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[实用新型]一种真空镀膜腔体观察装置-CN202120358769.6有效
发明人：葛荣祥;解晗;申强 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种真空镀膜腔体观察装置，包括压紧法兰盘、密封玻璃盘、密封圈、转轴、轴承密封组件、法兰盘基座、观察玻璃盘、限位偏心盘、带孔金属挡盖，压紧法兰盘与法兰盘基座连接，法兰盘通过密封玻璃盘、密封圈来密封，密封玻璃盘中间位置穿过转轴，转轴一端连接绝缘把手，转轴上设置轴承密封组件，轴承密封组件与密封玻璃盘连接，转轴另一端设有轴肩，轴肩端安装观察玻璃盘，转轴端安装限位偏心盘，带孔金属挡盖安装在腔壁的通孔内。该真空镀膜腔体观察装置通过绝缘把手旋转观察玻璃盘，来观察腔体内部情况，同时利用限位偏心盘使得转轴能恢复到初始位置，提高观察装置使用寿命，减少观察装置更换次数。
一种真空镀膜观察装置

[实用新型]一种陶瓷金属表贴外壳用引线框架-CN202121910128.3有效
发明人：杨建;解瑞;刘海;闫慧;吴杰儒;陈宇宁 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种陶瓷金属表贴外壳用引线框架，其引线框架中心区金属片的开口区域和金属片的边缘区域制作成台阶状结构，第一层台阶用于缓存焊接界面溢出的多余焊料，能更有效地防止多余的溢出焊料流淌到外壳安装面即第二层台阶。此新结构能够改善外壳安装面的平整度，从而保障真空吸台对外壳背面的牢固吸附。
一种陶瓷金属外壳引线框架

[实用新型]一种微波功放载板的全自动球形键合装置-CN202122077902.3有效
发明人：李阳;徐祺旻 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所;合肥美真电子科技有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微波功放载板的全自动球形键合装置，包括加热块、用于轨道传输的载盘，以及对设备的气动系统中真空气路进行的改造。将设备中的真空气路部分做切断处理，并进行密封保护，外接真空管至work holder电磁阀，可以提高加热块对功放载板的吸附力。加热块为根据功放载板面积所设计的并开有真空孔，轨道传输的载盘上加工了与微波功放载板尺寸匹配的键合槽及与加热块尺寸匹配的加热支撑窗口。本实用新型以简洁的方法，实现了微波功放载板类产品的全自动球型键合工艺。
一种微波功放全自动球形装置

[发明专利]基于预成型焊料的元器件贴装方法-CN202210058168.2在审
发明人：贾伏龙;李宇轩;陈梁;崔洪波 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种预成型焊料的元器件贴装方法。首先制作合适的预成型焊料，根据实际情况，可以在焊料上预置特定的固体助焊剂。将预成型好的焊料编入贴片机料带或者阵列盘中，通过贴片机的特定吸头将焊料快速分配至每一个焊盘上，再将各类元器件进行贴装，最后进行回流焊。本发明可以实现任意基板材质、任意元器件以及任意焊接环境下的零锡珠（锡球）贴装，适用于航空航天、医疗等高可靠应用场景。尤其适用于难以制作绿油阻焊层，且基板材质本身对助焊剂及液态焊料排斥不够的情况。本发明最大的优点是根除了锡珠（锡球），显著提升了可靠性。
基于成型焊料元器件方法

[发明专利]化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法-CN202111615882.9在审
发明人：邵国键;林罡;任彬;张长梅;陈正廉;孙军;刘柱;陈韬;陈堂胜 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01N25/72 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法，包括：热台、源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源和红外热像仪；半导体器件置于热台上，所述源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源为半导体器件提供直流激励信号；所述热台与半导体器件底部相接触，为半导体器件提供固定的环境温度，所述红外热像仪位于半导体的正上方，采集半导体器件的热辐射信号，并将采集的信号转换成图像供分析人员参考，本发明能够为后续半导体器件的异常定位提供指导。
化合物半导体器件直流分布分析系统方法

[发明专利]一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置的抛光方法-CN202010364793.0有效
发明人：唐杰;钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C25F3/20 文献下载
摘要：本发明所提出的一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置及其抛光方法利用磁力搅拌台驱动磁转子在抛光溶液中转动，进而搅拌抛光溶液与芯片表面发生流动接触，其中的抛光颗粒与干法刻蚀后的芯片表面发生半接触或滑动接触，并伴有少量的粒子轰击，同时抛光溶剂中的碱性离子与刻蚀表面发生化学刻蚀反应，利用抛光溶液的不断搅动实现沿刻蚀表面平行方向的化学刻蚀和粒子轰击，进而去除沉积在干法刻蚀表面的刻蚀生成物以及干法刻蚀产生的尖峰和凸起，达到刻蚀表面和波导侧壁光滑化的效果，与传统的接触式机械研磨抛光和化学机械抛光方法相比，具有结构简单、操作简便、成本低、表面损伤小的优点。
一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置方法

[发明专利]基于EMMI系统的化合物半导体射频功率测试系统及方法-CN202111648137.4在审
发明人：邵国键;林罡;任彬;张长梅;刘柱;陈韬;陈堂胜 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01R21/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于EMMI系统的化合物半导体射频功率测试系统及方法，包括信号源，耦合器，隔离器，负载调节器和EMMI平台；首先采用EMMI平台采集器件在未加电和未加微波激励信号时的背景光信号；然后为器件加电，使得器件处于导通或者夹断的工作状态，根据器件的工作状态，调整信号源为器件提供微波激励信号，并通过负载调节器调整射频输出端的微波信号的驻波比和相位，从而改变器件加电工作状态下的光信号，采用EMMI平台实时采集器件此时的光信号，所述EMMI平台根据背景光信号和采集的器件在工作状态下的光信号，生成器件工作状态下的射频EMMI分布图。本发明能够得到化合物半导体器件在不同射频工作环境下功率分布的情况。
基于 emmi 系统化合物半导体射频功率测试方法

[发明专利]一种单片集成多波段控制MEMS开关-CN202010325794.4有效
发明人：黄镇;郁元卫;罗仁虎;匡蕾;姜理利;王冬蕊 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片集成多波段控制MEMS开关，衬底、三个串联接触式MEMS开关单元、信号传输线、波段控制单元、封帽；三个串联接触式MEMS开关单元、信号传输线和波段控制单元制作在衬底上，信号传输线将三个开关单元连接成一串两并的电路拓扑结构；3个开关单元的控制单元包括高阻值薄膜、连接金属线和控制焊盘，由3个控制电压组合完成多个波段MEMS开关功能；衬底与封帽形成密封腔体，将MEMS开关电路的可动结构封装在腔体内；三个串联接触式MEMS开关单元可分别由蟹型梁式、悬臂梁式开关结构中选择。本发明优化了宽频段下MEMS开关的插入损耗、提高了MEMS开关的隔离度，为相控阵雷达天线、通信装备等向小型化高性能发展提供了新的解决方案。
一种单片集成波段控制 mems 开关

[发明专利]一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法-CN202111539490.9在审
发明人：王翼;李赟;赵志飞;周平 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命的方法，步骤包括：步骤一，将SiC衬底放置到反应室中，并抽真空；步骤二，将氢气通入反应室，通入碳源、硅源和掺杂源进行表面处理；步骤三，通入碳源、硅源和掺杂源通入反应室中进行缓冲层生长；步骤四，进行外延层生长和外延层掺杂；步骤五，第一阶段降温：关闭硅源和掺杂源，进行氢气氛退火处理，退火结束后关闭碳源；步骤六，第二阶段降温：进行氢气氛退火处理；步骤七，重复步骤六若干次直至达到温度要求；步骤八，降低到开腔温度，打开反应室取出碳化硅外延材料。本发明提供的方法工艺过程简单，适于工业化生产；最大限度地提高载流子寿命，且可避免长时间高温退火对材料表面的破坏。
一种提高碳化硅外延材料少数载流子寿命方法

[发明专利]一种探测、显示一体化的混合光电探测器-CN202111517155.9在审
发明人：伍伟;方盛江;徐鹏霄 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种探测、显示一体化的混合光电探测器，包括彩色滤光片、阴极光纤光窗、真空阴极、环形高压电源模块、一体化阳极以及外壳，其中彩色滤光片设于阴极光纤光窗前，阴极光纤光窗位于真空阴极和彩色滤光片之间，环形高压电源模块设于混合光电探测器外围，真空阴极和一体化阳极的光敏面一起密封在真空腔体中。优点：本发明针对传统直视型微光探测器件体积大、成像颜色单一、无法数字化等缺陷提出一种新型的结合真空器件的高增益、高灵敏度和固体器件小体积、数字化的优点为一体的混合探测器，形成探测、显示功能一体化的新型混合光电探测器件。可以广泛应用于微光夜视领域。
一种探测显示一体化混合光电探测器

[发明专利]一种可调机电耦合系数的薄膜体声波谐振器-CN202111104514.8在审
发明人：赵洪元;王亚宁;周明 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调机电耦合系数的薄膜体声波谐振器，包括薄膜体声波谐振器以及与薄膜体声波谐振器串联或并联的机电耦合系数调控电路，所述机电耦合系数调控电路为电容或者电感。本发明可以实现薄膜体声波谐振器机电耦合系数在更广泛范围内的变化，以满足目前超宽带滤波器和超窄带滤波器的市场需求。
一种可调机电耦合系数薄膜声波谐振器

[发明专利]一种高分辨率Micro-LED微显示器件的高容差铟柱及其制备方法-CN202111609458.3在审
发明人：李晓剑;杨洪宝;王璐;陈建军;樊卫华 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种高分辨率Micro‑LED微显示器件的高容差铟柱的制备方法及用该方法制备的铟柱。首先在芯片表面旋涂一层负性光刻胶，对准LED或驱动电路像素电极中心开展一次套刻，制备方形凸点金属沉积孔，通过电子束蒸发蒸镀复合金属膜，采用湿法剥离的方式获得凸点金属面阵；然后，在芯片表面旋涂一层厚的负性光刻胶，对准凸点金属图形中心开展二次套刻，制备方形的铟柱沉积孔，再通过真空热蒸发沉积铟层；最后，采用机械减薄的方法将制备好铟层的芯片减薄至一定厚度，使得光刻胶上无铟层，且光刻胶表面与边上的铟层表面处于同一水平面，再用湿法将剩余光刻胶去除后，即可在芯片表面获得表面平整的高容差铟柱面阵。本发明可以突破铟柱密度的限制，进行超高密度铟柱面阵的高质量生长。使得铟柱更好地对芯片表面的不平整度进行补偿，具有很高的芯片互联调平容差，完全能够满足高分辨率Micro‑LED微显示器件倒装互联工艺的一致性要求。
一种高分辨率 micro led 显示器件高容差铟柱及其制备方法

[发明专利]一种用于大功率器件封装外壳陶瓷绝缘子及制造方法-CN202111503968.2在审
发明人：莫仲;陈骏;周昊;庞学满;陈寰贝 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01B17/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于功率器件封装外壳陶瓷绝缘子及制造方法，采用HTCC工艺，包含键合区穿墙金属化内埋槽、封接面加强陶瓷墙、封接面焊料流淌区、侧面保护陶瓷墙。优点：1）有效解决大功率器件封装外壳机械性能差、气密性差等缺陷；2）焊料流淌释放区可以有效缓解钎焊残余应力，解决环境试验后陶瓷微裂纹，降低外壳失效风险；3）满足固态微波功率器件大功率、大电流、低电阻需求；4）兼容HTCC工艺，加工成型方法简单，制作成本低，便于批量生产。
一种用于大功率器件封装外壳陶瓷绝缘子制造方法

[发明专利]一种提升翘曲片上细线条光刻成品率的方法-CN202111504226.1在审
发明人：王溯源;王雯洁;梁宗文 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升翘曲片上细线条光刻成品率的方法，包含如下步骤:1）在翘曲片上摸索细线条光刻条件，选定初始线宽L1对应的剂量、焦距和照明方式等曝光参数；2）基于1中选定的光刻参数，在翘曲片上全片曝光，得到尺寸为L1的初始图形；3）基于2中获得的初始图形，摸索化学缩放（shrink）条件，选定目标变化量L对应的混合烘烤温度/时间、显影时间等参数；4）利用1和3中选定的工艺条件，在翘曲片上通过化学shrink工艺获得目标尺寸L2。优点：1）可有效增加翘曲片上细线条光刻的焦深窗口，提升关键层成品率；2）该工艺不限于衬底类型，不限于步进式光刻机的品牌和型号，通用性好；3）工艺简单，具备批量生产所需的低成本优势。
一种提升翘曲片上细线光刻成品率方法

[发明专利]一维滤波阵列介质波导带通滤波器及其设计方法-CN201811137247.2有效
发明人：张华 -专利权人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种一维滤波阵列介质波导带通滤波器，包括微带线、输入输出过渡结构、介质波导，其特征是在该介质波导的上金属层的宽边中心线上蚀刻呈一字形排列的一维滤波阵列结构；该一维滤波阵列结构包括至少三个形状为环形的一维滤波结构，该一维滤波阵列结构以中心位蚀刻的一维滤波结构的面积为最大，中心位左右两侧分别蚀刻的一维滤波结构的面积按n元线阵的切比雪夫阵函数或泰勒阵函数的幅度系数加权值变化，呈现从中间向两端依次渐变减小，且一维滤波结构以介质基片长度方向和宽度方向的中心线为基准对称排列；该一维滤波结构包括EBG周期性单元和内圆金属层。本发明满足对微波毫米波带通滤波器的通带频率、通带带宽和阻带频率的灵活设计。
滤波阵列介质波导带通滤波器及其设计方法