光源的组装制备和实用化发展。通过此方法制备出的光源具有小型化、实用化、易与光纤系统集成的特点，所产生的纠缠三光子波长在1550nm波段，可在量子雷达、量子通讯、量子计量、多量子纠缠网络等领域得到广泛应用。
一种基于 sagnac 光纤环路产生光子偏振纠缠 ghz 系统

[发明专利]基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器-CN202111580324.3在审
发明人：代千;程碑彤;邓杰;杨瑞雨;罗国凌;陈剑;黄海华;庞树帅;黄帅;蒋若梅;谭扬;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于染料钙钛矿的柔性短波红外探测器，基于柔性透明衬底制备；具有透明导电阳极、电子阻挡层、光吸收活性层、电子传输层、空穴阻挡层、阴极修饰层、金属阴极的器件结构；采用ITO和PEDOT:PSS复合透明导电薄膜阳极；采用PS‑TPD‑PFCB等材料作为电子阻挡层；采用基于Cy18F4等短波红外吸收染料与钙钛矿材料制备光吸收活性层；采用P3HT：PCBM等材料混合共掺杂作为电子传输层；采用C60等材料作为空穴阻挡层；采用LiF阴极修饰层和Al金属阴极。本发明采用高短波红外吸收染料钙钛矿，解决现有有机聚合物等光电材料对短波红外波段响应较差的问题，采用电子传输材料混合共掺杂技术，解决有效提升载流子传输效率的问题。
基于染料钙钛矿柔性短波红外探测器

[实用新型]一种磷化铟晶圆传递清洗盒-CN202122889714.0有效
发明人：刘源;覃文治;谢和平;齐瑞峰;陈庆敏;田红军;代千 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体制造工艺工装领域，公开了一种磷化铟晶圆传递清洗盒，该传递清洗盒整体为长方体结构，全部采用聚四氟乙烯材料制作；传递清洗盒分为主体、上下填充挡板、前挡板三个部分，上下填充挡板为实心圆板，前挡板为实心方板；主体部分共有7层，每层结构完全相同，每一层都是由方形过渡板、晶圆凹槽、下凹槽、通孔以及前挡板卡槽构成。该传递清洗盒能够安全、方便、快捷地进行磷化铟晶圆传递、清洗，减少磷化铟晶圆在传递、清洗作业过程中发生碎裂、损伤和沾污的风险。
一种磷化铟晶圆传递清洗

[发明专利]无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法-CN202111630709.6在审
发明人：覃文治;刘源;谢和平;齐瑞峰;陈庆敏;田红军;代千 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法，制备好pn结的铟镓砷盖革模式焦平面光敏阵列芯片通过金金键合与具有微透镜阵列的支撑片键合，铟镓砷盖革模式焦平面芯片p型面为公共电极，n型面电极独立且与读出电路芯片通过铟柱倒装实现互连；芯片入射光子从具有微透镜阵列的支撑片进入，通过微透镜将入射光子汇聚入铟镓砷盖革模式焦平面每个独立光敏探测区的p区，产生的脉冲信号经与n型面互连的读出电路处理后，实现单光子测距、激光三维成像。本发明可实现无串扰且可与硅基盖革模式焦平面探测器共用同类读出电路的InGaAs盖革模式焦平面光敏阵列的制作。
无串扰铟镓砷盖革模式平面探测芯片结构制作方法

[外观设计]激光焦平面探测器-CN202030796536.5有效
发明人：刘期斌;李潇;代千;黄海华;张伟;童静 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：激光焦平面探测器。2.本外观设计产品的用途：用于金属陶瓷混合PGA封装非制冷激光焦平面探测器，主要用于激光三维成像探测。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
激光平面探测器

[实用新型]真空封装用金属陶瓷混合针栅阵列外壳-CN202023148179.5有效
发明人：刘期斌;代千;黄海华;童静;任攀;邱月瓴 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种真空封装用金属陶瓷混合针栅阵列外壳，属于陶瓷封装外壳技术领域。采用本实用新型后，可以完成半导体制冷的大规模阵列焦平面组件高真空封装，最大输出端口数可达132针以上，用于芯片安装的腔体尺寸可达30mm×30mm×10mm以上，外壳与光窗盖板平行缝焊后进行真空排气，组件真空度优于10‑5Pa，真空寿命可达5年以上。这种金属陶瓷混合针栅阵列外壳具有腔体深、输出引线密度高、可高真空密封的特点，可应用于半导体制冷的焦平面组件高可靠真空封装。
真空封装金属陶瓷混合阵列外壳

[发明专利]一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法-CN201911303143.9在审
发明人：覃文治;谢和平;陈庆敏;刘源;齐瑞峰;代千;石柱 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法，它涉及化合物半导体器件制造的扩散工艺。其通过磁控溅射的方式在制备有氮化硅扩散掩膜的铟镓砷外延片上预沉积上一层锌扩散源，采用等离子增强化学气相沉积设备将锌扩散源覆盖起来，在快速退火炉中进行开管高温梯度扩散，完成化合物半导体铟镓砷外延片的锌扩散工艺。本发明扩散出的铟镓砷光电探测芯片光电性能片内、片间均匀性好、重复性好，可根据快速退火炉尺寸相应扩大铟镓砷外延片尺寸，特别适合三五族化合物半导体探测器芯片的生产。
一种沉积扩散制备铟镓砷光电探测器芯片方法

[实用新型]多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片-CN201822189605.6有效
发明人：覃文治;谢和平;石柱;代千;张伟 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片及制作方法，其包括，在同一铟镓砷外延晶片上，分布有四个光敏探测区，每个光敏探测区内由多个小单元雪崩二极管并联而成的芯片。所述芯片整体光敏面由四个方形雪崩二极管中心对称均布组成，方形APD由尺寸更小的圆形且具有相等光电特性小单元APD并联而成。四个方形光敏探测区，能对连续或低频脉冲激光信号进行坐标定位探测，方形APD光敏探测之间通过刻蚀槽和背面进光面金属膜层遮挡方式隔离四个光敏探测区，其能有效消除光敏探测区之间产生的电学、光学串扰，同时保证不会产生过大的盲区。本实用新型可实现高成品率、大面积InGaAs雪崩二极管四象限芯片的制作。
光敏雪崩二极管探测区本实用新型探测芯片四象限小单元铟镓砷并联低频脉冲激光光电探测芯片光电特性光学串扰金属膜层外延晶片中心对称坐标定位成品率光敏面进光面刻蚀槽电学均布像元相等遮挡制作背面盲区隔离保证

[实用新型]一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构-CN201822210868.0有效
发明人：谢修敏;宋海智;徐强;代千;陈剑;袁鎏;张伟;余丽波 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构，其包括：本底，本底上形成有狭缝或者二维孔阵列；本底上为狭缝时，相邻狭缝距离渐变且成周期性变化；本底上为二维孔阵列时，相邻列孔间距渐变且成周期性变化，相邻行孔间距渐变且成周期性变化。本实用新型薄膜金属光栅在整体为周期性结构的提前下，每个周期中相邻狭缝采用距离渐变的排列方式，以使不同波长的入射光可以通过不同狭缝增强透射，从而整体达到加宽增强透射光谱的目的；二维金属孔阵列亦如此。
狭缝渐变周期性变化薄膜金属加宽本实用新型二维孔阵列红外增强透射谱周期性结构光栅二维金属排列方式透射光谱孔阵列入射光相邻列相邻行波长透射

[发明专利]一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构-CN201811607997.1在审
发明人：谢修敏;宋海智;徐强;代千;陈剑;袁鎏;张伟;余丽波 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于加宽红外增强透射谱的薄膜金属结构，其包括：本底，本底上形成有狭缝或者二维孔阵列；本底上为狭缝时，相邻狭缝距离渐变且成周期性变化；本底上为二维孔阵列时，相邻列孔间距渐变且成周期性变化，相邻行孔间距渐变且成周期性变化。本发明薄膜金属光栅在整体为周期性结构的提前下，每个周期中相邻狭缝采用距离渐变的排列方式，以使不同波长的入射光可以通过不同狭缝增强透射，从而整体达到加宽增强透射光谱的目的；二维金属孔阵列亦如此。
狭缝渐变周期性变化薄膜金属加宽二维孔阵列红外增强透射谱周期性结构光栅二维金属排列方式透射光谱孔阵列入射光相邻列相邻行波长透射

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