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[发明专利]二维金属/氧化物异质结，其制备方法以及传感器-CN201910082456.X有效
发明人：王博伦;王学雯;刘锴 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维金属/氧化物异质结，其包括二维过渡金属氧化物层和金属性二维过渡金属硫属化合物层，其中，所述二维过渡金属氧化物层和金属性二维过渡金属硫属化合物层在同一二维材料面内形成异质结。该二维金属/氧化物异质结的制备方法为采用激光局部加热该金属性二维过渡金属硫属化合物层，使得该金属性二维过渡金属硫属化合物层的一部分转化为二维过渡金属氧化物层。本发明还涉及一种采用该二维金属/氧化物异质结的传感器。
二维金属氧化物异质结制备方法以及传感器

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202211268678.9在审
发明人：何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是一种半导体元件，包含有一二维半导体层、一二维金属导体层以及一金属层，二维半导体层是由二维半导体材料所形成，二维半导体材料具有一第一生成热(formationenergy)；二维金属导体层是由二维金属材料所形成且覆盖于该二维半导体层的表面，二维金属材料具有一第二生成热，第二生成热小于第一生成热；金属层是覆盖于二维金属导体层的表面；其中，二维金属导体层是由金属层中的阳离子与二维半导体层中的阴离子键结而成。借此，可有效降低二维材料与金属间的接触电阻，使二维材料能成功应用在场效晶体管等半导体元件上。
半导体元件及其制造方法

[实用新型]半导体元件-CN202222762656.X有效
发明人：何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型是一种半导体元件，包含有一二维半导体层、一二维金属导体层以及一金属层，二维半导体层是由二维半导体材料所形成，二维半导体材料具有一第一生成热(formationenergy)；二维金属导体层是由二维金属材料所形成且覆盖于该二维半导体层的表面，二维金属材料具有一第二生成热，第二生成热小于第一生成热；金属层是覆盖于二维金属导体层的表面；其中，二维金属导体层是由金属层中的阳离子与二维半导体层中的阴离子键结而成。借此，可有效降低二维材料与金属间的接触电阻，使二维材料能成功应用在场效晶体管等半导体元件上。
半导体元件

[发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法-CN201910557744.6有效
发明人：杨伟煌;李华;王高峰;周昌杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物能谷极化特性的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，形成二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构；本发明使用二维铁磁金属材料与二维单层过渡金属硫族化合物形成异质结构，可以充分发挥二维材料的柔性、原子级薄厚度特点，有效避免了传统铁磁金属材料与二维材料形成的三维－二维异质结构而破坏二维材料本身特性的问题，可应用于超薄微型化和柔性自旋电子和能谷电子器件等的开发研究。
一种二维过渡金属化合物极化特性调控方法

[发明专利]一种二维金属锂的制备方法及其应用-CN202110153269.3在审
发明人：赵红;张勇;于丹丹 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B21H8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维锂金属制备方法及其在锂硫电池、锂空气电池等新能源电池中的应用。本发明的二维锂金属制备方法包括：在保护性气氛环境中，通过自由压缩方式制备二维金属锂；通过模具压缩方式制备二维金属锂；通过轧制方式制备二维金属锂；通过挤压方式制备二维金属锂；通过剪切方式制备二维金属锂。本发明所制备的二维金属锂可以作为锂硫电池或锂空气电池负极，使锂离子在二维锂金属表面均匀形核、长大，抑制锂离子不均匀沉积现象，解决锂硫电池或锂空气电池的锂枝晶生长问题，从而显著提高锂硫电池或锂空气电池的循环寿命
一种二维金属制备方法及其应用

[发明专利]一种二维材料的转移方法-CN202310792288.X在审
发明人：庄萍萍;林伟毅;叶添 -专利权人：集美大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10K71/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料的转移方法，属于二维材料技术领域。本发明将金属衬底/二维材料器件与目标衬底叠层放置，且使二维材料与所述目标衬底接触，进行键合，得到金属衬底/二维材料/目标衬底器件；所述目标衬底为半导体衬底；将所述金属衬底/二维材料/目标衬底器件依次进行冷却处理与热退火处理，将所得器件中金属衬底剥离，得到目标衬底/二维材料器件，实现二维材料的转移。本发明通过键合技术将二维材料与目标衬底紧密结合，然后利用金属衬底与二维材料的热膨胀系数差异，基于冷却处理与热退火处理实现温度差从而使得二维材料与金属衬底分离，整个过程中不需要采用有机薄膜作为转移载体，不会在二维材料中引入杂质
一种二维材料转移方法

[发明专利]半导体器件-CN202111141899.5在审
发明人：李明洋;李连忠;叶涵;张文豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括沟道区、第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件、栅极结构以及第一金属接触件及第二金属接触件。沟道区包含二维半导体材料。第一二维金属质接触件设置在沟道区的一侧处且包含二维金属质材料。第二二维金属质接触件设置在沟道区的相对的侧处且包含二维金属质材料。栅极结构在第一二维金属质接触件与第二二维金属质接触件的中间设置在沟道区上。第一金属接触件相对于沟道区设置在第一二维金属质接触件的相对的侧处。第二金属接触件相对于沟道区设置在第二二维金属质接触件的相对的侧处。第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件从侧面接触沟道区以形成侧向半导体‑金属质结。
半导体器件

[发明专利]一种二维材料的缺陷识别方法以及一种基于二维材料的器件的制备方法-CN201680057104.3在审
发明人：李伟;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：一种二维材料的缺陷识别方法以及基于二维材料的器件的制备方法，包括如下步骤：将生长有二维材料的第一基底置于原子层沉积系统中，控制原子层沉积过程的工艺参数，使二维材料的缺陷处沉积生长金属氧化物或金属，而缺陷以外的部位不生长或较少生长金属氧化物或金属；采用光学显微镜对缺陷处生长有金属氧化物或金属的二维材料进行拍照，得到二维材料表面图像，二维材料的缺陷由图像上的金属氧化物或金属所在的位置标定识别。该方法可准确高效地识别二维材料的缺陷，实现对缺陷的跟踪标记，适用于大面积的器件制备及其它需要定位二维材料缺陷的应用。
二维材料金属生长金属氧化物金属氧化物缺陷识别缺陷处生长制备原子层沉积过程原子层沉积系统光学显微镜表面图像跟踪标记器件制备位置标定沉积基底拍照图像应用

[发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法-CN201911124277.4有效
发明人：杨伟煌;陈相硕;李华;王高峰;周昌杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维单层过渡金属硫族化合物明、暗激子的调控方法，包括如下步骤：(1)采用化学气相沉积法在基底上生长二维单层过渡金属硫族化合物；(2)采用机械剥离法制备二维铁磁金属Cr2C；(3)通过对准转移平台，将二维铁磁金属，对准转移到二维单层过渡金属硫族化合物上，通过对准转移时的角度控制，制备得到不同堆垛方式的二维单层过渡金属硫族化合物－二维铁磁金属异质结构，以实现圆偏振光对二维单层过渡金属硫族化合物中明、暗激子的调控和选择。本发明可以通过二维铁磁金属材料Cr2C－二维单层过渡金属硫族化合物异质结的不同堆垛方式，实现圆偏振光对明、暗激子的调控和选择。
一种二维过渡金属化合物激子调控方法

[发明专利]一种二维金属纳米片的普适制备方法-CN202310557195.9在审
发明人：王岩;袁旭;吴玉程;张剑芳;余翠平;秦永强;崔接武;张勇 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C25C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维金属纳米片的普适制备方法，是通过原位电化学还原工艺制得：首先将金属碲化物或金属硒化物进行冷冻‑超声液相剥离，制得二维金属碲化物纳米片或二维金属硒化物纳米片；然后将二维金属碲化物纳米片或二维金属硒化物纳米片在H型电解池体系中进行还原，即获得二维金属纳米片。本发明的制备方法操作简单、无需复杂设备、条件温和，所制备出的二维金属纳米片在电化学C‑N耦联合成尿素等应用中具有广泛的前景。
一种二维金属纳米制备方法

[发明专利]在无悬挂键基底上范德华外延形成原子级薄的过渡金属碲化物二维金属材料的方法-CN201910021228.1有效
发明人：段曦东;段镶锋;吴瑞霞 -专利权人：湖南大学
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备领域，具体公开了一种原子能级薄层金属二维材料在无悬挂键二维基底上外延生长的制备方法，其特征在于：在无悬空键二维材料衬底上，以二维方式延伸原子级薄的2D金属纳米片的范德华外延生长方法从而首次实现金属纳米片直至单层体系并产生原子级薄的过渡金属碲化物二维金属材料的。
悬挂基底上范德华外延形成原子过渡金属碲化物二维金属材料方法

[发明专利]具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及制备方法-CN202211490001.X在审
发明人：姜建峰;邱晨光;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，该二维硒化铟半金属/金属材料包括：含有钇原子的二维硒化铟，所述二维硒化铟半金属/金属材料的微观结构如下：硒化铟中掺杂有金属钇原子，硒化铟的一部分铟原子被所述钇原子所取代，所述二维硒化铟半金属/金属材料的能带结构中的导带底和价带顶至少具有重叠。根据本发明的有钇替位掺杂的二维硒化铟半金属/金属材料及其制备方法，通过表面改性处理和退火处理使得金属钇原子替位铟原子掺杂到二维硒化铟材料中，实现二维硒化铟材料从半导体相向金属相的转变，以低成本得到稳态的具有金属相的二维硒化铟材料
具有钇替位掺杂二维硒化铟半金属金属材料制备方法

[发明专利]一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构-CN202210107442.0有效
发明人：张跃;张先坤;张铮;于慧慧;黄梦婷;汤文辉;高丽;卫孝福 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种基于二维半金属电极的金属半导体接触结构，所述半导体模块为二维半导体材料，所述金属电极模块为表面无悬挂键的二维半金属材料，所述二维半导体材料与二维半金属材料之间界面为表面粗糙度在0.01‑1nm且表面无悬挂键的范德华界面，所述二维半导体材料与二维半金属材料的层间距小于1nm；本发明的二维半金属材料具有合适的高功函数，以匹配半导体材料的能带边缘，并最终确保接近零的肖特基势垒，其场效应晶体管在室温下显示出创纪录高迁移率，减少肖特基势垒的全二维接触，并展示了其减少肖特基势垒的优化机制，有助于基于二维半导体的肖特基结设计和优化。
一种基于二维金属电极金属半导体接触结构

[发明专利]形成金属-二维过渡族金属化合物材料良好欧姆接触的方法-CN201810010472.3有效
发明人：包文中;宋雄飞;昝武;许浒;周鹏;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属‑二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属‑二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属‑二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用
形成金属二维过渡化合物材料良好欧姆接触方法

[发明专利]一种用于金属产品的二维码打标工艺及装置-CN201710167790.6在审
发明人：彭敏;王晓军 -专利权人：深圳市亚派光电器件有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G06K19/06 文献下载
摘要：本发明属于产品的二维码打标领域，具体涉及到一种用于金属产品的二维码打标工艺及装置，其中，该用于金属产品的二维码打标工艺包括以下步骤S1在所述金属产品的二维码打标区域进行喷砂处理；S2通过终端设备获取所述金属产品的参数，生成相应的二维码；S3对金属产品的二维码打标区域进行二维码打标处理；S4上传并保存所述金属产品的参数和对应的二维码至云服务器。本发明提供的一种用于金属产品的二维码打标工艺，能实现金属产品的高效率、批量化管理，其打印出的二维码在进行扫描采集时识别成功率高，扫描速度快。
一种用于金属产品二维码工艺装置

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